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41.
理论分析了磁光薄膜垂直不均匀静磁场对静磁波以及导波光衍射效率的影响,并以抛物线分布的不均匀磁场为例对Bi:YIG薄膜波导进行了计算,计算表明,在适当分布的不均匀场作用下,与均匀磁场情形相比,波导中传播的静磁波振幅以及导波光的衍射效率都有显著增加。 相似文献
42.
利用射频(RF)磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列GaAs/SiO2半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品,采用岛津光谱仪,对薄膜在200至2000nm波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明,与GaAs夫体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大,而当基片温度达到300℃时,光谱中出现了明显的吸收峰,量子限域效应是导致结果的主要原因。 相似文献
43.
电聚合吡咯膜修饰的葡萄糖氧化酶电极 总被引:1,自引:1,他引:0
自制的铂丝电极经铂化处理后,将葡萄糖氧化酶与单体吡咯用循环伏安法共聚合到电极上,铂化后电极表面积的增大增加了固定的酶量,同时也增大了电极对H2O2的催化能力,使电极对葡萄糖的响应电流增大到7.5mA/(mol·L^-1),还测试了聚合液中酶浓度、pH值和聚合时间等因素对电极特性的影响。 相似文献
44.
以SrS∶Ce和ZnS的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光(TFEL)器件,研究了新法制备的SrS∶Ce膜的光致发光(PL)性能和它的电致发光(EL)器件的电致发光性能,并与直接用SrS∶Ce粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比.结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ZnS的引入弥补了在SrS∶Ce薄膜S的不足,避免了直接用SrS∶Ce材料蒸发而采用的共S蒸发方法中S气氛对环境的污染. 相似文献
45.
本文运用自组装技术用ω-巯基己酸化学修饰金电极形成第一层修饰层,ω-巯基己酸暴露在外表面的羧基活性基团还可在气相条件下进行酰胺化反应键接上乙二胺,从而实现逐层自组装修饰金电极.同时对此修饰电极也进行了电化学表征. 相似文献
46.
47.
前驱体溶液pH值对溶胶凝胶制备钛酸铋薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶凝胶技术在石英玻璃基片上制备钛酸铋薄膜,讨论了前驱体溶液的酸碱度(pH值)对薄膜结构和结晶性的影响.pH<2和pH>35的前驱体溶液所制备的薄膜在晶化过程中出现Bi2Ti2O7和Bi2Ti4O11杂相.pH=25~35的前驱体溶液制备的薄膜是钙钛矿Bi4Ti3O12结构的取向薄膜 相似文献
48.
研究了MnBiAlGe合金薄膜的磁光特性,并着重探讨Ge在合金薄膜中组分变化对磁光特性的影响,得出了当Ge为0.3时,其克尔角可达1.75°,是很有希望的新型磁光材料. 相似文献
49.
高分辨率磁旋转编码器磁鼓材料的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
采用磁浆涂布工艺制作了磁鼓涂层材料.研究了不同组分的配方对磁鼓涂层材料性能的影响,制备出性能良好的磁鼓.对Φ32~40mm的磁鼓进行了充磁测试,写入了128和256对极.采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场,信号通过电路放大、整形后接入示波器和计数器,结果显示输出信号波形良好,计数完整. 相似文献
50.
2,6-二异丙基萘是制备高级聚酯材料PEN和液晶聚合物的原料。用择形催化剂丝光沸石代替传统的Friedel—Crafts催化剂,在高压釜中以萘和丙烯为原料经异丙基化反应合成了2,6-DIPN。采用浸渍法用少量镁盐修饰水汽脱铝氢型丝光沸石(SDHM),减少了SDHM外表面的强B酸中心和非择形产物的生成,从而使2,6-DIPN的择形率提高到71%。2,6-DIPN/2,7-DIPN摩尔比达到2.89,有利于2,6-DIPN的分离提纯。 相似文献