气液两相流中气泡周围电场特性研究

针对均匀电场作用下的气液两相系统建立了数学模型，研究了单个及多个气泡附着于壁面、即将脱离和上升至两极板间的电场分布情况．结果表明，气泡周围电场的强弱及其分布的均匀性是影响气泡运动的重要因素．当大量气泡出现并有部分气泡脱离壁面时，电场对气泡的作用减弱，这为高热流密度下电场强化沸腾换热效果不再明显提供了理论依据。     

毛细管电泳法分离测定食品中山梨酸、苯甲酸、糖精

采用毛细管电泳-紫外检测法，考察了波长，电压，缓冲试剂、浓度、pH对山梨酸、苯甲酸、糖精分离的影响，得到了优化的实验条件．以硼砂20mmol／L(pH=7．5)为运行缓冲溶液．20kV为分离电压，检测波长为230nm的电泳条件下，进样时间为10s，山梨酸、苯甲酸、糖精可在12min内实现分离．山梨酸在5mg／L～50mg／L，苯甲酸在5mg／L～50mg／L，糖精在15mg／L～150mg／L范围内呈良好线性关系，迁移速度、峰面积相对标准偏差均小于4．5％，(n=5)．用上述方法对实际样品进行测定，回收率在95％以上．     

自制核心链霉亲和素的性质

在实验室分离和纯化链霉亲和素的基础上对其性质进行了鉴定．在SDS-PAGE中链霉亲和素只有一条带，单体的分子量为14500Da，链霉亲和素的相对分子量约为58000Da；其等电点为5．9～6．2；结合生物素的活性为15．7U／mg．结果表明自制链霉亲和素为核心链霉亲和素，在纯度、活性等方面达到了理想的效果．     

力平衡式传感器在力测试系统实验的应用

将力平衡式传感器应用于力测试系统实验 ,可使测量精度、灵敏度和稳定性等指标大大提高。文章阐述了将涡流传感器、激振器以及力平衡式传感器用于力测试系统的测量原理和实验过程     

苦参碱在玻碳电极上的直接电化学行为及电分析方法研究

研究了生理介质中苦参碱在玻碳电极上的直接电化学行为,结果发现,在0.30～1.20V(相对于SCE)的电位窗口内及0.15mol/LNaCl水溶液中,苦参碱在0.92V附近产生了一个不可逆氧化峰,并且在一定条件下电极反应受扩散步骤控制.运用差分脉冲伏安法研究了苦参碱的峰电流与其浓度的关系,确定了浓度测定线性范围4.0×10-4～1.4×10-2mol/L,检测限为(4.0±0.02)×10-4mol/L.用该方法测定了相应药物中苦参碱的含量,相对偏差在0.6%以内,平均回收率为100.0%～101.0%,测定的精密度和准确度符合测定要求.     

简化的声电耦合方程的势函数解

提出了声电耦合方程的一种新解法，该方法将声波扰动产生的电磁场视为似稳电磁场，根据似稳电磁场的性质将声场与电磁场方程分离，使得声波方程能独立求解。在轴对称条件下，讨论声电耦合波在井外多孔介质中的形式解，并给出声压和轴向电场强度的数值模拟。研究发现声电耦合效应在阳离子交换量大、渗透率高的地层中效果更加明显。     

AZ91D铸造镁合金交流脉冲双极微弧电沉积陶瓷膜

利用交流脉冲方法在AZ91D铸造镁合金表面成功实现阴、阳极微弧电沉积陶瓷膜,并使用SEM和xRD等手段对陶瓷膜的厚度、组织形貌、成分、结构和耐蚀性作了相应研究分析.结果表明,应用交流脉冲方法不仅能够在AZ91D铸造镁合金上实现阴、阳双极微弧电沉积陶瓷膜,同时在阴、阳极陶瓷膜中电沉积有稀土元素Ce.通过比较动电位扫描极化曲线和交流阻抗分析发现阴、阳极微弧氧化处理后AZ91D镁合金的耐蚀性得到显著提高.     

基于电热模拟的电迁移可靠性诊断及时钟完整性分析

为诊断大规模集成电路设计过程中电迁移可靠性及分析时钟信号完整性,开发一种用于集成电路片上时钟信号模拟软件Etsim3。该模拟软件考虑了集成电路自热效应,通过电热耦合模拟以及金属连线温度分布解析模型获得更准确的集成电路芯片表面以及各金属连线网络上的温度分布。模拟结果表明,考虑集成电路自热效应前后,电迁移诊断以及时钟信号完整性分析结果都有了较大程度上的改变,Etsim3可以得到更为精确的分析以及诊断结果。     

用提升小波变换提取诱发脑电

提出了一种利用小波分解和重构进行诱发脑电信号的有效提取方法.改变了小波变换的Mallat算法运算量较大,难于满足某些实时性较高的系统需求,采用提升小波变换进行诱发电位的提取,其运算量只有传统方法的一半左右,有助于提高系统的实时性.实验结果表明:用提升小波变换提取诱发脑电信号,能有效的改进实验曲线的信噪比、缩短信号的处理时间,将可以提高BCI系统的通信速率.     

荷电对单壁碳纳米管稳定性的影响

采用基于密度泛函理论的DMol3程序对荷电的短开口单壁碳纳米管进行了结构优化计算. 结果表明, 体系的总能量随荷电量按抛物线规律变化, 体系的最高占据分子轨道能量随荷电量按线性规律变化, 碳管荷一定量负电荷时总能量最低, 碳管具有正的电子亲合势, 荷一定量负电荷的单壁碳纳米管比电中性的单壁碳纳米管结构更稳定. 荷电量较小时, 单壁碳纳米管的原子结构随荷电量的变化很小, 忽略碳管原子结构的变化仍能得到体系的总能量和最高占据分子轨道能量随荷电量变化的正确定性结果. 荷电量较大时, 开口单壁碳纳米管的端口原子结构首先受到影响, 形成喇叭口形状. 随着荷电量的增加, 碳管端口的原子结构将变得不稳定, 最终导致碳管原子结构的破坏.