论排球击球过程中的"人-球-网"关系

采用献资料法、观察法等研究方法，论述了排球击球过程中“人-球-网”关系的内涵；阐述了调节“人-球-网”关系的专门化知觉；提出了击球时正确处理好“人-球-网”关系的具体训练措施和方法．     

重组人巨细胞病毒(HCMV)嵌合肽在毕赤酵母中的表达

目的：在巴期德毕赤酵母中表达人巨细胞病毒gp52C末端和pp150C末端串联片段的嵌合肽，方法：用SacI和BglⅡ分别酶切CMVp-pPIC9K重组质粒，电打孔法导入毕赤酵母GS115后，在缺组氨酸的MD板上筛选出转化子，然后根据甲醇利用快速型（Mut^ ）和甲醇利用缓慢型(Mut^s）菌株的不同生长特点，筛选出Mut^ 和Mut^s型转化子，用PCR法进一步鉴定阳性克隆，分别用甲醇诱导Mut^ 和Mut^s型转化子表达目的蛋白4d，取培养产物冻干浓缩，进行SDS-PAGE和Western blotting，筛选出能特异表达目的的蛋白的菌株，分析蛋白的含量及纯度。结果：重组人巨细胞病毒可在甲醇利用快速型毕赤酵母中有效表达，其表达量约占培养上清分泌蛋白的76.5%，结论：重组人巨细胞病毒（HCMV）嵌合肽可在真核细胞毕赤酵母中成功表达。     

人正常子宫内膜树突状细胞的周期性变化

目的：研究人正常子宫内膜上树突状细胞(dendritic cell，DC)的分布特点。方法：对10例人正常子宫内膜组织应用HLA-DR单克隆抗体和CD1a蛋白抗体进行免疫组化染色，其中增殖期内膜4例、分泌期内膜3例、绝经期内膜3例，观察其中的阳性细胞。结果：10例正常子宫内膜标本中，5例呈HLA-DR阳性表达(增殖期4例，分泌期1例，绝经期0例)；4例呈CD1a阳性表达(增殖期3例，分泌期1例，绝经期0例)。结论：人正常子宫内膜组织中存在表达主要组织相容性复合体-Ⅱ(MHC-Ⅱ)类分子的DC，各时期的子宫内膜DC检出率不同。     

含椭圆缺陷电致伸缩材料的应力分析

指出以往某些文献中引入的体积力以及本构方程不妥, 重新讨论了在电学绝缘条件下的无限大体中含椭圆孔洞的全场应力解. 利用PMN材料常数得出在狭长椭圆缺陷端部附近为纯拉应力场.     

一类新的液晶性芳香羧酸化合物的合成

合成了一系列新的液晶性芳香羧酸化合物，化合物的结构通过元素分析、红外光谱、核磁共振波谱和质谱等方法确证。化合物5的液晶行为用示差扫描量热法(DSC)和偏光显微镜(POM)表征。发现化合物5加热至各自的熔点以上都能形成液晶态，在液晶态可以观察到向列相的丝状织构和纹影织构，随分子中末端烷氧基碳原子数增加，化合物5的熔点(Tm)和液晶态的清亮点(Ti)呈规律性变化，液晶态温度范围变宽。     

取向多晶Fe-Ga合金结构与磁致伸缩应变研究

采用定向凝固的方法实验研究了取向多晶Fe-Ga合金的磁致伸缩性能.发现〈110〉轴向取向的Fe-Ga合金具有较大的磁致伸缩应变.在零预压力下,其饱和磁致伸缩应变λs为188×10-6;在20 MPa预压力下,λs可以达到286×10,具有明显的压力效应.还观察到在大的预压力(＞15 MPa)作用下,在低磁场范围出现负磁致伸缩应变现象.     

K-M模型下的人全血对He-Ne激光的散射与吸收特性

研究了人全血对He—Ne激光的反射和透射传输特性．实验采用单积分球系统及波长为632.8nm的He—Ne激光器，采用Kubelka—Munk模型分析和计算了不同血液样品的吸收系数、散射系数及总光强I(x)随厚度的变化情况.结果表明：K—M模型结合单积分球系统的测量方法可用于研究血液样品光学参数，不同类型的血液样品在K—M模型下的吸收系数或散射系数有差别，散射系数的差异较小，有3例胃癌患者血液的吸收系数与正常人有较大差异。     

浅谈人的全面自由发展

自由是对必然的认识和对客观世界的改造,它是一个历史发展的过程,没有绝对的自由。马克思主义人的全面自由发展理论不是空想,而有直接的现实意义。     

抗HBsAg单链抗体的等电点测定和结构模拟

应用实验生物学和计算生物学方法对重组人源抗HBsAg单链抗体(HBscFv)的部分理化性质和空间结构进行分析．首先应用蛋白质分析软件包Antheprot预测HBscFv等电点，然后等电聚焦测定HBscFv等电点，在此基础上，用神经网络法预测HBscFv二级结构，然后用同源建模的方法，获得HBscFv三级结构．结果发现，HBscFv等电点理论值为8．51，实验值为7．3～8．1；PHDsec结果表明，HBscFv是一种全β蛋白质；三级结构建模表明，HBscFv的VH结构域由9个片层组成，VL结构域由8个片层组成；由于单链抗体的特殊性，三级结构建模无法给出VH与VL结构域之间进一步折叠后形成的结构。     

纳米软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应

自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。