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861.
新鲜多孔硅(001)表面结构与电子特性理论研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在周期边界条件下的k空间中,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势法,建立H12S i31几何模型来对表面主要被H覆盖的新鲜多孔硅(Porous S ilicon,PS)(001)表面最外层的S i—H键的几何结构和电子特性进行初步的理论研究.计算得到氢化PS(001)表面几何结构S i—H键长为0.148 nm、H—S i—H键角为106°,并通过原子布居数、电子密度图分析得到氢化PS表面原子的电子特性. 相似文献
862.
徐锡林 《上海交通大学学报》1991,25(4):128-131
用于机械加工中表面粗糙度测量和半导体工业生产过程中对掩膜、外延层等厚度及轮廓形状检测的高精度表面轮廓仪,它们的测量分辨率最高可达1nm,测量力小于或等于(1~0.5)mN,并且测量十分稳定可靠.其中构成仪器的接触式测量探头是实现和保证这些性能的核心部分.为此,笔者结合自己的设计实践,就其主要技术设计问题进行了分析. 相似文献
863.
864.
近年来,有人研究在表面活性剂存在下形成多元络合物测铍的方法,其中用ECR与十六烷基三甲铵盐(CTA)和用铬天青S(CAS)与新洁尔灭分光光度法测铍已有报道,本文对Be(Ⅱ)-ECR-新洁尔灭显色体系作了初步的研究。 相似文献
865.
866.
文章分析了机械制图国家标准GB/T131-1993对表面粗糙度标注的要求,从表面粗糙度符号的绘制、标注位置、方向以及表面粗糙度数值的注写,提出了一种在Auto CAD中标注表面粗糙度方便可行的方法. 相似文献
867.
868.
瑞典皇家科学院诺贝尔奖委员会2007年10月10日宣布,将2007年度诺贝尔化学奖授予德国科学家埃特尔(G.Ertl),以表彰他在"固体表面化学过程"研究中做出的贡献. 相似文献
869.
根据我国的工程制图国家标准,AUTOCAD绘零件图时,用户必须自行解决表面粗糙度的标注问题。为了解决这个问题,充分利用属性块的特性进行设置达到解决的目的。 相似文献
870.
自由降膜在横向波纹竖壁上的流动与蒸发的分析 总被引:1,自引:0,他引:1
师晋生 《天津科技大学学报》2008,23(2)
对竖直放置的横向波纹形壁面上的定型层流自由降落液膜的运动与蒸发传热进行了分析.对这种运动的控制微分方程及边界条件作无量纲化处理,以壁面波纹为摄动参数对方程组进行幂级数展开,得到了摄动分析模型.通过求解该模型获得了液膜流速、温度和自由表面位置的表达式,讨论了壁面波纹对液膜运动的影响.分析表明,在一定的壁面波幅和波教条件下,横向波纹对这种流动的传热有增强作用. 相似文献