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电容层析成像中电容敏感场的计算与图像重建 总被引:3,自引:0,他引:3
建立了12电极基本传感器的有限元模型,对电容敏感场进行了仿真计算,以此作为先验中以重建出令人满意的图像,为进一步的应用研究提供了强有力的支持。 相似文献
996.
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998.
为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitally controlled inductor-capacitor oscillator, DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor, MOS)变容管.该结构通过将两支MOS变容管反方向串联,有效改善了非线性,从而降低了DCO的相位噪声.在中芯国际0.18 μm 互补MOS工艺下设计了采用背靠背串联数控MOS变容管的DCO.仿真结果表明: 当该DCO振荡在3.4 GHz的中心频率时,在1.2 MHz频偏处的相位噪声为-129.4 dBc/Hz, 与使用普通数控MOS变容管的DCO相比,其相位噪声最多可改善8.1 dB. 相似文献
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运用重铬酸盐明胶(DCG)制作的体位相全息透射光栅可在宽谱带范围内获得高衍射效率,与表面浮雕型光栅相比,它使后续光学系统的光通量大为提高。因此,此类光栅在天文光谱仪中有广泛的应用。本文从Kogelnik的标量耦合渡理论出发,设计在400nm到800nm波段范围内可获得高衍射效率且具有偏振无关性能的体位相全息透射光栅。 相似文献
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【目的】以过渡金属氧化物、硫化物、氢氧化物为代表的赝电容材料由于其良好的比电容容值、高功率密度和低成本等优势,被广泛用于宏观常规超级电容器的电极中。然而,当前对于过渡金属电极的研究多采用非常温下合成,辅以导电剂、粘合剂固定的加工工艺,制约了其在以硅基底为主的微型超级电容器(micro-supercapacitor, MSC)中的应用。【方法】在硅基底上沉积了钛集流体和铜薄膜,通过兼容微加工工艺的常温原位氧化法制备了氢氧化铜纳米线,并进一步通过浸泡硫化钠溶液实现了原位硫化。【结论】测试结果表明,在1 mA/cm2的电流密度下,硅基底硫化铜的比电容为166.98 mF/cm2,较氢氧化铜电极提升了6.68倍,500次充放电循环后电容保持率为74.2%,展现了其在硅基微型超级电容器方面广阔的应用前景。 相似文献