二硫化铁光电薄膜的制备技术的研究现状

黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性.因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注.本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,分析二硫化铁薄膜的研究现状.     

制备ZnO荧光体物理过程的研究

本文对硫法制备氧化锌,荧光体的物理过程,进行了理论上的探讨,从而了解制备过程晶体中微观运动的基本轮廓。文中讨论了Frankel缺陷、超量Zn在晶体中的护散、晶体的延生、高溫淬火和球磨等过程对发光中心形成的作用与影响,並且认为,是某种填隙方式Zn原子形成受主能级,构成发光中心,还提出了相应的发光中心能带模型,通过分析,对制备过程各环节提出了原则性建议。     

离子交换法制备硫酸钾的研究

本文研究以氯化钾和硫酸铵为原料离子交换法制备硫酸钾的适宜工艺条件以及提高产品纯度的方法，采用双柱串联吸附及洗脱工艺、可达到较高的树脂利用率和原料利用率。     

光纤制备工艺的理解和进一步降低损耗的一些设想

描述二氧化锗，五氧化磷和氟化物在沉积和烧结过程中的机理．由于掺杂物在高温下的特性差异，有可能产生许多不利因素，如掺杂物的挥发、局部应力、缺陷中心和不完整波导结构．这些因素有损于传输特性．随着光纤通讯的发展，低损耗光纤在长距离，大容量通讯系统中起着越来越重要的作用．经过１０多年的努力，接近理论值的，低损耗的光纤已经商品化．但由于不完善工艺条件所引起的损耗，仍需要研究．１９７４年出现了ＭＣＶＤ工艺，由于实施相对容易，得到广泛使用．许多研究工作者对这一工艺中四个主要阶段：即沉积，烧结，固化和缩棒，提出满意的解释．为进一步改善包层内，包层和芯子之间，芯子内的浓度梯度和应力结构以便获得低损耗光纤，本文分析了几种掺杂物在高温下相互作用的机理，提出了在烧结阶段中氟粒子独特作用的设想     

固体超强酸及其催化作用

本文介绍了两类固体超强酸的制备、酸性及其结构特点,侧重介绍了在饱和烷烃的异构化及异构烷烃的烷基化反应中固体超强酸作为催化剂的研究情况。     

聚合法制备高粘度硅氧烷/环形硅氧烷复合硅油

提出了高粘度硅氧烷/环形硅氧烷复合硅油的聚合法制备方法,制备了聚合反应用催化剂,合成了化妆品用复合硅油.     

硫化物的制备和转化

介绍硫化物的制备，转化和历程。     

专利角

新到中国专利题录:4L-1．一种用于抗菌除臭鞋材的抗菌剂制备方法//4L-2．一种光纤圣诞树的生产工艺方法//4L-3．粉煤灰硅钙轻质复合板//4L-4．一种电接触复合材料//4L-5．大掺量粉煤灰生产复合水泥的方法     

溅射技术在制备SiC薄膜中的应用

近20年以来，薄膜科学得到迅速发展，不仅得益于薄膜材料可能具有力、热、光、电、磁、仿生或化学等各种特性，可以使器件小型化，而且也得益于各种薄膜制备手段的进步．其中，溅射技术已成为几种重要的制备薄膜的手段之一．广泛应用于制备超硬涂层、耐磨涂层、耐腐蚀涂层以及具有电学、光学、半导体等性质的薄膜，SiC薄膜就是其中很有发展前景的一种．本文将介绍溅射原理、薄膜制备技术，着重介绍溅射法在制备SiC薄膜中的应用和前景展望。