一种计算平行导线间电容的间接方法

给出了一种通过多次配置镜象电荷求解平行导线间电容的方法。在多导体系统的场量求解中，与常用的电轴法、边值问题的数伍解法等相比，具有分析过程直观简捷和求解精度高的特点。     

优化正则图的限制边连通性的最小度条件

限制边割将连通图分离成不合孤立点的不连通图，如果最小限制边割只能分离孤立边，则称图G是超级限制边连通的．证明了如果k＞|G|/2 1，那么k正则连通图G是超级限制边连通的，k的下界在一定程度上是不可改进的．     

浮子电容式石油密度传感器的研究

推导出浮式电容式石油密度传感器的数学模型,设计了机械,电路结构,进行了误差人析和误差修正,根据阿基米德浮力原理,采用不锈钢浮子及多层筒形电容,组成高精度石油密度传感器。     

电容耦合介观电路的零状态响应与系统特性研究

采用代数动力学规范变换方法,求出含时变电压源的电容耦合介观电路量子态随时间演化算符的精确解,导出电容耦合介观电路电荷和电流对输入电压信号的零状态响应的完全解,结果表明电容耦合介观电路系统具有线性时不变特性,且电荷与电流的零状态响应与相应宏观电路的结果一致.     

一类二阶微分方程的复振荡

研究了一类二阶线性微分方程f″＋A1e^azf＇＋（A0e^bz＋A2e^cz）f=F（z）的复振荡性质,在假定Aj（z）（j=0,1,2）的级小于1,F（z）的级为有限时,证明了方程的解至多除去一个例外,其余解均有无穷增长级和零点收敛指数,且超级为1     

ECT传感器电势测量方法

针对微型ECT传感器受限于应用场合,电极轴向长度过短的实用局限,提出采用电势测量方法.通过采集悬浮极片上的电势值进行图象重建.比较电势测量方法与传统的位移电流方法,发现在给定相同激励电压时,电势测量值仅取决于电容的比值而独立于电容本身值,在一定程度上降低了对电极轴向长度的要求.研究表明电势测量方法更加适合于微型ECT传感器.最后利用非线性GA-ECT技术从电势测量值给出了图象重建的结果.     

n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO_2/SiC界面研究

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiC MOS电容. 通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比. 在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV*cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1*cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求.     

制备条件对硅酸钙复合纳米孔超级绝热材料热导率的影响

为解决SiO2气凝胶质脆和硬硅钙石热导率偏高的问题,以正硅酸乙酯为硅源采用溶胶-凝胶法制备SiO2气凝胶先驱体,而后将其与硬硅钙石复合经超临界干燥制备了硅酸钙复合纳米孔超级绝热材料.采用瞬时热带法测试样品常温下1.01×105～1×10-2Pa范围内的热导率,研究了制备条件对复合材料热导率的影响.结果表明,复合材料热导率随硬硅钙石体积质量的减小以及复合增重率的增加而降低,但随气凝胶体积质量的增大先降低后升高.     

某类高阶微分方程正规亚纯解的复振荡

本文研究了一类亚纯函数系数高阶齐次与非齐次线性微分方程亚纯解的增长性问题。对齐次方程得到每一非零亚纯解为无穷级正规解,并得到了亚纯解超级的精确估计;对非齐次方程得到了亚纯解的正规增长级,二阶不同零点收敛指数等的精确估计。改进了陈宗煊、Benharrat Belaidi的结果。     

分级调节式消弧线圈自动跟踪补偿的综合调节判据

提出一种基于注入恒频信号的对地分布电容计算方法和一种综合的消弧线圈跟踪补偿调节判据．在配电系统运行过程中,利用消弧线圈二次侧定时向系统注入一个检测信号,通过对其进行采集、分析和计算,得出系统对地分布电容和脱谐度,并根据脱谐度的大小对消弧线圈实施调节模拟实验表明,所提方法能够精确计算电网的对地电容容抗,还能够在避免频繁调节的情况下保证脱谐度绝对值最小,从而实现精确跟踪补偿．