苯甲酸4,4'联吡啶铕镧配合物的合成及荧光光谱研究

合成了以苯甲酸和4,4'-联吡啶为配体,铕和镧为中心离子的超分子配合物.在波长为288 nm紫外光激发下,测定了配合物的荧光光谱.结果表明,苯甲酸铕(EuL3,L=C6H5COO-)具有较强的荧光,用4,4'-联吡啶连结铕配合物和镧配合物(LaL3),形成超分子配合物(EuLaL6L',L'=4,4'-联吡啶)后,其荧光强度可数倍增加.     

焦磷酸锶镁：锡荧光体的发光特性

用高温固相反应法合成了（Ｓｒ１－ ｘ Ｍｇｘ ）２ Ｐ２Ｏ７ ∶Ｓｎ（３．３×１０－ ２ ）和（Ｓｒ０．９Ｍｇ０．１ ）２ Ｐ２Ｏ７ ∶ｘＳｎ两个体系系列样品,在紫外线激发下,详细地测量了它们的发射光谱,讨论了Ｍｇ 含量对（Ｓｒ１－ ｘ Ｍｇｘ ）２Ｐ２Ｏ７ ∶Ｓｎ 和Ｓｎ 含量对（Ｓｒ０．９ Ｍｇ０．１ ）２Ｐ２ Ｏ７ ∶ｘＳｎ 体系发光性能的影响,认为（Ｓｒ０．９Ｍｇ０．１ ）２Ｐ２Ｏ７ 是Ｓｎ２＋ 较好的一种基质材料．     

纤维素醚/Eu(Ⅲ)/羧酸配合物的结构及荧光性能

制备了一系列发光纤维素醚／Ｅｕ（Ⅲ）／羧酸三元配合物,并用傅立叶红外光谱测试了它们的结构,讨论了这些三元配合物的结构与发光性能之间的关系。结果表明,所加入的小分子羧酸均参与了与Ｅｕ＾３＋的配位,三元配合物的发光性能不仅与纤维素醚的性质有关,还与小分子羧酸的结构及小分子羧酸与Ｅｕ＾３＋的杨位能力有关。     

柱前衍生氨基酸的色谱分析

对氨基酸的反相高效液相色谱的双荧光检测了作了介绍。采用邻苯二甲醛／巯基乙醇与９－芴基氯甲酸酯柱前衍生物,同时采用两台串联的荧光检测器对伯氨基酸和仲氨基酸进行分析;利用高半胱氨酸、高丝氨酸、正缬氨酸（ＮＶＡＬ）,硫代脯氨酸（ＴＰＲＯ）四种内标消降了系统误差。同时,由样品各组分保留时间重现性的相对误差及标准氨基酸衍生物的回收率实验来确定该方法的准确性。结果表明：此检测氨基酸方法灵敏度高,检出高且重现性     

压电传感材料与结构的变形传递模型

对结构材料与压电陶瓷传感器的应力应变传递关系进行了研究。根据剪应力滞后分析,提出了一种专门针对此智能材料的三层应力模型,得到了结构材料与传感器之间的应变传递因子,并通过计算机仿真实验,分析了粘接层和压电性质对应变传递应子的影响。     

激光诱导荧光强度与被测样品温度的关系

研究一种应用较广的油的激光诱导荧光强度（ＬＩＦ）与其本身温度之间的关系。用输出波长为３５５ｎｍ的三倍频Ｎｄ：ＹＡＧ激光器做发光源,用多通道光谱分析仪妆收探测。用ＪＫＹ－１型控温仪水浴的方法控制没的温度,测量不同温度下油的激光诱导荧光强度,从量物理和荧光产生的机理入手对实验进行理论分析,结果表明,在发射光谱稳定不变的民政部下,荧光强度随温度的升高耐减弱。     

染料包覆纳米银粒子复合膜的荧光猝灭效应

将染料包覆的纳米银粒子掺入明胶基质中,利用Sol-Gel法制备出染料包覆纳米银粒子的复合膜,电镜（TEM）测量了该复合膜中银粒子尺寸大小及形成,发现银粒子有较大的链结和团簇,且由纳米粒子构成,通过对复合膜的荧光光谱测量发现,与纯Ph6G染料溶液相比,在用罗丹明6G（Rh6G)包覆银粒子的复合膜中,Rh6G分子的荧光猝灭约有92％,从理论上对这种现象给予分析和解释。     

氢化碳膜的胺掺杂及其对甲酸蒸气的质量传感特性

通过将其他元素或原子基团掺入氢化非晶碳膜网结构中的方法,可以实现对α－Ｃ：Ｈ薄膜的改性,赋予α－Ｃ：Ｈ膜新的特性,从而满足某些特殊应用的需要,用含胺基的碳氢化合物正丁胺作为碳源,用等离子体增强化学气相沉积方法制备α－Ｃ：Ｈ膜．薄膜的红外光分析表明胺基团已掺入薄膜的网络结构中,喇曼光谱分析表明薄膜具有无序态碳、三配位碳和四配位碳原子的混合结构,但主要成份为无序态碳,将掺胺的α－Ｃ：Ｈ薄膜作为质量传     

1,8-萘酰亚胺类荧光染料的合成及其荧光性质的研究

以苊为原料经硝化,氧化,还原,缩合等步骤合成了４－氨基－Ｎ－苯基－１,８－萘酰亚胺和４－氨基－Ｎ－乙基－１,８－萘酰亚胺两种荧光染料,改进了还原工艺,并讨论了影响反应的因素;同时,进行普测定,讨论了激发光谱中各个激发峰的归属问题。     

掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构

本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5 超晶格的界面结构