氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响

本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟(a-IWO)薄膜及其薄膜晶体管(TFTs),并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说明溅射过程中氧流量的增加有效抑制了a-IWO沟道层中氧空位的产生,降低了载流子浓度.当溅射过程中氧气/氩气流量比为2∶28时,制备的TFT器件饱和迁移率为27.6cm2·V-1·s-1,阈值电压为-0.5V,电流开关比为108.     

Al2O3／SiNx双层绝缘栅a—Si：H TFT的研究

研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ层双绝缘栅的制作方法，双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低，开态电流上升，获得了１０＾７的开关电流比。     

非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真研究

采用medici软件，对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真，并对器件的不饱和输出电流的产生机理进行了探讨。仿真结果表明，在长沟道器件中，体电流传输机制的改变是产生不饱和输出电流的主要原因；而对短沟道器件而言，则还需要同时考虑DIBL效应的影响。     

多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展

随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上.本研究全面分析了多晶硅材料中晶界带隙能态分布的研究现状及数学模型,这是多晶硅薄膜晶体管建模的基础...     

有源层厚度对酞菁铜薄膜晶体管电学性能的影响

制备了顶接触的薄膜晶体管,实验中采用二氧化硅作为绝缘层,然后再依次真空蒸镀酞菁铜(CuPc)作为晶体管器件的有源层,金作为源漏电极。不同CuPc有机薄膜的厚度分别为15nm、40nm和80nm,制作成三种薄膜晶体管器件。实验证明,当有源层厚度为40nm时,能够获得最大的饱和电流和载流子迁移率。     

有机薄膜晶体管的发展现状、机遇与挑战

 由于有机薄膜晶体管（OTFT）可采用低温低成本印刷工艺按需加工,及其良好的机械柔韧性和不断提升的器件性能,获得了学术界和产业界的密切关注,在包括柔性显示和传感器等诸多领域展现了巨大的应用潜力,但目前OTFT离大规模产业化还存在一定距离。结合市场实际需求,对OTFT现阶段的发展现状、机遇与存在的挑战进行总结。     

基于液晶显示的三视场速示器

提出并实现了一种用于心理学实验的毫秒级三视场速示器，突破了计算机屏幕不能高速切换图像信息的瓶颈．系统由微控制器主控电路、液晶显示模块和上位机控制软件等3个部分组成．微控制器主控单元采用Silicon Lab公司的C8051F020型混合信号微处理器，负责实时控制实验进程；上位机软件负责实验数据的设定和存储．系统的显示和计时精度达到了1ms．     

溶液法制备氧化铝介质层的非晶铟锌氧化物薄膜晶体管

采用旋涂法制备了氧化铝栅介质层薄膜.通过XRD和AFM分析表征了薄膜的结晶性和表面平整性.分光光度计测试表明薄膜在可见光范围的平均透射率大于85%.采用MIM结构研究其漏电流密度,在电场强度为1MV/cm时仅为3×10-9 A/cm2,表明可以用作栅介质层.以旋涂法涂覆的a-IZO薄膜为沟道层、旋涂法涂覆的氧化铝为介质层,制备了底栅结构的氧化物薄膜晶体管.测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强型模式,器件场效应迁移率为1.4cm2/(V·s),电流开关比约为105,阈值电压为2.2V,显示出相对较好的器件性能.     

铋掺杂氧化铟锌薄膜晶体管的研究

采用射频磁控溅射法制备了以非晶铋掺杂氧化铟锌(a-IZBO)为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).相比本征的氧化铟锌薄膜晶体管,a-IZBO-TFTs显示出更低的关态电流,正向偏移的开启电压,表明铋掺杂能有效抑制载流子浓度.在铋掺杂含量为原子百分比8.6%时达到最佳的电学性能:载流子迁移率为7.5cm~2/(V·s),开关比为3×10~8,亚阈值摆幅为0.41V/decade.使用光致发光激发谱和X射线光电子能谱评价了a-IZBO沟道层中的氧空位缺陷,分析结果证实了铋的掺杂确实有效地减少了氧空位,从而抑制了半导体沟道层中的载流子浓度,对a-IZO-TFTs的总体电学性能改善起到较大的作用.