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631.
文中介绍的超导转子为不完整球形的空心薄壁转子,针对该特殊结构的转子,利用气浮法进行静平衡测量,对现有的气浮测量装置进行改进,设计了一套静平衡检测的工装以及检测方法. 该方法采用两个不同质量的工装与超导转子进行装配,使用静压气体轴承进行气浮,采用三点拾取法,通过高精度电涡流传感器测量不平衡方位的偏角,根据不平衡计算公式,得出转子不平衡量的大小和方位. 相似文献
632.
采用第一性原理计算了FeTe0.5Se0.5在两种不同结构模型下的电子结构、晶格动力学以及电声子相互作用.结果表明:用两种结构模型计算得到的电子结构大致相同,费米面附近的态密度主要来自Fe d电子的贡献.对两种模型我们根据不可约表示分析了Γ点的光学模频率,并给出了声子谱及声子态密度.用模型1和模型2计算得到的电声子耦合常数λ分别为0.20和0.22,都非常弱,无法解释实验上较高的超导转变温度.因此,超导材料FeTe0.5Se0.5和其他的铁基超导材料一样,都不属于常规的电声子耦合超导材料. 相似文献
633.
金魁 《中国科学:物理学 力学 天文学》2021,(4):1-1
自金属汞中发现超导材料的第一个基本属性——(直流)零电阻至今恰好110年,迄今在数据库Super Con中可以找到12000多个超导体.超导研究中的新技术和新材料不断为这个领域注入活力,使其历久弥新. 1908年,在液氢预冷和节流膨胀过程下, Kamerlingh Onnes成功将氦液化, 3年后在测量汞的低温电阻时发现超导.钇钡铜氧高温超导体发现当年, Dijkkamp和Venkatesan等人用准分子脉冲激光镀膜技术成功制备了该体系的超导薄膜. 相似文献
634.
EAST托卡马克是世界上第一台全超导托卡马克装置.文章利用普林斯顿大学开发的著名托卡马克模拟程序对EAST的首轮放电中等离子体电流和位形的控制进行了数值模拟,获得的结果与实验吻合得很好,说明控制系统的稳定性.同时模拟结果对EAST今后开展等离子体平衡和控制系统设计有重要的参考价值. 相似文献
635.
超导限流器--超导技术产业化的领头产品 总被引:7,自引:0,他引:7
一、现实对限流器的迫切需要电力系统发生短路故障时将会产生很大的短路电流(一般情况下,短路电流约为额定电流的20倍),因此电气设备须按短路电流水平来设计,这就使得电气设备的经济性大大降低。短路电流对电气设备的危害很大,这种危害甚至可能是灾难性的,因为短路电流在许多电气设备中会产生高温和很大的Lorentz力;同时,巨大的短路电流所引起的电压和频率不稳定性将对某些用户产生严重的后果。因此短路故障将对系统的安全与稳定运行产生严重的影响。尽管如此,电力系统中的短路电流水平却在不断地增长,这是因为短路电流水平随电… 相似文献
636.
637.
考虑了光超导波理论中光声相互作用的高阶项,研究了声子与双光子的相互作用,利用推广的光子库柏对算符,在平均场近似下得两动量的横光学声子可以通过交换虚光子库柏对产生一个有效的吸引力而形成声子对束缚态,其准粒子是由声子和库柏对组成的复合准粒子,了这种情况下的光超声波基态能。 相似文献
638.
利用晶体结构预测软件USPEX找到了一种Bi的高压稳定相C4,其空间群是: .采用投影缀加平面波方法和广义梯度近似的第一性原理计算,研究了该新结构和Bi 的A7 结构、高压下的单斜结构(Bi-Ⅱ相)、Host-guest 结构(Bi-Ⅲ相)和bcc结构(Bi-Ⅴ相)在不同压强下的压缩行为.拟合出了状态方程,得到各相之间的能量压力关系,进而分析了各相发生相变时的压强.对比发现:常压下C4 结构与bcc 结构的能量非常接近,前者仅仅比后者低10 3 eV/atom.随着压强的升高,发现在50 GPa时C4 结构比bcc结构的能量低10 2eV/atom.运用基于密度泛函微扰理论的赝势平面波方法的ESPRESSO 软件包,计算了C4 结构与bcc 结构在10 GPa压强下的电声耦合常数,从而推算出两者相应的超导转变温度分别是5.8K和7.4K.另外发现两者随着压强的升高而均呈现降低的趋势,在50 GPa时, C4 结构与bcc 结构的分别是1.5 K和1.8 K. 相似文献
639.
对(Y+Ba):Cu为1~2的Y-Ba-Cu-O系列超导材料进行了广泛的实验研究.发现在这一实验范围内Y为15%~40%的任一配比经过通氧烧结后都是欠氧、超导的.观察了不同名义成分的超导体结构,发现它们都含有YBa_2Cu_3O_7的简单正交结构超导相(A相),而差异则体现在另一相(B相)的组分中,即后者似乎起了“吸杂中心”的作用.当Y的含量过多时,在B相上还会发现由Y_2O_3小粒子组成的C相.这些结果可用以解释一系列的实验现象. 相似文献
640.
基于C++ SuperMix软件库对680 GHz接收机中的双槽双超导隧道结(SIS)混频器进行深入模拟研究. 在环境温度为4.2 K、本地振荡器(LO)频率为680 GHz、本振功率为100 nW、中频频率中心为10 GHz和中频匹配阻抗为50 Ω的条件下,采用二次谐波的谐波平衡法,在0~500 K热噪声源温度下对SIS混频器的输出噪声温度进行建模仿真研究. 计算得出:当偏置电压在2~3 mV变化时,SIS混频器的输出噪声温度均小于50 K,表明所研究的SIS混频器具有较好的噪声性能. 相似文献