高速沉积的α—Si:H薄膜光致变化的光电导研究

本文研究了高速生长的氢化非晶硅合金(a—Si:H)的光致亚稳变化,即 Stabler-Wrondki(S.W)效应.做了退火态(A 态)和长时间光照后的光浸态(B 态)的光电导温度曲线的测量,并利用一个较合理的缺陷态分布模型对其进行了模拟,从而发现长时间光照的主要结果是引起带隙中悬挂键的增加,带尾态的变化不明显,另外对光电导与光强的关系中的γ因子进行了计算和讨论.     

采用MBDM法获得高性能高分子膜的研究

采用多束动态混合法在３０４不锈钢样品表面成功地制备出ＰＴＦＥ（聚四氟乙烯）和ＰＥＥＫ（聚醚醚酮）混合的高性能高分子复合膜，共结合力约７０Ｎ，耐蚀能力提高２０倍，摩擦系数达到０．０７￣０．１４，比授能吸收剂量在于１０＾６Ｇｙ。     

金属氧化物半导体SnO_x薄膜对NO_x气体敏感性能研究

本文研究了用PECVD方法制备的SnO_∞薄膜对NO_2气体的敏感特性。控制薄膜厚度和化学成份可以获得对NO_2气体的高探测灵敏度和快动态响应。工作温度比体型低得多。此外,本文还阐述了SnO_∞薄膜的敏感机制。     

高温退火Fe3O4薄膜的结构和磁输运性质研究

利用直流反应磁控溅射方法制备了厚度为480nm,不同掺氧量γ的Fe3O4薄膜,再经过480度80分钟的高温退火处理.系统研究了薄膜的微结构和电、磁输运性质,发现随掺氧量增大,薄膜的电阻率从20.6增大到1100mΩcm,磁滞回线和磁电阻曲线表明在磁特性方面高掺氧量薄膜明显优于低掺氧量薄膜,当掺氧量为0.675:50时室温下薄膜有最大磁电阻2.1%.X射线衍射表明所有的Fe3O4薄膜都显示出外延生成倾向,磁电阻随温度变化曲线证实薄膜在低温时经历Verwey转变.综合比较表明掺氧量为0.65:50和O.675:50的薄膜具有最佳的结构和电磁特性.     

（PrGdYb）3—xBi（FeAl）5O12石榴石外延膜及其磁光特性

文中详细讨论了新型磁光材料（PrGdYb)3-xBix(FeAl)5O12单晶薄膜的外延生长法及所得样品的测试数据，样品比法拉第旋转θF－1．6×^4deg/cm，并有较宽的光谱透过区。