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71.
研究了半导体内弱耦合二维自旋磁极化子的磁场和温度特性.在有限温度和外加均匀恒定磁场的情况下,应用么正变换和线性组合算符法给出了GaAs晶体内极化子平均数与磁场和温度的依赖关系的理论表示,也作了数值分析.数值计算的结果表明:在某一确定的温度下,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随磁场的加强而减小;磁场较弱或温度较高时,平均数变化较剧烈;磁场较强或温度较低时,平均数变化较平缓;当外加磁场确定时,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随温度升高而增大;当温度较低或磁场较强时,平均数变化偏离线性关系;当温度较高或磁场较弱时,其变化接近线性关系. 相似文献
72.
系统研究了室温下Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95(T=Mn,Fe,Co,B,Al,Ga)合金中ⅢA族金属和过渡金属元素T替代Fe对晶体结构、磁致伸缩、内禀磁致伸缩、自旋重取向的影响.结果发现,不同金属T替代Fe,Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95合金具有相同的MgCu2型立方Laves相结构.ⅢA族金属B,Al,Ga替代使磁致伸缩λs下降幅度较大,同时发现Al,Ga替代使磁致伸缩容易饱和,表明Al,Ga替代可降低Tb0.3Dy0.7(Fe1?xTx)1.95合金的磁晶各向异性,而过渡金属Mn,Co替代Fe使Tb0.3Dy0.7(Fe1?xTx)1.95合金磁致伸缩λs下降幅度较小;不同替代金属元素,对内禀磁致伸缩λ111有不同的影响.M?ssbauer效应表明,Al,Ga替代使Tb0.3Dy0.7-(Fe0.9T0.1)1.95合金的易磁化方向在{110}面逐渐偏离了立方晶体的主对称轴,即自旋重取向,B,Mn,Co替代未使易磁化轴发生明显转动. 相似文献
73.
基于一维自旋链模型,采用Monte Carlo方法模拟研究了具有反铁磁相互作用的自旋S-1和自旋S-3/2混合的亚铁磁系统的磁特性,重点研究了自旋的无序排列对此混合系统磁特性的影响.研究发现,基态时,当自旋S-1和自旋S-3/2交替混合(有序排列)时,系统存在M-H磁化曲线的阶梯效应;而当自旋S-1和自旋S-3/2无序混合时,系统的阶梯效应出现涨落,台阶甚至消失.最后,通过对系统自旋组态和能量的研究,解释了该混合系统中所产生的阶梯效应和相图. 相似文献
74.
张冠芬 《云南师范大学学报(自然科学版)》2007,27(5):64-66
利用静态球对称黑洞引力自旋场的统计熵,导出静态球对称黑洞引力自旋场的辐出度,得到了黑洞的辐出度与黑洞视界温度的四次方成正比的结论.发现Stefan—Boltzmann系数不同于平直时空的值,并且在不同时空度规中该系数有不同的值. 相似文献
75.
采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁异质结构的隧穿几率和自旋极化率.研究表明,隧穿几率和自旋极化率随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周期变化,并且在2铁磁电极中磁矩取向平行时;选择适当的半导体的长度和Rashba自旋轨道耦合强度可以得到较大的自旋极化率. 相似文献
76.
基于微观相互作用玻色子-费米子形式体系,构造出唯象IBM-1 2q.p模型的微观实现,微观sdIBM-2 2q.p方案,应用它成功地再现了^138Ce核的基态带,β带,γ带和部分高自旋态能谱,给出了近来实验上观察到该核与单粒子态共存的集体性结构的一种解释,模型给出了一个玻色子从退耕,拆散,占据闯入轨道到参加顺排所需要的最小能量值,计算出的概观信息表明:一个d玻色子的突然拆对不会引起核状态突变;核子顺排释放的能量有利于其它玻色子再拆对;^138Ce核的高自旋态属子两准质子转动带。 相似文献
77.
78.
用扩展的Solomon方程描述1H受到射频 (RF)场照射时13 C的自旋晶格弛豫过程 .理论分析表明 ,在1H受到射频场照射时 ,13 C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程 ,但在特定实验条件下可以变为单指数过程 .数值模拟可显示出满足TC1TH1条件的13 C自旋晶格弛豫过程的明显差别以及不同射频场强度对13 C自旋晶格弛豫的影响 .通过实验观察固体L 缬氨酸的甲基13 C自旋晶格弛豫过程 ,测定相应的弛豫时间 .所得结果与理论分析和数值模拟完全吻合 . 相似文献
79.
发展了简化的数值密度矩阵重化群方法,并用其对开放边界条件下反铁磁自旋阶梯模型进行模拟计算,得到好的基态能量。在不同链间交换与链内耦合强度比值下,计算了自旋能隙,拟合得到了自旋能隙对不同链间耦合强度与链内耦合强度比值的公式。 相似文献
80.
本文采用赝隙模型研究了氧化物高临界温度超导材料La1.85Sr0.15CuO4中^139La核自旋-晶格驰豫时间,其结果与实验符合得相当好。这一成功,进一步确认了赝隙模型,即氧化物高临界温度地材料核自旋-晶格驰豫时间的反常行为是来源于正常态下电子态密度在费米面附近存在赝隙。 相似文献