OLAM神经网络分析X荧光谱的预处理研究

在采用最优线性联想记忆(Optimal Linear Associative Memory)神经网络分析X荧光谱时,可用多种方式对谱作预处理,如去掉多余数据、取对数、横向压缩、标准化等.针对实验测得的水泥生料X荧光谱,分别用上述方法进行预处理,然后再用神经网络分析,与化学分析的偏差作对比.结果表明,去掉多余数据、横向压缩可以减少信息处理量,减少存储空间,提高运算速度,且对精度影响较小;标准化处理对含量较少的成分有优势,对含量大的成分误差太大;对数方法则不适用.     

二维群集Vicsek模型的动理学方程的一个二阶精度格式

提出了求解二维群集Vicsek模型的动理学方程的一个二阶精度格式,其中二阶精度的算子分裂技术用于解耦对流项和碰撞项,高分辨MUSCL格式用于对流项的离散,而谱方法和二阶隐式龙格库塔方法分别用于在速度和时间方向近似碰撞部分子问题.给出了几个用于检验格式精度和有效性的一维和二维数值实验.数值结果表明,所提出的格式具有二阶精度;与文[J Comput Phys,2015,297:32-46]中的一阶格式比,它能较好地分辨黎曼问题解中的间断.     

复杂系统的逻辑结构判据问题

系统阐述了LAPP方法以及2004年以来的主要发展,并指出一些新的针对复杂系统的逻辑结构判据算法及相关问题的研究方向.     

OLAM神经网络分析X荧光谱的预处理研究

在采用最优线性联想记忆(Optimal Linear Associative Memory)神经网络分析X荧光谱时,可用多种方式对谱作预处理,如去掉多余数据、取对数、横向压缩、标准化等.针对实验测得的水泥生料X荧光谱,分别用上述方法进行预处理,然后再用神经网络分析,与化学分析的偏差作对比.结果表明,去掉多余数据、横向压缩可以减少信息处理量,减少存储空间,提高运算速度,且对精度影响较小;标准化处理对含量较少的成分有优势,对含量大的成分误差太大;对数方法则不适用.     

对光栅衍射实验中衍射条纹宽度的分析

通过对光栅衍射实验中衍射条纹宽度成因的分析,阐明实验中观测到的衍射条纹宽度主要是由平行光管的狭缝的宽度引起的,特别是在衍射角θ≤30°的小角度衍射、光栅常数a=1/300 mm,其效应大约是其他展宽效应总和的35~85倍。     

镉离子胁迫下4种辣椒超氧化物歧化酶同工酶酶谱及酶活性分析

以4种辣椒为材料,分析在不同胁迫浓度和胁迫时间镉离子胁迫下,4种辣椒超氧化物歧化酶(SOD)活性及同工酶酶谱的变化.结果表明,镉离子能显著影响酶活性的变化,不同镉离子浓度胁迫下不同材料酶活性变化不同, SOD酶活性最高为对照组的1.4倍(1号品种,100 mg/L胁迫3 d),酶活性最低的为对照组的60%(2号品种,150 mg/L胁迫6 d);镉离子还能影响同工酶酶谱,不同胁迫时间和浓度对同工酶的影响不同,对1号材料的影响最为显著,能诱导出2条SOD同工酶新谱带.     

一种基于倒谱域的图像数字水印算法

提出了一种基于倒谱域的数字水印算法,该算法将水印图像信号嵌入到宿主图像的一维倒谱系数中,水印检测不需要原始图像.计算机仿真结果表明该算法满足水印的不可感知性的要求,且可抵抗多种水印攻击,如JPEG压缩、噪声干扰、滤波以及其他图像处理操作等.试验采用了Stirmark4.0水印基准测试软件,保证了试验的真实性和准确性.     

压力下Si/Ge超晶格热电材料的声子谱和群速度

利用面心立方模型和晶格动力学理论计算了Si/Ge超晶格材料的纵向(z)和横向(x)声学声子谱,用半解析的方法计算了声学声子传播的群速度.计算结果表明,纵向声子谱有简并的现象,横向声子谱没有简并,在布里渊区的中心和边界,纵向和横向声子的群速度几乎减小为零.引入流体静力学压力并修正应变存在时的力常数,研究了应变对超晶格材料声子谱和群速度的影响,结果表明,静压使声学声子的频率系统性上升,使声学声子的群速度明显增大.     

低能^12C＋^ 12C反应的测量

在鲁尔大学DTL实验室4MV串列加速器上利用^12C束流轰击高纯度的C靶.通过γ谱学方法测量了Ec.m.=2.10-4.75MeV^12C＋^12C熔合蒸发反应,并导出了^12C（^12C,α）20Ne和12C（12C,p）23Na反应的天体物理S（E）＊因子.在Ec.m.≤3.0MeV时发现新的共振.特别是在Gamow峰的高能尾部Ec.m.=2.14MeV处出现强共振峰.当T=8×108K时,这些共振使得α链的反应率比无共振情况下提高了近5倍.     

多孔硅光致发光热稳定性研究

运用微拉曼谱仪以不同功率的激光入射到用阳极脉冲腐蚀制备的多孔硅样品研究多孔硅的热稳定性.用斯托克斯与反斯托克斯散射强度的比率确定样品的温度.观察比较不同温度下多孔硅样品的拉曼谱趋向,发现在激光功率与样品温度之间的关系曲线上分为3个过程,与拉曼频移和拉曼强度的曲线相一致.所有现象都可以用Si-O健和非晶Si被光氧化的机制解释.