首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   14321篇
  免费   332篇
  国内免费   757篇
系统科学   611篇
丛书文集   517篇
教育与普及   682篇
理论与方法论   141篇
现状及发展   121篇
综合类   13338篇
  2024年   96篇
  2023年   312篇
  2022年   345篇
  2021年   394篇
  2020年   312篇
  2019年   285篇
  2018年   153篇
  2017年   240篇
  2016年   267篇
  2015年   360篇
  2014年   647篇
  2013年   559篇
  2012年   681篇
  2011年   727篇
  2010年   679篇
  2009年   766篇
  2008年   847篇
  2007年   816篇
  2006年   657篇
  2005年   639篇
  2004年   548篇
  2003年   548篇
  2002年   588篇
  2001年   531篇
  2000年   420篇
  1999年   343篇
  1998年   336篇
  1997年   329篇
  1996年   310篇
  1995年   297篇
  1994年   262篇
  1993年   211篇
  1992年   199篇
  1991年   168篇
  1990年   164篇
  1989年   176篇
  1988年   106篇
  1987年   46篇
  1986年   27篇
  1985年   7篇
  1982年   2篇
  1981年   6篇
  1965年   2篇
  1959年   1篇
  1940年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
101.
朱涛 《科学世界》2007,(11):38-40
大家可能都用过装有小硬盘的数字摄像机,小小一块硬盘可以储存30G或更多的信息、,用起来非常方便,直接连到计算机上就可以将拍摄的内容迅速转出。有了它,人人都可以随心所欲地制作自己的DV节目,而不再需要复杂的专业转录设备。然而,你知道吗?这一切都是源自20年前的一个伟大发现——巨磁电阻效应(GMR:Giant Magnetoresistance)。  相似文献   
102.
电子效应分为诱导效应和共轭效应两种。所谓诱导效应是指在有机物分子中,由于电负性不同的原子或原子团的影响,使整个分子中成键电子云向某一方向移动,从而使分子发生极化的效应。所谓共轭效应是指由于形成共轭π键而引起的分子性质改变的效应,也称C效应。  相似文献   
103.
采用动力学Monte Carlo模拟方法,在非平衡态临界点上,对二维伊辛(Ising)模型的自关联函数进行了数值研究.在零外场条件下,系统从高温无序初态淬火到临界点Tc,用热浴迭代算法,研究非平衡态下双时自关联函数A(t,t′)随时间的演化规律.在充分分析讨论有限尺寸效应发生的尺度范围之后,对模拟数据进行合理取舍,得到自关联函数在临界点的幂指数λc/Zc≈0.7.实验表明这个值与所选取的参考时间无关,证实短时动力学在临界区域存在普适的标度律.  相似文献   
104.
105.
王世光 《科学通报》1993,38(13):1175-1175
优质的约瑟夫森结的制备不仅对研究高 T。超导体及其弱连接的物理特性,而且对于趣导电子学的应用方面都有着重要的意义,然而由于这些氧化物超导材料的相干长度很短,且各向异性,这给弱连接的制备造成了很大的障碍.近来许多种类的高 T_c 结的研究都有了较大的进展.本文报告了在双晶衬底上外延生长的 YBa_2Cu_3O_7薄膜所成的晶界结的约瑟夫森效应研究.双晶结的制备包括三个过程:(1)衬底的烧结;(2)YBa_2cu_3O_7,薄膜的淀积;(3)图形的制备.双晶使用两块(001)轴平行,(100)轴具有一定夹角的钇稳定氧化锆(YSZ)加压烧结而  相似文献   
106.
107.
“旋转曲线”是旋子模型及旋子流假说的重要内容,该曲线在气功外气的研究中占有重要地位。本文从实验的角度证实了旋频曲线的存在,证明了意念对外气的调制作用.  相似文献   
108.
在多连通区域,量子体系的状态应有效的量子数-缠绕数k-存在。在A-B干涉效应中,干涉花纹在屏幕上极大值的位置应以hc/e周期性出现,其强度随着缠绕数k的增加而减弱。  相似文献   
109.
110.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号