锑—铁合金电沉积的研究：Ⅱ.方波电位法的应用

利用方波电位法在合金镀液中电沉积锑和锑合金的复合镀层,并用扫描电镜进行镀层的综合性能检测。实验结果表明,在合适的电镀参数下可以镀层结合力好,晶粒细致紧密,光亮平滑,具有中等硬度和一定厚度的复合镀层。     

模式识别在测井相分析中的应用

在测井相分析过程中,提取了与岩相有关的测井响应特征,进行了模糊聚类分析,形成其测井相模式。该模式通过岩－电关系库,应用模式识别技术,实现向岩相的转化,形成岩性的系统剖面。     

Cu基催化剂电化学还原CO2合成乙醇的研究进展

用电化学还原法将二氧化碳(CO₂)转化为高能量密度的多碳化学品最近成为一个研究热点,在所有的电化学还原二氧化碳(ERCO₂)催化材料中,Cu基材料因为对中间体CO良好的吸附性能表现出较高的C₂产物选择性.为此首先介绍了ERCO₂反应机理以及常见的反应器类型;再总结了5种代表性的Cu基催化剂(单金属、氧化物衍生、金属有机框架、合金和非金属修饰)及其在ERCO₂选择性合成乙醇方面的最新进展;并阐述了Cu基高活性催化剂的设计策略,如缺陷工程、形貌控制、晶面工程以及他们之间的协同效应等;最后展望了高效ERCO₂催化剂制备乙醇所面临的挑战和今后的发展方向.     

电化学除油在电真空焊料生产中的应用

电真空器件对钎料有清洁性要求 ,影响贵金属钎料清洁性的主要原因是加工过程的油污 .提出采用电化学除油的方法来保证钎料的清洁性     

磁通涡旋线的临界磁场

将计算所得的涡旋磁通自由能F^[1]进行求导，得到a，b，x之间的关系式．由此，只要知道电荷数、粒子质量，利用图解法即可求出α，β的值．再利用1／h=λ(λ是穿透深度)，将λ进行代换，最终得出λ与h，ξ与η，x与κ间的关系．对于单位磁通线BV=BS=Φ=φ0则可计算出高κ近似下的第一临界磁场Hc1，并进一步求出hc1．     

基于脑电通道增强的情绪识别方法

随着人工智能与深度学习的发展,基于深度学习的多通道脑电信号的情绪识别研究逐渐受到关注,但多通道脑电情绪识别信号复杂且各通道重要性一致,并不能高效且有针对性地进行脑电情绪识别。为此,该文提出一种基于缩放卷积层和脑电通道增强模块的情绪识别方法,能直接在脑电物理通道上进行增强学习。首先,通过缩放卷积层提取多通道脑电情绪信号的类时频特征;然后,通过脑电通道增强模块对所有脑电物理通道重新赋予不同的重要性;最后,利用卷积神经网络对情绪进行分类。该方法能够融合多通道脑电信号的时间和频率信息,同时,通过输出各脑电通道的重要性,探究不同情绪维度与脑电通道之间的关系。在DEAP数据集上进行了实验验证,不同脑电通道对情绪识别任务的重要性存在差异,其中,额叶区和枕叶区的C4、 P4、 P3、 PO4、 F7 5个脑电通道重要性相对较高,该情绪识别方法在愉悦度、唤醒度和支配度3个情绪维度上的识别准确率也均有提升。     

高密度电法在非煤矿山老窑采空区探测中的应用

由于矿山开采存在不明废弃老窑及采空区、老窑采空区资料不详、边界和积水情况不明等问题,矿山生产存在严重安全隐患。本文以湖南冷水江某金属矿山老窑采空区探测为例,采用高密度电法实施了4条物探测量剖面,经数据反演处理解译,共推断出8个采空区异常,其视电阻率特征均为高阻异常,显示其均为非充水采空区,根据已有矿体产出形态,推测采空区体积共约2 484 m³,基本确定了采空区的整体情况。     

新型无弧通断交流接触器结构研究

随着材料科学的发展,交流接触器的机械寿命已大大提高,但远远低于机械寿命,电寿命,这是已经成为制约交流接触器发展的瓶颈。特别是在使用类别AC-4,切换过程中产生电弧成为交流接触器电寿命的关键限制。提出了一种新型的无弧接触器结构,这种无弧交流接触器与常规交流接触器使用方法和外观完全一样,替换方便,并且还具有无弧通断的功能,大大提高了接触器的电寿命,取消了特殊材料触头的制作并避免了所有因开断电弧产生的电磁干扰和火灾风险。在断开接触器后,电源侧与负载侧具有明显的分断口,可靠地实现了电气隔离,这一点又与常规接触器的特性完全一致。     

铜离子在4-甲氧基-2,6-二(3,5-二甲基吡唑)-1,3,5-三嗪吸附型修饰电极上的电化学行为

用循环伏安法和方波伏安法研究了铜离子在4 甲氧基 2,6 二(3,5 二甲基吡唑) 1,3,5 三嗪(简称MBDT)吸附型修饰电极上的电化学行为.通过吸附在玻碳表面的配体与铜离子的配位作用,对Cu(Ⅱ)和Cu(Ⅰ)进行了电分析,结果表明,Cu(Ⅰ)在修饰电极上表现出比Cu(Ⅱ)高得多的灵敏度.     

碱性溶液中次亚磷酸根离子在铂和镍电极上氧化的比较

用SNIFTIRS和循环伏安法研究0．1mol/L Na0H溶液中次亚磷酸根离子在铂和镍两种电极上的电氧化行为．结果表明次亚磷酸根离子在两种金属上的氧化明显不同，在Ni上氧化产物是HP03^-，在Pt上电位较负时氧化产物是P03^2-，而电位较正时产物是P04^3-．讨论了在两种金属上次亚磷酸根离子氧化反应的差别和相应的可能机理。