首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7746篇
  免费   159篇
  国内免费   315篇
系统科学   39篇
丛书文集   356篇
教育与普及   422篇
理论与方法论   55篇
现状及发展   60篇
研究方法   5篇
综合类   7283篇
  2024年   27篇
  2023年   99篇
  2022年   102篇
  2021年   134篇
  2020年   89篇
  2019年   100篇
  2018年   51篇
  2017年   76篇
  2016年   76篇
  2015年   128篇
  2014年   263篇
  2013年   269篇
  2012年   310篇
  2011年   356篇
  2010年   357篇
  2009年   431篇
  2008年   458篇
  2007年   421篇
  2006年   356篇
  2005年   381篇
  2004年   335篇
  2003年   353篇
  2002年   339篇
  2001年   338篇
  2000年   272篇
  1999年   265篇
  1998年   261篇
  1997年   264篇
  1996年   224篇
  1995年   184篇
  1994年   160篇
  1993年   131篇
  1992年   151篇
  1991年   117篇
  1990年   126篇
  1989年   105篇
  1988年   47篇
  1987年   34篇
  1986年   20篇
  1985年   2篇
  1983年   2篇
  1982年   1篇
  1981年   3篇
  1958年   1篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有8220条查询结果,搜索用时 718 毫秒
911.
<正>我团自1989年至今,承担由兵团农业处主持、采用中科院上海有机所提供的光敏催化剂,并由石河子塑料制品总厂生产的各种不同型号的新型的光敏降解超薄地膜,进行裂区示范和大田推广,五年中经过四次示范  相似文献   
912.
目的:观察正常大鼠及部分结扎腹主动脉致心肌肥厚大鼠的血管膜周脂肪组织对血管舒缩功能的影响.方法:手术部分结扎腹主动脉致心肌肥厚模型,采用血管张力记录法,观察正常大鼠及模型大鼠血管膜周脂肪组织对血管舒缩功能的影响.结果:对于正常大鼠,血管膜周脂肪组织可显著降低血管对苯肾上腺素的反应性;对于模型鼠,血管膜周脂肪组织可显著升高血管对苯肾上腺素的反应性.结论:血管膜周脂肪组织对于血管的舒缩功能有重要的调节作用.  相似文献   
913.
914.
肖玉方 《科学通报》1993,38(21):1971-1971
1985年,Kroto等人首次发现碳的第三种同位素——碳60(简写为C_(60))。C_(60)作为一种新型的有机固体材料,已显示出许多特殊的物理、化学性质。与碱金属掺杂后,成为超导体。 C_(60)晶体结构的研究还有待进一步研究。Krtschmer等人首先提出C_(60)是六角密堆积结构。但Guo等人提出了C_(60)是面心立方结构,理由是C_(60)进行立方密堆积在能量上比进行六角密堆积低。  相似文献   
915.
本文通过研究直流偏磁场Hb对标称成份为(YSmCa)3(FeGe)5O12石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴(ID)长度的影响,观察到:1)ID的长度随Hb的升高而缩短;2)经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降,ID长度与Hb的关系曲线基本重合;3)随着Hb的升高,直至IID缩灭的过程中,较长ID与较短ID的长度比变化不大.这些实验现象暗示,在Hb的准静态变化过程中ID畴壁中的垂直布洛赫线(VBL)数目保持不变  相似文献   
916.
软畴段在面内磁场作用下的行为   总被引:1,自引:0,他引:1  
实验研究发现Hip对软畴段的条泡转变场Hsb和磁泡缩灭场HO有较大影响,而且Hsb和HO随Hip的变化与样品晶向有关  相似文献   
917.
SiO2膜表面电是影响其驻极性能的主要因素之一。本文采用气相反应法对其表面进行化学处理。经处理后的栅控高温电晕注极表明:115d之内SiO2膜的表面电位衰减小于或等于6%。本文通过对不同晶向的SiO2膜对比研究发现:P(100)基片上生长的SiO2膜驻极性能优于P(111)。根据实验结果,我们讨论了影响SiO2膜驻极性能的机制。  相似文献   
918.
衍达 《科技园地》1992,(4):23-24
  相似文献   
919.
920.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号