纳米TiO2光诱导产生羟基自由基的ESR研究

在纳米TiO2光催化氧化体系中，添加无机氧化物，能有效地捕获电子，增加溶液中羟基自由基浓度，提高纳米TiO2的光催化氧化能力.该文以DMPO为羟基自由基捕获剂，利用自旋捕捉－电子自旋共振（ESR）方法研究无机氧化物K2S2O8对纳米TiO2光催化氧化体系中产生羟基自由基的关系，在此基础上探讨了甘氨酸光催化氧化反应的机理.     

δ掺杂对磁纳米结构中电子输运性质的影响

建立铁磁条调制下含有δ掺杂的磁纳米结构模型,计算不同δ掺杂位置及高度时电子的透射几率及自旋极化率,重点研究了该纳米结构中电子的自旋输运性质。结果表明,该磁纳米结构中可实现较显著的自旋极化效应,且δ掺杂的位置及高度均会对其中的电子输运性质产生影响。因此,理论上可以通过控制δ掺杂的位置及高度来获得实际需要的自旋极化强度,有助于新型自旋电子学器件的开发。     

基于超螺旋精度提升机制的OFDM网络信道噪声消除算法

为解决当前OFDM网络信道噪声消除算法难以规避信道中的窄带莱斯噪声,且抗信道衰落能力不强,以及信道间普遍存在严重的频率干涉问题,提出了一种基于超螺旋精度提升机制的OFDM网络信道噪声消除算法.首先,根据各个传输子信道具有差异化的频率载波特性,将传输子信道等价为接收背景中的接收点,从而构建了超螺旋接收结构,有效消除不同传输子信道间存在的频率干扰特性,降低信道窄带莱斯噪声对信号预发射过程的衰落影响;随后,基于角度识别方式进行锐-钝识别,并结合拐点思想,采用序列重排技术,将待发射信号进行消波处理,并进行自旋精度提升,从而提高了其抗窄带莱斯噪声的性能.仿真实验表明:与常见的超高频精度自适应机制(UHF adaptive,UHFA)、共线度自旋精度提升机制(the degree of accuracy of collinear spin,DACS)相比,本文算法与理想状态下的OFDM功率谱密度曲线最为接近,具有更高的信号增益水平与更低的信道误码率.     

钉扎层磁矩倾斜角度对微波频率的影响

对于钉扎层磁矩倾斜的磁性纳米振荡器,利用宏自旋模拟程序研究了钉扎层倾斜角度对自由层磁矩的动力学行为的影响.研究结果显示,激发微波的频率随电流密度以及倾斜角度的增加而增加,随着阻尼系数和饱和磁化强度的降低而增加.     

论基本粒子结构模型及波粒二象性的统一

简述了基本粒子模型的研究现状,分析了目前被普遍关注的模型所面临的问题及困难。从物质有限可分出发,根据辩证法"虚"与"实"的对立统一原则和中国古代"元气论",提出了一种自然可理解的基本粒子模型,其结构为真空物质形成的"自旋储能体"。该模型真正统一了微观粒子的波粒二象性,并由此解释了基本粒子的自旋、质量、电荷及四种基本作用力的本质。最后提出了验证该模型的实验方案。     

手性钙钛矿材料的自旋电子学研究进展

研究电子的自旋性质对自旋电子器件的发展非常重要.虽然各类铁磁金属以及合金半导体材料的自旋电子学研究取得了重大进展,但是这些材料在合成时需要高温处理,应用时则需要满足晶格匹配条件并施加磁场或者极端温度.手性钙钛矿材料的特殊结构赋予了其新的自旋电子性质,且相关应用可以在室温下实现,这将其与传统的自旋电子材料区分开来.近年来,手性钙钛矿材料的自旋电子学研究取得了重要进展,非常有必要对相关研究结果进行总结.基于此,本文评述了手性钙钛矿的自旋动力学以及相关应用的最新研究进展.首先,本文简单介绍了手性钙钛矿的发展.其次,从理论上阐述了手性钙钛矿的能带结构、自旋轨道耦合及手性诱导自旋选择性效应.再次,回顾了手性钙钛矿自旋电子弛豫过程及其应用(自旋电荷输运、光伏器件、自旋发光二极管及圆偏光探测等)的研究进展.最后,对手性钙钛矿材料在自旋电子学领域的应用前景以及面临的挑战进行了总结和展望.     

有机发光二极管中原子掺杂调控的单重态激子产率

原子掺杂是目前提高有机发光二极管发光效率的有效方法之一.杂质原子的存在，一方面改变了体系的自旋-轨道耦合强度，另一方面引入了杂质势.从这两方面出发，基于扩展的Su-Schrieffer-Heeger模型，研究了有机聚合物中掺杂原子的存在对单重态激子产率的影响.结果发现，通过掺杂原子可以有效地提高单重态激子产率.主要原因源于掺杂原子所诱导的较大自旋-轨道耦合强度，而非杂质势的引入.澄清了利用原子掺杂提高有机发光二极管发光效率的机理，并为相关实验的材料选取和设计提供了理论指导.     

海森堡自旋链中的宏观量子相干

迄今为止,磁性宏观量子效应的研究主要集中于单畴磁体[1],即零维空间.扩展到一维空间(如自旋链)和二维空间(如磁性薄膜)不仅有实际的应用价值,而且具有重要的理论意义,因为一直缺乏满足物理要求的瞬子解.     

铁磁/半导体/铁磁异质结中的自旋输运

在群速率概念的基础上,讨论了自旋极化电子的隧穿系数和渡越时间与半导体层厚度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两磁性铁磁体中磁矩夹角之间的关系。结果表明:不同自旋取向的电子在隧穿铁磁/半导体/铁磁三明治异质结过程中,隧穿系数表现出振荡特性,而渡越时间则表现出明显的分离特性。     

直接键连C-X(X=H, C)的核自旋偶合常数的理论研究

利用建立的PM3级别上的最大重迭对称性分子轨道法和自然杂化轨道方法,计算了系列烃类化合物的杂化轨道和电荷分布,拟合出计算C-H及C-C偶合常数的简单关系式,研究了各种烃类分子中不同的C-Ｈ键和Ｃ-Ｃ键偶合常数,理论计算值和实验数据都较为吻合．进一步验证了直接键连1JCX(X=C, H)偶合常数主要取决于偶合作用中的Fermi接触相,为从简单价键理论角度解释和计算1JCH和1JCC提供了一种简便直观的方法．计算结果也表明提出的计算方法是可行的．