无底圆筒结构内填土压力分布和抗倾有效比计算

由于无底圆筒结构与有底结构相比,在结构沉降、基底应力等方面存在差异,导致二者的内填土压力分布明显不同,因此,传统的贮仓压力理论不能正确确定无底圆筒结构的筒内填土压力．采用模型试验,量测作用在无底圆筒结构上的土压力,分析无底圆筒结构与内填土和地基的相互作用,探讨圆筒结构在倾覆过程中内填土与筒壁间摩阻力调整机理．通过试验研究和理论分析得到,在对称荷栽作用下筒内土压力分布分为三个区域,在非对称荷栽作用下,由于筒内产生附加力矩而使土压力分布变为两个区域,且抗倾有效比约为对称荷栽状况下的1．10倍,在此基础上,提出了对称荷栽和非对称荷栽(作用有侧向荷载)情况下,筒内填土压力和抗倾有效比的计算方法,前者适用于圆筒施工期的计算,后者适用于使用期的计算．     

蒸压粉煤灰砖砌体干燥收缩试验研究及其预测模型

蒸压粉煤灰砖砌体房屋的裂缝很大程度上由砌筑后使用阶段砌体干燥收缩引起.基于复合材料力学,推导了正交各向异性砌体的干燥收缩与砖和砂浆干燥收缩的关系.理论分析表明,砂浆的干燥收缩对砌体干燥收缩的影响可忽略不计,砌体干燥收缩近似等于砌体中砖在使用阶段干燥收缩.为考察试验方法、上墙含水率、环境相对湿度、体积/暴露面积比对蒸压粉煤灰砖的干燥收缩的影响,进行了试验研究.试验结果表明,按快速法得到的蒸压粉煤灰砖的干燥收缩值比慢速试验法小,且蒸压粉煤灰砖的干燥收缩率随着上墙相对含水率的增大而增大,随着环境相对湿度增大而减小,随着体积/暴露面积比的增大而减小,并由试验结果得到了砌体中砖的干燥收缩预测模型.还对不同上墙含水率和不同环境相对湿度的6片砌体墙干燥收缩进行了试验研究,试验值与理论推导的结果符合良好.     

面向机构运动方案设计的CBR关键技术研究

简述了 CBR的基本原理。根据机构运动方案设计的基本原理 ,提出从功能的角度对机构运动方案进行分类 ,运用 CBR技术解决机构运动初始方案的选择问题。采用两级实例的描述模型 ,用框架作为机构运动方案实例的描述手段。比较详细的叙述了实例检索模型的建立及基于模糊优先比的相似实例检索过程。用基于框架的方案变换策略进行相似实例的改写     

钢筋混凝土有边框剪力墙抗剪因素分析

依据试验资料论述钢筋混凝土有边框剪力墙的工作机理和强度性能,综合分析剪跨比、配筋率、混凝土强度等因素对剪力墙抗剪强度的影响。     

基于FDM-PFM耦合方法的刚性桩复合地基性能

为揭示褥垫层颗粒材料的力学本质,深入研究其对刚性桩复合地基性能的影响,开发了有限差分-颗粒流(FDM-PFM)耦合方法,建立了刚性桩复合地基静载试验耦合模型;将耦合模型计算结果与某高层建筑结构现场静载试验结果进行了对比,吻合良好,证明该耦合方法有效,材料宏观、细观参数取值正确.并进一步模拟分析了不同褥垫层材料对刚性桩复合地基性能的影响,结果表明:随褥垫层刚度增大,沉降减小,桩土应力比增大,桩顶对褥垫层刺入量减小;不同褥垫层材料桩顶负摩阻区范围为中粗砂0.30L、碎石0.25 L、级配砂石0.20 L(L为桩长);随褥垫层刚度增大,负摩阻力减小,桩身轴力则增大.     

对Rayleigh相关信道的分集性能研究

研究了在 Rayleigh衰落下具有不同相关性的分集支路的分集性能。研究的分集策略是最大比合并和选择合并 ,采用 Monte Carlo方法仿真了系统输出信噪比超过门限的概率。结果表明 :在最大比合并下 ,当各路平均信噪比与门限相比较小时 (两路时约为 - 4d B,三路时约为- 13d B) ,各分集支路越相关 ,输出信噪比超过门限的概率越大。在其他情况下 ,各分集支路越独立 ,分集效果越好 ,并且最大比合并总是优于选择合并     

任意纵横比下的自举电流的求解

自举电流最早是由Bickerton、Connor和Taylor发现的。自热核聚变装置TFTR以及后来的JET、JT-60以来,自举电流都受到了广泛的关注。直到现在,自举电流被认为是维持托卡马克装置稳定运行的根本。由于非感应电流驱动的效率很低．这使得用非感应电流驱动提供聚变中全部等离子体电流的成本非常巨大．导致托卡马克装置稳定运行变得不可能。     

位移传感器及在轧辊行程检测系统的应用

本文介绍一种长行程直线位移传感器,它依据磁致伸缩原理,具有线性度好,分辨率高、结构紧凑、易于安装等优点。论文阐述了它的工作原理及其在热轧机轧辊行程测量系统中的应用。     

行人与机动车相互干扰的元胞自动机模拟研究

基于VDR模型,建立了行人与机动车相互干扰的元胞自动机模型。在开放边界条件下,研究了车辆产生概率、消失概率和绿信比对车流量及过街人数的影响。数值模拟表明车辆产生概率、车辆消失概率只在一定范围内影响车流量,有红绿灯设置时存在绿信比最佳取值范围。     

SOI双槽隔离结构的耐压特性

理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.