石墨薄膜电阻开关特性的研究简

采用磁控溅射法以高纯石墨为靶材在单晶硅(100)上制备了石墨薄膜,通过SEM扫描表征其表面形貌以及截面厚度,利用XRD对石墨薄膜的晶体结构进行分析,再运用Keithley 2400对器件的I-V曲线进行测试.研究发现,通过磁控溅射得到的Si/C/Ag结构的器件具有明显的双极电阻开关效应,在一开始时,电阻开关比可以达到105倍,继续扫描直至曲线达到稳定状态后的比值也在103左右.这种显著的电阻开关特性经过研究被认为是石墨在溅射过程中形成稳定的缺陷对载流子的俘获和释放,使得器件的电阻突变而导致的.     

制备气敏膜的新方法及膜的光学特性

根据气敏光学特性的要求，用可控气压喷涂和高温处理的新方法，制成ＳｎＯ２膜。膜面平整均匀，晶粒结构细密，缺陷较少，其光学特性比其它方法制成的薄膜好，使用的设备及工艺简单。     

磁各向异性对YIG单晶磁性薄膜△H的贡献

在考虑任意磁化方向单轴和立方磁各向异性等效场的基础上，根据磁短进动方程，导出了张量磁化率X”的表达式，讨论了单晶YIG磁性薄膜中磁各向异性对铁磁共振线宽的贡献，用“各向异性线宽因子”的概念定量描述了这种贡献．理论计算与实验结果符合得很好．     

射频磁控溅射沉积SiO2膜的研究

研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．     

多层结构有机物薄膜制备及光致发光特性

利用有机物真空沉积技术制备了8-羟基喹啉铝（Alq）和叔丁基联苯基苯基二唑（PBD）交替生长的多层结构薄膜．低角X射线衍射测量表明，样品具有良好的层状结构；光吸收及光致发光测量结果表明，随着PBD层厚度的减薄，激发态能量发生了从PBD向Alq层中转移的现象．     

纳米摩擦学研究进展

阐述了纳米摩擦学的研究方法及其在基础研究、应用研究方面的进展．进而指出了今后纳米摩擦学研究应当重视的若干问题．     

稀土元素修饰双层薄膜的气敏特性

采用PECVD方法制备Fe2O3／SnO2双层气敏薄膜，利用浸渍方法对稀土元素（La，Nd，Sm，Er，Yb）与铝配制的乳浊液进行表面修饰．测试结果表明，修饰后的双层薄膜对乙醇或丙酮具有较高的灵敏度与选择性。     

半经验分子轨道方法计算吸附分子几何构型的可靠性

运用半经验分子轨道AM1方法计算了金刚石（111）面上乙炔吸附分子的几何构型，通过与相似结构的丙烯分子实验参数的比较，分析论证了半经验分子轨道方法用于碳氢化合物吸附分子几何构型计算的可靠性．     

混晶法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜，研究了新制备ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能，并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜进行了对比．测量了它们的Ｘ射线衍射谱、ＰＬ激发光谱和发射光谱以及电致发光器件的ＥＬ光谱，结果表明混晶法制备的薄膜比直接法好，ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜中Ｓ的不足，且避免了在直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发过程中Ｓ气氛对环境的污染．     

复合氧化物SrTiOa-TiO2氧敏材料的研究￣①

将具有氧敏特性的ＳｒＴｉＯ３与ＴｉＯ２复合化，采用电子束蒸发方法，制备了ＳｒＴｉＯｚ－ＴｉＯ２薄膜，研究了其氧敏特性。实验结果表明，复合氧化物ＳｒＴｉＯ３－ＴｉＯ２薄膜的ｎ－ｐ型转换点比ＳｒＴｉＯ３薄膜的ｎ－ｐ型转换点高，氧敏特性有所改善，从而提高了贫燃区氧灵敏度曲线的线性化。