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91.
《西北大学学报(自然科学版)》2017,(5):724-738
基于岩心观察和系统的微观岩石学和结构学特征研究,探究了英西地区渐新统的储集层特征、油气富集模式及稳产、高产主控因素:(1)目的层岩性以湖相碳酸盐岩为主,可分为盐间和盐下两套地层,盐间广泛发育厚盐层,以石盐为主,盐下零星发育薄盐层,以硬石膏为主;(2)咸化条件下沉积的这套细粒的湖相碳酸盐岩,既是品质最好的烃源岩,又发育白云岩"甜点"储集层,具有自生自储特征(上部盐层因具有很高的毛管突破压力和塑性特征而具有很强的封盖能力,且盐下应力集中造缝),其多因素的良好匹配形成了盐下油气规模富集的有利区;(3)基质晶间孔的发育程度控制着油气藏的规模和稳产,微裂缝的发育程度控制着油气藏的富集和高产。这一研究成果对深入研究英西E_3~2盐下油气的分布规律和下一步勘探部署具有重要的指导意义。 相似文献
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本论述对原位晶化工艺制备全白土型FCC催化剂的特点和兰州石化公司原位晶化催化剂的技术进展和应用进行综述。总结了兰州石化催化剂厂全白土装置多年来对生产过程认识程度的不断加深、生产工艺的不断完善、技术经济指标的不断优化,对提高我国催化剂生产装置的建设水平具有重要意义。 相似文献
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国防军工与航天领域的防护结构要求材料能经受住弹体或空间碎片的高速撞击,包括处于极低温环境.高熵合金因其特殊的化学结构与优异的综合力学性能,成为新型装甲防护材料研究的新范式.本文通过弹丸高速撞击高熵合金靶板的响应分析,提出了一种通过室温和低温高速冲击制备大梯度纳米晶和纳米孪晶混合结构高熵合金的新方法,并研究了该梯度纳米结构高熵合金的拉伸力学性能以及变形机理.结果表明,大梯度纳米结构从冲击端到自由面,微结构过渡主要为:纳米晶-纳米晶带-高密度纳米孪晶带/高密度位错带/点阵旋转带-稀疏纳米孪晶带/高密度位错带/点阵旋转带-高密度位错-稀疏位错.单纯纳米晶和纳米孪晶混合结构的梯度层厚度达到4 mm,远超传统手段制备的梯度层厚度(小于500μm).相比初态样品,大梯度纳米结构高熵合金的强度提升明显,最高提升390%,塑性仍保持在较大范围内:21%~62%.这得益于大梯度样品“软区”和“硬区”共存,除了较大背应力提供额外强化外,软硬组织弹塑性变形的不同步和断裂发生的不同步也会额外提高力学性能.本研究不仅可为开发块体大梯度纳米结构材料提供新方法,也可为理解高熵合金的抗弹行为并指导装甲防护材料设计提供... 相似文献
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结合河南中原黄金冶炼厂用氨法制备氧化铁红存在的问题,研究了水中钙离子、镁离子和锌离子对氨法制备氧化铁红晶种的影响.结果表明,三种离子都对晶种制备过程有影响,但影响的程度不同.三种离子的质量浓度影响晶种制备效果的上限分别为锌离子0.04 g·L-1、镁离子0.25 g·L-1和钙离子0.1 g·L-1.在水中添加氨水按时进行沉淀可以有效地消除钙离子、镁离子的影响. 相似文献
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聚丙烯的改性在其实际生产应用中有重要作用.在聚丙烯中添加成核剂可以改善聚丙烯的物理机械性能,达到聚丙烯改性的目的.介绍了聚丙烯成核剂的作用机理,以及聚丙烯的α晶成核剂和β晶成核剂的特点、作用效果及对聚丙烯性能的影响. 相似文献
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研究Ce-Ca、Ce-Mg微合金化低合金钢大线能量焊接热影响粗晶区(CGHAZ)的力学性能、组织结构及夹杂物成分与形态.结果表明,Ce-Ca微合金化钢CGHAZ的力学性能优于Ce-Mg微合金化钢CGHAZ的力学性能; Ce-Ca微合金化钢CGHAZ中Ce、Ca的氧硫复合化合物夹杂物主要呈球状,Ce-Mg微合金化钢CGHAZ中Ce、Mg的氧硫复合化合物夹杂物主要呈扁条状;氧硫化物与奥氏体基体之间弹性模量和热膨胀系数差别大;氧硫化物近旁产生应变场是晶内针状铁素体(IAF)形成的主要控制因素. 相似文献
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本文主要以马钢2#连铸机生产的冷镦钢为研究对象,通过工业实验,分析低倍组织,得到提高等轴晶比率的工艺优化参数。实验结果表明,一次冷却水流量减小了25%,等轴晶率提高了14%;二冷强度减小了18%,等轴晶率提高了22%;增加电磁搅拌强度,减小搅拌频率,提高了等轴晶率,电流为500A,频率为3Hz时等轴晶率达到21%;钢中Als从0.03%增加到0.06%,等轴晶率从0增加为18%。 相似文献
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基于单离子模型,通过对Nd3+磁晶各向异性哈密顿数值的求解,研究了温度趋于0 K时,Nd3+离子稳定能与晶场参数及磁交换作用的关系.结果表明,对于强磁物质(如NdCo5,Nd2Co17,Nd2Fe14B等),Nd3+贡献的稳定能与晶场参数B20近似成正比,而对磁交换作用的变化不敏感. 相似文献
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采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品. 通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小. 当退火温度达到 700 ℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱. 采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质. 薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的 相似文献