稀土钕-苯甲酰甘氨酸二元、三元配合物的合成、表征及抗菌活性研究

在无水乙醇中,以苯甲酰甘氨酸(C9H9NO3,Benzoyl-gly)为配体,稀土钕为中心体,合成了一种稀土二元配合物,分别以咪唑(C3H4N2,Im)或苯并咪唑(C7H6N2,Bim)为第二配体,合成了两种新型稀土三元配合物.通过元素分析、红外光谱、紫外光谱和TG-DTG分析,确定了配合物的化学组成分别为:Nd(C9H8NO3)3·4H2O,Nd(C9H8NO3)3·(C3H4N2)·4H2O,Nd(C9H8NO3)3·(C7H6N2)·4H2O.通过抗菌实验对其抑菌效果进行了研究.结果表明,稀土配合物对苏云金芽孢杆菌(Bacillus thuringiensis,Bt)、大肠杆菌(Escherichia coli,E.coli)、金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aureaus,S.aureus)、枯草芽孢杆菌(Bacillus subtilis,Bs)有不同程度的抑制作用;抗菌效果明显优于硝酸钕和配体.通过三维荧光光谱对配合物的发光性能进行了研究.结果表明,配合物的荧光均源自配体,并且发生了淬灭现象.     

四苯基卟啉衍生物的拉曼光谱

介绍四苯基卟啉（TPP）及其中位取代氨基和硝基的拉曼光谱, 并讨论了给电子和吸电子取代基团对卟啉骨架振动的影响, 得出该取代对卟啉C_a—C_m和C_b—C_b的伸缩振动规律, 与四苯基卟啉相比, 引入给电子基团（氨基）使C_a—C_m向高波数方向移动, 吸电子（硝基）使C_a—C_m向低波数方向移动.      

聚芳硫醚酰胺类树脂的合成及表征

采用先合成含硫醚键的单体, 后进行低温溶液缩聚的方法, 合成高分子量的新型聚芳硫醚酰胺类树脂-聚芳硫醚砜酰胺（PASSA）和聚芳硫醚酮酰胺（PASKA）, 其特性粘数分别为0.72 dL/g（NMP为溶剂）和0.62 dL/g（浓硫酸为溶剂）, 并对单体及聚合物进行结构与性能表征. 通过热分析得出聚合物PASSA和PASKA的玻璃化温度分别为279.9 ℃和188.7 ℃, 热分解温度分别为461.5 ℃和467.08 ℃, 表明PASSA和PASKA具有优良的热性能; 溶解性实验表明, PASSA和PASKA是一种耐化学腐蚀性的树脂.     

N-苯基马来酰亚胺、苯乙烯和马来酸酐三元共聚及热分解动力学

合成了N-苯基马来酰亚胺、苯乙烯和马来酸酐三元共聚物,采用红外光谱法对其结构进行了表征,并利用TG,DTG和DSC热分析技术对该共聚物的耐热性能及热分解动力学进行了分析,探讨了其热分解机理.结果表明:该共聚物的热分解受单机理控制,初始热分解温度为637K;683K后热分解速率迅速增大,703K时达到最大,在761K时分解基本结束;共聚物在氮气中失重20%和50%时的温度分别为679K和700K,玻璃化转变温度为485 K;根据K issinger法求得非等温条件下共聚物热分解的表观活化能为173.21 kJ/mol,指前因子为3.293 9×1012m in-1,由Crane法求得其反应级数为0.94.     

2-苯基-1,3-苯并唑衍生物分子的非线性光学性质

2-苯基-1,3-苯并唑分子为母体,设计了一系列取代衍生物,研究了不同取代基,不同取代位置对分子电子结构及分子的非线性光学性质的影响。研究结果表明取代位置对分子的一阶极化率影响不太,对分子的二阶、三阶极化率影响较大,目标分子的二阶极化率与分子的(μe-μg)/ΔE2有较好的相关性。在母体分子的7、8位连接-NO2,13位连接-NH2得到的分子其分子的二阶极化率最大,而在7、8位连接-NH2,13位连接-NO2得到的分子具有最大的三阶极化率。     

1-(4-溴苯基)-5-苯基-2,4-戊二烯-1-酮的二阶非线性光学性质研究

合成了二阶非线性光学材料1-(4-溴苯基)-5-苯基-2,4-戊二烯-1-酮(BPDDO),通过测试发现BPDDO具有良好的SHG响应和较好的透光性。优化了分子的二阶非线性光学系数／透光性之比．通过从头算的方法研究了分子的β值,得知分子母体1,5-二苯基．2,4．戊二烯-1酮中较大的共轭链导致了较大的分子的β值,而羰基切断了共轭链,可以有效的优化材料的透光性。     

溶剂对二(2-苯基-8-羟基喹啉)锌的荧光性质的影响

研究了几种溶剂对二(2-苯基-8-羟基-喹啉)锌荧光性质的影响．对二(2-苯基-8-羟基-喹啉)锌在不同溶剂中的激发光谱和发射光谱的研究表明：在不同溶剂中二(2-苯基-8-羟基-喹啉)锌的荧光性质不同．     

微波辐射合成甘氨酸

将微波辐射干反应技术和相转移催化相结合，快速合成了甘氨酸，考察了影响反应率的因素，最佳反应条件为：ＰＴＣ为ＴＢＡＢ，微波辐射时间１．５ｍｉｎ，功率２４０Ｗ，产率９１％。     

卟啉修饰电极的制备及金属离子的电位溶出行为

目的 :将修饰电极应用于电位溶出分析 .方法 :采用化学吸附法制备出meso -四 (对 -乙基苯基 )卟啉和meso -四 (对 -甲氧基苯基 )卟啉修饰玻碳电极 .研究Zn(Ⅱ ) ,Cu(Ⅱ ) ,Cd(Ⅱ )和Pb(Ⅱ )金属离子在该电极上的电位溶出行为 ,并与预镀汞膜玻碳电极、玻碳电极的电位溶出行为进行了比较 .结果 :溶出时间 (τ)与金属离子浓度均有良好的线性关系 ,最适宜分析的浓度范围是Zn(Ⅱ ) :1× 10 - 7～ 5× 10 - 5mol/L ;Cd(Ⅱ )和Pb(Ⅱ ) :6× 10 - 7～ 5× 10 - 5mol/L ;Cu(Ⅱ ) :5× 10 - 8～2× 10 - 5mol/L .微分电位溶出分析时灵敏度提高一个数量级 ,相对标准偏差为 0 .90 %～ 2 .3% (n=15) .结论 :使用卟啉修饰电极进行电位溶出分析可获得好的重现性和满意的灵敏度     

N,N’-双(2-羟基苯基)草酸二酰胺配合物的合成与表征

合成了N，Ｎ’－双（２－羟基苯基）草酸二酰胺（简写Ｈ４ｈｐｏｘ）与过渡金属的几种单核、双核及异核配合物，用元素分析、红外、摩尔电导等对配合物进行了表征。结果表明，N，N’－双（２－羟基苯基）草酸二酰胺可与过渡金属离子形成单核、双核及异核等类型的配合物。