使用飞秒脉冲在熔融石英中进行的三维光数据体存储

通过啁啾脉冲放大技术,产生出脉冲宽度为200fs,波长为800nm的超短脉冲激光束,将这种激光脉冲紧聚焦到融熔石英体中,在聚焦点附近通过雪崩电离和多光子电离产生高密度的等离子体,并使等离子体吸收大量的激光能量,在局部产生微爆炸,形成微小的空腔,从而在融熔石英体中记录下三维数据.实验记录了20层存储数据,使存储密度达到3.75×1010bit/cm3.     

非线性反周期分数阶脉冲微分方程边值问题的解

通过Schauder不动点定理和Banach压缩映射原理,得到了一类非线性反周期分数阶脉冲微分方程边值问题解的存在性和唯一性。     

p53信号网络的非线性动力学研究

p53蛋白作为细胞内重要的肿瘤抑制因子,通过复杂的信号转导网络调节细胞生理活动,维护基因组的稳定性与完整性.p53网络能对细胞遭遇的一系列应激信号(如DNA损伤、致癌基因激活和端粒受损等)做出响应,启动DNA修复、细胞周期阻滞、细胞衰老或凋亡等来避免基因组缺陷的复制和遗传.p53蛋白浓度在细胞应激响应过程中呈现脉冲、开关等动力学行为,具有丰富的非线性特征.本文旨在综述p53网络动力学领域的最新进展,揭示细胞DNA损伤响应过程中p53动力学与功能之间的潜在联系.     

实验室中的单片机控制红外线语音防盗报警系统

本文结合国内外红外线防盗报警系统的应用和发展,简要介绍了红外线基础理论,详细介绍了该系统的核心部分之一——被动式热释电红外线传感器,并全面地叙述了该系统的其他部分(如单片机8051及其常用接口芯片、语音芯片T6668、脉冲拨号芯片WE9104及通话电路芯片TEA1062等)的原理及结构。     

脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB2薄膜的研究

采用脉冲激光沉积的方法在 Al₂O₃（0001）基片上先生成 Mg-B 混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成 MgB₂ 超导薄膜,采用磁测量（M-T）、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对 MgB₂ 超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为 200 ℃,退火时间 5min 时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度-退火温度曲线。在退火温度为 670℃、720℃ 时,得到了最高的临界转变温度 T_c=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有 c 轴取向。同时比较了在 200℃ 下沉积,在 670℃ 下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在 670℃ 下退火 5min 的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。     

脉冲燃烧的稳定机理

脉冲燃烧是一种高效、低污染的新型燃烧方式，由于内在机理的复杂使得其在推广过程中遇到极大的困难．文中建立了一种新的反馈模型，可定性地分析各部件在稳定燃烧中的作用．在新产品的开发实验中，已验证了该模型的正确，理论部分正在完善之中．     

高压脉冲电刺激下龙舌兰释放负离子的研究

通过对高压脉冲电刺激下龙舌兰(Agave americana)释放负离子的研究,探究光照和CO2对龙舌兰释放负离子的影响,以期为植物源负离子发生器提供理论基础;在密闭玻璃室(2.5 m×2.0 m×3.0 m)内测定和比较了光照和黑暗环境中高压脉冲电刺激下龙舌兰产生的负离子浓度和环境CO2浓度以及不遮光玻璃室中光照强度;结果表明:龙舌兰在高压脉冲电刺激下光照条件下能产生产生较多负离子,且产生的负离子浓度日变化显著;龙舌兰在高压脉冲电刺激下负离子的产生与室内CO2浓度无显著的相关性,与不遮光玻璃室光照强度有显著的二项式相关性。     

半线性分数阶脉冲微分方程解的存在性和唯一性

利用Altman's不动点定理和Krasnoselskii不动点定理证明了q∈(0,1]阶半线性微分方程的脉冲边值问题的解的存在性和唯一性.     

Ne气负脉冲电晕放电等离子体电子温度测量

依据荧光发射谱谱线强度正比于激发态粒子数原理,通过测量不同激发态能级所发射荧光谱线的相对强度,对Ne气脉冲电晕放电等离子体平均电子温度随峰值电压、样品气压的变化以及有效电子温度的时间行为进行了实验研究.结果表明,平均电子温度随放电峰值电压、样品气压均呈现近线性的变化趋势;而有效电子温度随时间变化先于脉冲电晕放电电流的变化.     

恒功率用电器电路研究

讨论了含恒功率用电器、电阻和电压源电路的基本规律，分析其工作原理并计算电路特性方程，阐述了在设计供电系统应用恒功率用电器新的特殊性质和特点，说明恒功率用电器还可用于其它方面的实践。