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31.
Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。 相似文献
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研究了点群10mm十次对称二维准晶平面弹性问题的复变函数解法. 首先将二维准晶平面弹性问题的位移势函数F用4个解析函数表示出来, 利用解析函数的性质, 经过大量的推导, 给出了准晶声子场和相位子场的位移、应力及边界条件的复变函数表示, 从而建立了点群10mm十次对称二维准晶平面弹性问题的复变解法的理论基础. 应用这一理论, 借助于复变函数中的保角变换, 解决了椭圆孔口问题. 当椭圆的短半轴趋于零时, 可得裂纹问题的解.计算结果表明, 当声子场-相位子场耦合时, 即使受自平衡力的作用, 对椭圆孔口问题, 声子场应力仍与材料常数有关, 这一性质表现出了准晶弹性与经典弹性的又一不同. 而当声子场-相位子场解耦时, 退化为经典弹性理论.另一方面, 本文是Muskhelishvili创立的经典弹性理论的复变解法在二维准晶平面弹性问题中的推广, 像经典弹性理论一样, 只要能找到点群10mm十次对称二维准晶平面弹性区域到单位圆的保角变换, 就可解决各种孔口和裂纹问题. 相似文献
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34.
K2PtCl6/PVP体系四面体形状纳米铂的控制合成 总被引:2,自引:1,他引:2
以适量聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为保护剂, 用H2还原K2PtCl6水溶液高选择性(>80%)地合成了四面体形状的纳米铂晶粒(3~8 nm). 采用透射电子显微镜(TEM)和紫外可见光谱仪(UV-Vis)研究了合成体系四面体形状纳米铂晶粒的合成过程. 合成体系纳米铂胶体吸收光谱数据表明, 纳米铂晶粒的生成经历了由快到慢的转变过程. TEM数据表明, 绝大多数四面体形状纳米铂晶粒不是在成核和快速生长阶段, 而是在小晶粒(<3 nm)的缓慢生长阶段生成. 这些结果说明纳米铂的四面体形状很可能是通过晶粒生长中的表面晶面淘汰形成的. 相似文献
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36.
通过对表层纳米化铝合金材料显微组织的观测, 从实验(压缩实验和纳米压痕实验)和理论两方面研究了该材料的微尺度力学行为. 在实验方面, 测量了压缩应力应变曲线和硬度-压入深度曲线; 针对压缩和压痕两种实验特征, 采用微结构构元模型和应变梯度理论, 对该材料的压缩应力应变曲线和硬度曲线进行了预测和模拟; 进而确定出相关的材料参量及模型参量. 相似文献
37.
通过测试不同晶化时间条件下热处理后微晶玻璃收缩率、体密度的变化 ,研究晶化时间对微晶玻璃热处理时表观性能的影响 .采用X射线衍射、环境扫描电镜对不同晶化时间下微晶玻璃中晶相和晶相显微形貌的变化进行分析探讨 . 相似文献
38.
自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。 相似文献
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采用Ar^+离子溅射方法将300nm SnO2薄膜沉积在Si片上,分别对膜层进行60keV,5×10^16cm^-2Mg^+离子注入和100kdV,6×10^16cm^-1Nb^+离子注入,对未注入,Mg^+离子注入,Nb^+离子注入3种薄膜进行500℃,4h退火处理. 相似文献
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