应用电力线分析导体静电平衡问题

本文利用电力线及导体静电平衡的性质，采用反证法，具体阐述一种分析导体静电平衡问题的方法。     

电致变色中电介质膜参数的研究

对电介型电致变色系统的基本原理进行了探讨，给出了电介型Ｇ／ＩＴＯ／ＷＯ３／Ｔａ２Ｏ５／ＩＴＯ系统用电子束蒸发的制备参数，分析了电介质中的吸附水对着色的重要意义，对影响该系统性能的因素如制备工艺参数、ＩＴＯ膜方块电阻和电场大小等进行了讨论，最后对电介质膜层提出了要求。     

C／BN_xC_（2（1－x））、BN／BN_xC_（2（1－x））和C／BN异

采用原子集团展开和平均键能相结合的方法．研究了宽带隙高温半导体、合金型应变居异质界面Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）、ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和生长在ＢＮｘＣ２（１－ｘ）合金衬底上的Ｃ／ＢＮ应变层异质结的价带偏移△Ｅｖ．结果表明：Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）的△Ｅｖ随ｘ的变化是非线性的，而应变层Ｃ／ＢＮ的△Ｅｖ随ｘ的变化是接近于线性；三种异质结的△Ｅｖ值随ｘ的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Ｅｍｖ随ｘ的变化规律．     

用同步辐射光电子谱研究氧对GaAs-Al和GaAs-Au界面形成的影响

用同步辐射光电子谱研究了吸附于清洁的GaAs(110)解理面上的约0.7个单原子层的氧对Al—GaAs以及Au—GaAs界面形成的影响.初始淀积的铝(1ML)倾向于夺取As—O键中的氧,随后淀积的铝(>1ML)又从Ga—O键中夺取氧,形成Al—O键;Al的进一步增加使Al与次层GaAa的置换反应变得明显,其结果生成AlAs,同时被置换出来的Ga穿界面而出现在表面.微量的Au(<1ML)与O—GaAs之间只有微弱的相互作用.随后淀积的Au破坏As—O键并促使形成较稳定的Ga的氧化物,Ga的氧化物层阻止Ga进入Au,但不能阻止As分聚于Au层的表面.     

聚丁二酸乙二酯-碘化钠络合物的导电性

考查了由聚丁二酸乙二酯(PES-2,4)和NaI形成的络合物结构和导电性的关系,发现NaI主要溶解在高分子的无定形区域;PES-2,4与NaI形成的络合物体系是半结晶的聚合物电解质,其结晶体的结构类似于纯PES-2,4。NaI的加入,使聚合物的玻璃化转变温度、结晶化转变温度均升高,而结晶度和结晶速度降低。电解质的导电率随NaI浓度变化而变化,NaI浓度高,其导电率高,当[NaI]/(链节单元]=1/4(摩尔浓度比)时,电解质的导电率可达10~■S/cm(90℃),其中无定形区的导电是主要的。导电率与温度的关系偏离阿累尼乌斯方程,伹也不完全符合WLF方程,导电行为不可简单地用它们来解释。     

鲫鱼胚胎期受电磁刺激前后的质子核磁弛豫和肌纤蛋白的研究

鲫鱼胚胎期的电磁刺激能促使其后期生长速率加快、抗温变能力增强,出苗率大幅度提高和成活率显著增加等特点.本文对胚胎受刺激前后的质子核磁纵向弛豫和成鱼肌纤蛋白成份分别进行了比较研究,结果表明,对胚胎进行短时的物理刺激不会直接影响生物大分子的宏观结构,成鱼的肌蛋白成份也无明显差异.     

Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4(α)和非稀土硫酸盐二元系的相关系和导电性研究

本文采用XRD、DTA和电测量技术研究了Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4(α)和非稀土硫酸盐二元系的相关系和导电性;我们发现在掺有8m/o CaSO_4体系中,280℃时电导率可达到10~(-3)数量级,与掺杂稀土硫酸盐的效果相似,但仍有相变存在;同时还讨论了掺入异价离子后电导率提高很多以及相变存在的原因。     

钠快离子导体Na_(3-x)Zr_(2-x)V_xSi_2PO_(12)系统的固相合成与表征

通过高温固相反应合成了钠快离子导体Ｎａ３－ｘＺｒ２－ｘＶｘＳｉ２ＰＯ１２系统的一系列合成物、其合成反应均可在低于１３７３Ｋ的温度下完成，且该系统的合成温度随ｘ增大而降低．Ｘ－射线衍射数据表明，当ｘ＜０．５时，其合成物为ＮＡＳＩＣＯＮ单纯相，其空间群为Ｃ２／ｃ，当ｘ＞０．５时，合成物开始玻璃化。系统合成物的有关晶胞参数随ｘ的增大而相应缩小，电性能测定结果表明，最好电导性的起始组成为ｘ－０．１．其导电率在室温时为５．４５×１０－４Ｓ·ｃｍ－１，在７２３Ｋ时为１．０４×１０－１ｓ·ｃｍ－１，其电导激活能为 ２３．４６ｋＪ／ｍｏｌ。