Al_2O_3短纤维增强Al－Si合金复合材料的界面研究

本文采用电子探针和扫描电镜分析Ａｌ_２Ｏ_（３ｔ）／Ａｌ－Ｓｉ合金复合材料的界面和拉伸断口形貌，发现界面处有Ｍｇ富集；Ａｌ－Ｓｉ合金很好地润湿Ａｌ_２Ｏ_３纤维，并形成共格、半共格混合界面，提高了界面结合强度；纤维被剪切断裂，无拔出现象。用俄歇电子能谱仪对界面作深入研究，表明界面与基体的硅和铝的峰形发生了变化，证明峰形的变异是由形成共格、半共格混合界面引起的。     

LiNbO3晶体小面生长动力学的实验研究

按同成分配比的ＬｉＮｂＯ３的原料中，掺入溶质钇，用提拉法生长晶体时，人为地引入生长层，生长层记录了不同时刻的生长界面形态，借以追溯生长过程中固－液界面的形态和演变过程。晶体沿Ｙ轴生长，ＬｉＮｂＯ３晶体形成小面的｛０１１２｝面族中的（０１１２）面与生长轴的夹角最小，它与凸的固－液界面相切时，形成小面生长区。利用“倾倒法”使晶体和熔体快速分离，在晶体底部观察到平坦的（０１１２）面小面生长区。通过不同的晶体截面，观察了晶体内（０１１２）面小面生长区的形态。测量了小面半径与相应的固－液界面的曲率半径。结果表明：小面半径的平方与相应的固－液界面的曲面的曲率半径成比例，这一结果与小面生长的动力学理论预言的结论相一致。最后讨论了小面生长机制，计算了小面生长比非小面生长所需要增加的过冷度。     

银基体对Bi2223厚膜生长的影响

为了提高超导材料的临界电流密度,实现高T_c超导材料的强电应用,人们通过改变样品制备工艺已获得了具有高度C-轴取向的织构样品.对Bi系来说,使用银包套的方法取得了良好的效果,Li等人制出了77K,零场下J_c高达6.9×10~4A/cm~2的样品,在提高临界电流密度过程中,人们着重于研究中间冷压、热压以及烧结工艺过程等,期望获得更好的织构度、更高的致密度、微裂纹少、孔隙率低的样品.虽然银层对超导微结构和载流性能的影响引起人们的注意,但研究银基材对Bi2223厚膜生长过程影响的文章报道很少.本文通过对Bi2223银夹板厚膜制备过程中厚膜微结构的分析,研究了银基材对Bi2223厚膜生长的影响.     

硝胺推进剂的界面键合作用

选择了具有海因衍生物和三聚异氨酸酯衍生物结构特点的一系列键合剂，在含有硝酸酯和ＨＭＸ的推进剂模拟配方中考察了这些键合剂的使用效果．并用Ｗｉｌｈｅｌｍｙ吊板法和动态毛吸法测定了这些键合剂对ＨＭＸ的浸润性，从热力学参量Ｗａ和动力学参量ｄｈ／ｄｔ两方面讨论了浸润机制，结合漫反射傅利叶交换红外光谱、光电子能谱的分析结果，对硝胺／硝酸酯体系中键合剂与ＨＭＸ的界面键合进行了评价．     

半微分循环伏安法对Fe~(3+)(w)/FeCP_2(nb)在水/硝基苯界面上电子传递行为的研究

本文用四电极系统半微分循环伏安法对FeCl_3(w)/FeCP_2(nb)体系间的电子传递进行了研究,得到了FeCl_3(w)/FeCP_2(nb)在水/硝基苯界面电子传递良好的半微分极谱峰,且通过对本体系的半积分定量测定,证实半微分实验的结论。     

SiO_2／SiO界面能级位移光电发射的研究

芯层光电子能谱（ＸＰＳ）和价带光电子能谱（ＵＰＳ）是研究不同半导体之间界面价带落差的有效手段，由ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面处的芯层和价带光电子能谱，我们确定ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面能级落差为２．０ｅＶ，覆盖引起能带位移为０．９ｅＶ，同时发现ＳｉＯ和ＳｉＯ２中的化学组分是较复杂的。     

界面化学研究河口颗粒物对氮迁移,转化的影响

本文研究了长江河口水在不同站位的细颗粒泥少存在下氨氮的降解动力过程，并从阳离子交换容量以及Ｚｅｔａ电位研究颗粒物的表面性质对氨氮降解的影响。结果表明，Ｚｅｔａ电位与颗粒物表面的凯氮以及氨氮有很好的相关性。而ＣＥＣ越大，颗粒和的对硝化细菌的累积量也越大，有利于水体中氨氮的硝化降解作用，长江口南槽附近的颗粒物ＣＥＣ值高于河口上游，氨氮的降解速率最快。     

高维余弦定理及正弦定理

本文的主要结果是用Grassmann代数方法建立E~n中的余弦定理及正弦定理,作为定理的应用,得到E~n中的勾股定理等结论。     

p—GaP／Au—Sb／Au—Zn体系的接触界面

采用X光电子能谱(XPS)研究了Au-Zn/Au-Sb与p-GaP接触体系的界面结构及其组分随着A_r~ 溅射刻蚀深度的变化,实验结果表明,在一定的合金温度下由于GaP和Au-Zn/Au-Sb层之间金属-半导体互扩散生成Au-Ga反应层,GaSb化合物并含有Zn的原子,Zn内扩散使界面形成一个较高掺杂浓度的再生长层,可改善M-S欧姆接触性质,此外,界面上还有碳、氧杂质的沾污,有效地清除半导体表面氧化层对于制好欧姆电极是重要的。