一类非负不可约周期三对角矩阵的逆谱问题

提出一类非负不可约周期三对角矩阵的逆谱问题，讨论了问题的可解性，并给出了问题有解的充要条件及算例。     

于频变负阻的无源梯形网络的有源模拟

提出了一个用频变负阻作为有源元件实现的无源梯形低通网络结构,而频变负阻只需要两个第二代电流传送器和三个无源元件.该有源RC低通网络具有无源低通原型的低灵敏度特性.     

利用HIRFL加速的重离子获得半导体器件的σ-LET曲线

表征器件单粒子敏感度的σ-LET 曲线是轨道翻转率预估的重要依据.利用兰州重离子加速器（HIRFL）加速的 35 MeV/u的36Ar离子和 15.14 MeV/u的136Xe离子得到的 32 kbit×8静态存储器（SRAM）IDT71256单粒子翻转的实验数据,用Weibull和Lognormal两种函数拟合获得了完整的σ-LET 曲线,对两种拟合结果的差别进行了讨论,并在拟合参数的基础上估算了地球同步轨道和两条太阳同步轨道辐射环境中IDT71256的翻转率.     

会飞的船

“里海怪物”惊世界 辽阔无垠的里海,面积达37万平方公里,为世界第一大湖。在美、苏冷战期间,里海是苏军的一个新式武器试验场。20世纪70年代初,美国间谍卫星注意到一个奇怪的大型飞行体,以令人难以置信的速度、在任何雷达都探测不到的低空翱翔于里海之上。美国军事专家在震惊之下给这个飞行体定名为“里海怪物”。     

β-烷基对卟吩异构化的取代基效应

用AM1 MO方法和过渡状态理论研究了β-甲基和β-乙基对卟吩异构化反应的影响.具体计算了卟吩和这2个β-烷基卟啉异构化的反应势能剖面, 以及卟吩反应与它们的反应速率常数的比值.结果表明, β-烷基取代后, 活化焓因素对异构化反应是不利的,而活化熵是一个影响权重更大的因素.活化熵变化的本质是由β-烷基引起的相对构型无序造成的.     

溶剂化效应对99mTc-脑放射性药物异构体脑吸收值的影响

以^99mTc-BAT类和^99mTc-DADT类异构体脑显像剂为研究对象，采用计算机模拟技术，对^99mTc-配合物的静电水化能进行研究分析。结果表明：不仅^99mTc－脑放射性药物异构体脑吸收值与静电水化能有很大的相关性，而且^99mTc－配合物的syn和anti异构体脑吸收值比值对数与其静电水化能的差值亦呈线性关系。此外，从分子水平上探讨了影响^99mTc－放射性药物脑吸收值的重要因素以及不同^99mTc－配合特异构体间生物分布差异的原因，为^99mTc－脑显像剂的合理药物设计提供了参考。     

有机场效应晶体管研究和应用进展

近两年来，以有机聚合物和小分子为半导体材料的有机场效应晶体管取得了突破性的进展，其性能已能与无定形硅器件相媲美。概述了作为有机场效应晶体管的有机半导体材料研究状况，以及几种目前最有发展潜力的有机场效应管制备技术，并扼要介绍了有机场效应晶体管在各个领域中的最新应用。     

磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响

磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层，利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅（100）基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜，采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析，并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析，结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应；15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3，该反应使得界面有“互混层”存在，从而导致诱发NiFe膜（111）织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。     

纳米晶体材料的有效弹性模量与界面效应

纳米晶体材料的很多性质与界面效应有关，从材料的微观结构特点出发，研究界面对材料的有效弹性性质的影响，首先，将纳米晶体材料看作一种两相复合材料，基体是具有不规则原子结构的界面相，夹杂是具有理想晶格的晶粒相，用Mori-Tanaka方法给出了有效模量的表达式，进而用应变梯度弹性理论，通过对纳米晶体材料的代表性胞元的分析，考察了应变梯度对材料变形行为的影响，分析了界面效应影响材料性质的两种微观物理机制，其一是界面相不规则原子结构的软化效应，其二是界面附近边界层存在引起的硬化效应。     

纳米Fe-In2O3颗粒膜的磁性和巨磁电阻效应

采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe-In2O3颗粒膜，研究了Fex(In2O3)1-x颗粒膜样品的磁性和巨磁电阻效应，实验结果表明；当Fe体积百分比为35%时，颗粒膜样品的室温磁电阻变化率△ρ/ρ0数值达到4.5%,Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ随温度（T=1.5-300K)的变化关系表达；当温度低于10K时，△ρ/ρ0数值随温度的下降而迅速增大，在温度T=2K时△ρ/ρ0达到85%，通过研究颗粒膜低场磁化率X（T）温度关系和不同温度下的磁滞回线，证实当温度降低到临界温度Tp=10K时，颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变，Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品的磁电阻变化率△ρ/ρ0在温度低于10K时的迅速增大，可能是由于纳米“铁磁金属-半导体基体”Fe0.35(In2O3)0.65颗粒膜样品处于“类自旋玻璃态”时存在特殊的导电机制所造成的。