基于荧光标记双向筛选的拟南芥CRISPR基因编辑突变体库构建

突变体库是研究基因功能的重要工具。拟南芥种质资源库(ABRC)储藏了几乎涵盖所有基因的突变体材料,其中T-DNA插入突变体占绝大多数。然而,当在T-DNA插入突变体中进行遗传转化或与其他转基因报告系统进行杂交时容易引起转基因沉默,阻碍了相关研究的开展,甚至产生错误结论。甲基磺酸乙酯(Ethyl Methane Sulfonate, EMS)诱变和快中子诱变技术可获得非转基因突变体,但这两种方法均为随机诱变技术,需要通过基因定位来确认突变位点,无法实现基因靶向敲除。CRISPR/Cas9可以对目的基因进行靶向编辑,获得不携带转基因的突变体。拟南芥中尚无利用CRISPR/Cas9进行高通量突变体库构建的报道。本研究共设计900条sgRNAs靶向300个RNA通路相关基因,通过合成sgRNA混池文库、引入DsRed2荧光筛选标记、将DNA条形码和二代测序技术相结合,实现了对转基因阳性苗的高通量鉴定和分型,并对T2代具有发育缺陷的无荧光植株进行负向筛选,成功鉴定到了不含转基因的smd3-b和rlua4突变体。     

用于智能材料与结构的NiTi丝的电阻特性研究

研究了拉伸过程中,ＮｉＴｉ形状记忆合金丝的应变与电阻的关系．结果表明,对于初始组织为马氏体的ＮｉＴｉ丝,在拉伸过程中,电阻与应变之间成线性关系．对于初始组织为奥氏体或奥氏马氏体两者混合的ＮｉＴｉ丝,当发生应力诱发马氏体相变后,曲线的斜率降低,相变前后电阻－应变保持线性关系．对于初始组织含有Ｒ相组织的ＮｉＴｉ丝,在拉伸过程中,电阻的变化规律较为复杂,取决于初始组织中各相的比例和温度．在卸载阶段,当没有相变过程发生时,电阻－应变之间呈线性关系;当有相变过程发生时,电阻－应变曲线的斜率会发生改变．     

极化取向对PMMA—DR1荧光寿命的影响

测量了掺杂型ＰＭＭＡ－ＤＲ１聚合物中偶氮基团分子在不同掺杂浓度,及其在极化与非极化状态下的荧光特性,对此荧光特性进了理论分析和解释,研究了生色团分子在聚合物中相互作用的内在规律性。     

测定草珊瑚中硒含量的方法研究

该文研究用萃取,荧光法、萃取－光度法、原子吸收光谱法分别测定草珊瑚中硒的含量。三种方法的测定结果较相近,均有较好的准确性和精密,方法简单易行。     

高分辨率磁旋转编码器磁鼓材料的研制

采用磁浆涂布工艺制作了磁鼓涂层材料.研究了不同组分的配方对磁鼓涂层材料性能的影响,制备出性能良好的磁鼓.对Φ32～40mm的磁鼓进行了充磁测试,写入了128和256对极.采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场,信号通过电路放大、整形后接入示波器和计数器,结果显示输出信号波形良好,计数完整.     

金属离子和变性条件对野花生豆凝集素活性和构象的影响

野花生豆凝集素在pH7．0和pH5．0缓冲体系中，用EDTA去除其金属离子，CML凝血活性下降．Ca^2 、Mg^2 、Mn^2 、Zn^2 可使去除金属离子CML活性基本恢复到天然水平，表明这些二价金属离子为CML活性所必需．研究不同温度和不同浓度盐酸胍条件下CML的圆二色谱、荧光光谱及其凝血活性的变化，结果表明CML含有较多β-折叠，具有较强的抗变性能力；脲变性的时间扫描荧光光谱证实了CML变性过程的阶段性。     

三价铕掺杂的聚酰亚胺纳米复合物的制备

将荧光性能优异的Eu(acac)3(络合物A)与EDTA双酐掺杂在4,4 二氨基二苯甲烷形成的聚酰亚胺(PI)中制备了发光纳米复合材料.荧光测定结果表明,材料荧光强度随Eu3 掺杂浓度的增加而增大;从透射电镜照片观察到络合物A在含PI溶液中是以粒径介于100～200nm的纳米球存在,而且可以明显看到每个小球都被PI包覆,厚度大约为6nm,形成了核壳结构.     

溶剂效应对中氮茚荧光性质的影响

合成了一系列中氮茚化合物，比较了它们在不同有机溶剂中紫外光谱和荧光光谱的变化情况，探索了化合物的微观结构与其光学性能之间的某些关系，结果表明溶剂极性对该类化合物吸收光谱的影响不明显，但对化合物的Stokes位移、荧光强度以及荧光量子效率的影响都较大，中氮茚化合物分子的荧光特性首先取决于它自身的分子结构，特别是各种能增强系间穿越过程的取代基的存在，而外界因素，如介质，温度、压力、浓度、酸度等对试剂荧光特性也有很大影响．     

微量锰的分析方法研究进展

对微量锰的分析方法进行了综述，包括原子吸收法、分光光度法、示波极谱法、微分电位溶出法、化学发光法、荧光分析法、高效液相色谱法和催化光度法，分析比较了各种方法的特点以及在食品、冶金、环保等领域的应用．     

矿物的荧光性

文章介绍了矿物发光机理的基本概念以及在生活上的应用，分析、研究了不同产地的同种天然萤石光致荧光光谱特性，给出天然萤石荧光机理。