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61.
定量分析肌球蛋白与肌动蛋白丝的结合几率及相关化学反应的速率常数,对于准确掌握肌肉收缩的内在机制具有非常重要的意义.以肌肉自发振动的实验结果为依据,从振动过程所满足的动力学方程出发,推导出结合几率与肌丝滑行速度及肌节长度之间的定量关系,并求得化学反应速率随肌肉收缩的速度变化而改变的数学规律.结果显示,结合几率的基准值由溶液中主要化学成分的浓度决定;结合几率的变化值与肌肉收缩的速度成正比,与肌节长度成反比;而化学反应速率随收缩速度按指数规律变化.上述结果与实验值基本一致.  相似文献   
62.
为了研究电极结构的变化对除尘器中电晕放电产生的二次流与主流一次流耦合后形成的流场以及电场分布的影响,设计了线-传统板与2种不同结构的线-开孔板极配方式.在建立电晕放电和流场的多物理场耦合数值模型的基础上,利用COMSOL软件模拟研究了3种不同极配方式下的电除尘器通道内的电场与流场特征.模拟结果表明:电极结构对除尘器内部近板电场及流场分布影响较大.新型开孔板的近板电场强度高于传统板,随着入口流速的增大,离子风对除尘器通道内流场的扰动逐渐减小.结果同时表明孔结构能有效降低近收尘极板流速,在入口流速为0.5 m/s时,新型开孔板近板风速相比传统板分别降低了14.58%和15.62%,入口流速为1.0 m/s时,近板流速分别降低了19.94%和20.20%.这一结果表明新型开孔结构能有效减小收尘极板附近流速,减少二次扬尘,提高除尘效率.  相似文献   
63.
怡人 《少儿科技》2014,(11):8-8
<正>为什么蝙蝠、蝴蝶等许多动物长途飞行或迁徙不会迷路?难道它们天生具有方向感或是有辨别方向的非凡本领?许多科学家对此十分迷惑,做了大量研究工作。挪威的科学家曾做过这样的实验。他们选取了一些出生不久的小白鼠作为实验对象,这时的小白鼠尚未睁开眼睛,对外界基本没有感知。科学家在小白鼠的脑中植入电极,一旦小白鼠某部分神经元放电,仪器便能探测到。结果,科学家惊奇地发现,小白鼠在睁开眼的一刹那便能够摸索着爬行,同时大脑中负  相似文献   
64.
本文阐述了局部放电检测原理,介绍了瞬时接地电压检测、超声波检测两种技术方案,并结合实际介绍了局部放电检测技术在配电设备缺陷查找中的应用。  相似文献   
65.
根据等离子体美容仪负载的特殊性要求,设计了大气压交流放电状态自动频率跟踪电路,以达到仪器的稳定输出.详细讨论了频率自动跟踪电路的设计思想和实现方案.利用窗口比较器来检测输出状态改变,并转换为V/f变换的控制信号,通过压控振荡使得功率变换器的振荡频率跟踪系统本征频率的变化,以保持谐振状态,得到稳定输出.对所研制的电路进行了具体测试,结果表明:频率跟踪效果好,仪器输出稳定,使用效果佳.  相似文献   
66.
以高能球磨法制备的93W-4.9Ni-2.1Fe复合粉末为原料,采用放电等离子烧结技术制备93W--4.9Ni-2.1Fe合金,研究了烧结温度对钨合金微观组织及性能的影响.采用扫描电镜对试样的断口进行观察,采用能量色散谱仪对合金的组元进行成分分析.结果表明:①烧结温度对合金的性能有显著的影响,在1 350℃时钨合金的抗拉强度达到一个极大值,为981 MPa,此时钨合金的相对密度和W晶粒的尺寸分别为98.9%和5μm;②当烧结温度达到1375℃时,合金中Ni元素开始挥发,随着温度的快速上升,合金中Ni元素的挥发不断加剧,当烧结温度升高至1425℃时合金中Ni元素已完全挥发;③合金的断裂方式随着烧结温度的升高发生显著的变化,当烧结温度升至1350℃时钨合金的断裂方式由W晶粒界面分离向W-W、W-黏结相界面断裂转变,而当烧结温度超过此温度时钨合金的断裂方式又转变为W晶粒的沿晶脆性断裂;④SPS快速烧结能够有效抑制W晶粒的长大,促进钨合金的细晶强化作用.  相似文献   
67.
68.
为进行尖晶石LiMn2O4的改性优化,合成了大小为100~400 nm,呈八面体形貌的LiMn2O4尖晶石单晶,并采用XRD、SEMI、CP等方法进行了分析,旨在对该尖晶石单晶的充、放电性能进行表征.  相似文献   
69.
设计一种能在0.8V下工作的低压太阳能发光二极管草坪灯驱动控制器.控制充电回路通断的开关管集成在芯片内部,系统只需外接一个电感和光敏电阻.该驱动电路具有光开关自动控制放电、蓄电池过放迟滞保护等功能,且发光二极管灯无闪烁.仿真结果表明,芯片的工作电压为0.8~1.5V,输出平均电流在3~300 mA内可调,发光二极管灯效...  相似文献   
70.
研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面.  相似文献   
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