八顶角反射方程的解及其杨-巴斯特化

Cherednik研究半线(Half-line)上的因子散射时首次引入了反射方程以描述端点上的反射行为.最近发现它们在量子流代数和具有非周期边界条件的可积模型中也起重要作用.Kulish等曾讨论了无谱参数的反射方程的性质、代数结构和常数解.但怎样由这种常数解得到具有谱参数的反射方程的解,即所谓的反射方程的杨-巴斯特化,仍没有解决.本文将讨论八顶角模型的反射方程的解(代数解和常数解)及其杨-巴斯特化.其杨-巴斯特化方法可推广到任意有两个不同本征值的(?)的情况.     

均匀纺锤形铁黄α-FeOOH微晶生长机制研究

均匀纺锤形α-FeOOH微晶,是合成γ-Fe_2O_3和α-Fe磁粉的前躯.纺锤形磁粉的磁学性能较之针形磁粉优良.它在外磁场作用下,能产生均匀磁化,其内部不产生磁极,表面平整,分散性好.因而,纺锤形磁粉是高记录密度的理想材料.其次,若将其轴比控制合适,既适用于现时通用的平行磁记录方式,也可适用于正在改进的垂直磁记录方式.均匀纺锤形氧化铁微晶生长方法,一是采用水热法或强迫水解法,使三价铁盐水解结晶析出无孔洞的α-Fe_2O_3.此法省略了传统磁粉生产过程中铁黄脱水工艺,因而可消除脱水     

α—氨基丙酸在卤化钾水溶液中焓效应的研究

本文用微量星热法测定了在２９８．１５Ｋ时，α－氨基丙酸在纯水和卤化钾水溶液中的溶解焓，并求算了焓相互作用参数ｈ＿（ｘｙ）、ｈ＿（ｘｘｙ）和ｈ＿（ｘｙｙ）的值．根据理论推导了静电相互作用对ｈ＿（ｘｙ）值贡献的计算公式，并运用结构相互作用模型讨论了焓相互作用参数随电解质离子半径的变化规律．     

Stein流形上（p，q）－形式带权因子的积分表示

在边界的不同光滑段上采用不向的Ｌｅｒａｙ截面，构造了ｓｔｅｉｎ流形上（ｐ，ｑ）－形式带权因子的积分表示的Ｋｏｐｐｅｌｍａｎ－Ｌｅｒａｙ－Ｎｏｒｇｕｅｔ公式；当取定特殊权因子，就得到Ｓｔｅｉｎ流形上积分表示的Ｋｏｐｐｅｌｍａｎ－Ｌｅｒａｙ－Ｎｏｒｇｕｅｔ公式。     

复合二项K－S算子和PoissonK－S算子逼迫

引入复合二项Ｋａｎｔｏｒｏｖｉｃｈ－Ｓｔｉｅｌｔｊｅｓ算子（Ｓ＿ｒｖ）（ｘ）＝Ｓ＿（ｋ，τ）（ｘ）（τ＞０，０≤ｘ≤１），证明了当τ→＋∞时，（Ｓ＿τｖ）（ｘ）在（０，１］上几乎处处收敛于ｖ关于Ｌｅｂｅｇｕｅ测度的绝对连续部份的Ｒａｄａｎ－Ｎｉｋｏｄｙｍ导数ｆ（ｘ）．同时也证明了ＰｏｉｓｓｏｎＫ－Ｓ算子（Ｓ＿τｖ）（ｘ）＝（τｄｖ）在［ａ，ｂ］（０，＋∞）上也有类似的结论．     

图中有边不交的3个1─因子的一个新充分条件

Ｗｉｎ于１９８２年证明了２ｎ阶Ｏｒｅ－（１）型图有边不交的３个１－因子．本文改进这个结果，得到一个新的充分条件：２ｎ（ｎ≥１０）阶２－连通Ｏｒｅ－（－２）型图Ｇ有边不交的１个Ｈａｍｉｌｔｏｎ图和１个１－因子，除非Ｇ是附图中所示的图之一．     

钴（四氮杂环十四）络合物的结构对其电化学及电催化性质的影响

本文选择了３种具有不同配体结构的钴（四氖杂环十四）络合物：ＣＯ（Ⅲ）Ｃｙｃｌａｍ（１．４，８，１１－四氮杂环十四烷），ＣＯ（Ⅲ）－ＤＩＭ（２，３－二申基。１，４，８，１１－四氮杂环。（１，３）－二烯）和Ｃｏ（Ⅲ）－ＴＩＭ（２．３，９，１０－四甲基－１，４，８，１１－四氮杂环。［１，３．８，１０］－四烯）．研究平面配体（Ｎ４）结构的变化．主要是氮杂环不饱和程度的变化对３种络合物在酸性及中性溶液中电化学行为的影响，以及３种络合物在中性溶液中对还原的电催化活性。研究表明，随络合物中组杂环不饱和程度的增加．其配位场强度增强，络合物的自还原电位均向正的方向移动。大小顺序为：Ｃｏ（Ⅲ）－Ｃｙｃｌａｍ＜Ｃｏ（Ⅲ）－ＤＩＭ＜Ｃｏ（Ⅲ）－ＴＩＭ，而对还原的电催化活性则以Ｃｏ（Ⅲ）－Ｃｙｃｌａｍ最强，ＣＯ（Ⅲ）－ＤＩＭ次之，Ｃｏ（Ⅲ）－ＴＩＭ无明显的电催化活性。