基于虚参考点的生物阻抗测量方法

针对常规生物电阻抗测量容易引入相位误差的问题,提出了一种基于虚参考点的生物阻抗测量方法,利用虚参考点,通过简单计算可获得被测阻抗的电压信号相对虚参考点的幅值和相位,并根据参考电阻与被测阻抗在矢量空间的对应关系,可计算被测阻抗的模和相角,依据该方法构建了原型机,通过与Agilent4294A阻抗分析仪进行对比,证明该方法可明显地改善人体阻抗测量精度和准确性.     

半导体表面态的研究与展望

半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支，因为半导体器件的体积越来越小，靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态，其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。     

类锌离子精细结构能级和辐射寿命

用全相对论多组态自治场方法，计算了类锌离子Mo XⅢ和Fm LXⅪ的1s，2s，2p_，2p，3s，3p_，3p，3d_，3d，4s，4p_，4p，4d_，4d，4f_，4f，5s，5p_，5p，5d_，5d，5f_，5f，5g_，5g,6s，6p_，6p，6d_，6d，6f_，6f，6g，6g，6h_，6h，7s，7p_，7p7d_，7d轨道的475个精细结构能级和辐射寿命以及各种跃迁参数。能级的计算值和实验值符合得很好。还发现了一些寿命较长的亚稳态能级。     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

演绎数据库虚关系的内部表示

介绍了演绎数据库的系统结构，并着重介绍了基于SQL Serverr之上的递归查询算法和将以规则形式存放于外存的虚关系转化为内部表示的过程。     

动态缓变Kerr-Newman时空中的粒子能级

在Kerr—Newman黑洞随时间缓慢变化的情况下，用时间变量表示其动态特征，通过解缓变的Kerr—Newman弯曲时空中的粒子运动方程，得出了缓变的Kerr—Newman时空中的粒子能级分布．并对此分布特征进行了研究。     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。     

重介子谱的相对论动能修正

使用超弦理论激发的伸缩子--胶子有效耦合得到的重夸克势研究了重介子的能谱，采用统一的方式来求解Salpeter方程和SchrEodinger方程，以便能真实地比较相对论动能修正的效应。发现相对论Salpeter方程更好地说明了实验上观察到的重介子能级。     

Fe-Mn-Si基形状记忆合金中FCC相的电子结构与稳定性

利用基于第一原理的离散变分法研究了Fe-Mn-Si合金的电子结构与FCC相稳定性的关系. Si元素使Fe原子的d带空穴数减少, 而Mn的影响较复杂. 以此为基础, 从电子浓度的角度解释了这两种元素对合金层错能的影响, 并结合对合金结合能的计算结果—— Si降低合金的结合能而Mn的作用相反, 阐述了Mn降低而Si升高马氏体相变温度的物理原因. 在不同方向上施加应力时, 合金的电子结构发生变化, Fermi能级处的总态密度有明显提高. 从Fermi能级附近的能谱变化可看出, 应变使能隙减小, 能级的简并性提高. 在同一方向上施以不同的应变, 中心原子的3d和4s轨道上的电子数减少, 3d局域态密度变窄, 且峰值增加. 对比电子密度的变化, 在应力方向上的成键轨道有减弱的趋势, 而在垂直于应力的方向上出现增强, 导致FCC结构的稳定性降低. 这是外场(应力)作用下合金的马氏体相变温度提高的重要原因.     

类锂离子（Z=11—20）1s^2s—1s^25p的跃迁能和振子强度

利用全实加关联(FCPC)方法计算了类锂离子(Z=11-20)激发态1s^25p的能级及精细结构劈裂，在此基础上计算了1s^2s-1s^25p的跃迁能和振子强度，相对论和质量极化效应对能量的修正用微扰论计算。还估算了来自量子电动力学效应的修正，所得到的理论结果与现有的实验数据符合得很好。