高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的，以标准CMOS工艺为基础，无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理，相应提出了高压器件中所做出的改进，列举了该工艺技术中所用的特殊版图；对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟；将模拟结果与实际测试结果进行了比较，验证了这种高压工艺技术的实用性。     

蒸球球内温度分布及测量的研究

对蒸球球内温度分布进行了详细的分析，提出采用中通管测量球内温度并通过计算机对测量值进行校正的方法，实践说明了该方法效果良好，为采用Ｈ－因子数学模型控制蒸煮过程提供了更合理的手段。     

连续挤压D97多孔扁管组织性能的研究

就汽车空调器用Ｄ９７铝合金多孔扁管连续挤压（Ｃｏｎｆｏｒｍ）的工艺参数对机械性能的影响，以及其耐蚀性进行了研究。结果表明，Ｄ９７的耐蚀性比纯铝的高，加入细化剂可提高塑性和耐蚀性，Ｄ９７可望成为制造多孔扁管的材料。     

30例前牙外伤露髓一次性美容修复

目的 探讨前牙外伤露髓一次性美容修复方法的可行性。方法：对门诊就诊的30例48颗前牙外伤露髓采用一次性根管治疗、根管钉固位，复合树脂堆核或断冠再结美容修复。结果：优44牙。良4牙。结论：前牙外伤露髓在保证一次性根充的前提下，一次性美容修复方法是完全可行的。     

在Triton X—100存在下,用2-(5-溴-2-吡啶偶氮)-5-二乙胺基苯酚(5-Br-PADAP)分光光度测定方钍石中的钍

方钍石是钍来源的重要含钍矿物。目前测定钍的含量的方法较多,虽有用5-Br-PADAP测定钍的方法的报导,但未见有在triton X-100存在下,用5-Br-PADAP直接测定方钍石中钍的含量的报导。Triton X-100的存在,使测定的酸度增加,从而增加干扰元素的干扰比;并且增加了络合物的稳定时间。本文采用5-Br-PADAP作显色剂,在氯乙酸-氯乙酸钠缓冲体系中用triton X-100表面活性剂胶束增溶分光光度测定方钍石(人工样品)中钍的含量,获得较满意的结果。在25毫升中,钍的比耳定律范围在0～20微克,摩尔吸光系数为5.2×10~4升·摩尔~(-1)·厘米~(-1),Sandell灵敏度为0.0045微克钍(IV)/厘米~2。我们对两种含量的方钍石人工样品进行了测试,结果良好,回收率在97.3～101.4％之间,此方法可靠,精密度较高,误差符合微量组分的测定要求,我们对样品测定结果表示满意。     

在不同维数下用麦克斯韦分布律求平均速率、方均根速率和最概然速率

用麦克斯韦分布律讨论了气体分子分别作三维、二维和一维运动时的速率分布函数，并求出了这三种情况下气体分子的平均速率、方均根速率和最概然速率。