磁控溅射工艺参数对Cu薄膜织构的影响

介绍了直流磁控溅射制备Cu薄膜时,溅射功率和玻璃基片温度等工艺参数的变化对薄膜织构的影响.靶材采用质量分数大于99.9%的铜靶,溅射室内真空度低于1.7×10-4,在氩气为保护气体的氛围下制备薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)测试分析了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌的变化.结果表明,随着玻璃基片温度升高,薄膜微观结构呈明显的差异.随着溅射功率的增大,溅射速率增大,薄膜织构减弱;当功率增大到200 W时,速率开始减小,织构开始增强.选择功率40 W、溅射气压0.5 Pa、衬底温度423 K和473 K的工艺参数,可获得表面结构平滑、致密和呈微小晶粒结构的薄膜.     

SBS改性沥青老化后的动态力学性能

为了研究老化对苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)改性沥青动态力学性能的影响,通过1种基质沥青和4种SBS改性沥青的常规试验和动态剪切流变试验(DSR),分析比较了原样沥青、旋转薄膜烘箱(RTFO)老化沥青和压力老化(PAV)沥青的试验结果.研究表明:常规试验难以反映改性和非改性沥青老化后性能的差异;DSR试验则可准确地描述老化作用对改性沥青性能的影响.通过傅立叶转换红外线光谱(FTIR)试验和胶凝渗透色谱法(GPC)试验分析了SBS改性沥青的老化机理,表明SBS改性沥青的老化是由基质沥青的氧化硬化和SBS老化降解共同作用的结果,且DSR试验更能揭示聚合物改性沥青的老化特点.     

掺杂对涂层超导体CeO2缓冲层薄膜临界厚度影响的理论计算

采用第一性原理平面波赝势法计算了稀土元素掺杂超导带材缓冲层CeO2的晶体结构、电子能带、态密度和弹性常数,研究掺杂使CeO2缓冲层临界厚度增加的规律及其机理.在计算范围内,发现掺杂以后的晶胞体积V和弹性常数E^＊的变化主要取决于系统的电子数增加,拟合得到了弹性常数E^＊和系统电子数增量Δne之间的变化关系.分析表明,掺入Sm,Gd和Dy可以使Ce1-xRExO2缓冲层薄膜的临界厚度分别提高22%,43%和33%.     

双源真空蒸发制备CdS／CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池

用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试。在AM1．5,100mW/cm^2的碘钨灯下,对1cm^2的太阳电池测得其最大转换效率为6．2％。     

纳米Si薄膜场发射压力传感器研究

设计研制了一种基于量子隧道效应机制的锥膜一体新结构场发射压力传感器原型器件.测试表明当外加电场为5.6×l05V/m时,器件有效区域发射电流密度可达53.5A/m2,由此可看出低维半导体纳米硅技术有效地引入了微电子和硅微机械加工技术相结合的微机电系统,对提高器件发射效率,改善敏感性能效果是明显的.通过三维实体建模与有限元仿真技术,对器件进行了压力形变计算.结果表明,尖锥体的存在,对敏感弹性薄膜在额定压力作用下的最大挠度影响小于0.4%,锥膜一体结构设计是合理的.     

基体预处理方式对合成类金刚石薄膜的影响

研究了不同的钛基体预处理方式对先驱聚合物合成类金刚石薄膜的影响,结果表明8字形研磨和平行研磨方式处理的基体上都长出了类金刚石薄膜,但是其表面形貌有很大的差别,平行研磨方式处理基体表面所引入的缺陷有利于金刚石相形成：引入中间过渡层镍Ni,可以增强薄膜与不锈钢基体的结合力,有利于金刚石的生成,XRD谱中可以看到弱的金刚石衍射峰;讨论了类金刚石薄膜中金刚石晶体生长的机制。     

21世纪最有前途的材料Ⅱ——纳米材料的制备与应用

主要介绍了二维纳米薄膜、三维纳米晶体材料和纳米复合材料的制备方法。探讨了各种方法的特点与适用性,并展望了纳米材料在催化、光学、电学、磁学,传感器、陶瓷及生物医学等领域的应用前景。     

利用双波长光源测量透明膜的厚度

介绍了用双波长测量透明膜厚度的原理及方法,并人出了实验结果。     

透射式氧化钨基电致变色器件的制作与性能研究

本采用多聚配合物法制备非晶态氧化钨变色薄膜,同时采用半固态电解质初步组装了透射式氧化钨基电致变色器件,并对其着色效率、响应时间等电致变色性能参数进行了测定。     

利用偏振荡膜对露天石质文物进行保护

基于强光照射常常会加剧露天文物风化、胀裂、酸、碱盐腐蚀等化学损害和物理损害,提出了一种利用双层偏振片消光原理,给露天石质文物敷贴偏振薄膜的方法,这样可以减少和避免强烈的阳光对露天石质文物的损害,达到保护文物的目的。