脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB2薄膜的研究

采用脉冲激光沉积的方法在 Al₂O₃（0001）基片上先生成 Mg-B 混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成 MgB₂ 超导薄膜,采用磁测量（M-T）、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对 MgB₂ 超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为 200 ℃,退火时间 5min 时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度-退火温度曲线。在退火温度为 670℃、720℃ 时,得到了最高的临界转变温度 T_c=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有 c 轴取向。同时比较了在 200℃ 下沉积,在 670℃ 下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在 670℃ 下退火 5min 的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。     

脉冲燃烧的稳定机理

脉冲燃烧是一种高效、低污染的新型燃烧方式，由于内在机理的复杂使得其在推广过程中遇到极大的困难．文中建立了一种新的反馈模型，可定性地分析各部件在稳定燃烧中的作用．在新产品的开发实验中，已验证了该模型的正确，理论部分正在完善之中．     

高压脉冲电刺激下龙舌兰释放负离子的研究

通过对高压脉冲电刺激下龙舌兰(Agave americana)释放负离子的研究,探究光照和CO2对龙舌兰释放负离子的影响,以期为植物源负离子发生器提供理论基础;在密闭玻璃室(2.5 m×2.0 m×3.0 m)内测定和比较了光照和黑暗环境中高压脉冲电刺激下龙舌兰产生的负离子浓度和环境CO2浓度以及不遮光玻璃室中光照强度;结果表明:龙舌兰在高压脉冲电刺激下光照条件下能产生产生较多负离子,且产生的负离子浓度日变化显著;龙舌兰在高压脉冲电刺激下负离子的产生与室内CO2浓度无显著的相关性,与不遮光玻璃室光照强度有显著的二项式相关性。     

半线性分数阶脉冲微分方程解的存在性和唯一性

利用Altman's不动点定理和Krasnoselskii不动点定理证明了q∈(0,1]阶半线性微分方程的脉冲边值问题的解的存在性和唯一性.     

Ne气负脉冲电晕放电等离子体电子温度测量

依据荧光发射谱谱线强度正比于激发态粒子数原理,通过测量不同激发态能级所发射荧光谱线的相对强度,对Ne气脉冲电晕放电等离子体平均电子温度随峰值电压、样品气压的变化以及有效电子温度的时间行为进行了实验研究.结果表明,平均电子温度随放电峰值电压、样品气压均呈现近线性的变化趋势;而有效电子温度随时间变化先于脉冲电晕放电电流的变化.     

恒功率用电器电路研究

讨论了含恒功率用电器、电阻和电压源电路的基本规律，分析其工作原理并计算电路特性方程，阐述了在设计供电系统应用恒功率用电器新的特殊性质和特点，说明恒功率用电器还可用于其它方面的实践。     

非晶态合金(Fe_(100-x)M_x)_(83)B_(17)和Zr_(100-x)M_x的杨氏模量

用超声波脉冲透射技术获得了三元非晶态合金(Fe_(100-x)M_x)_(83)B_(17)和二元非晶态合金Zr_(100-x)M_x的声速,并确定了它们的杨氏模量。对于前者合金元素M指Cr,Mo,W,Zr和Co;对于后者指Fe,Ni和Co。文中讨论了声速与组分的原子百分数含量x之间的关系,并讨论了近程有序,合金元素密度以及不同尺寸原子之间的随机堆砌引起的致密化等对声速的影响。     

一种新型阴极研究装置

介绍了一种新型的专为阴极研究设计的与俄歇能谱仪(AES)相连的脉冲激光沉积(PLD)装置,本装置可以实现阴极薄膜的快速制备,测量发射性能和原位分析表面成分。简述了此装置在研究阴极表面发射机制最新应用。     

基于通用串行总线的测井脉冲采集电路研究

设计了一种基于通用串行总线（USB）技术的测井脉冲信号采集系统。该系统用深度子系统驱动测井脉冲的采集，并配备了PCM遥测信号接口。系统设计包括硬件设计、单片机固件设计以及设备驱动程序和用户应用程序设计。硬件设计中用复杂可编程逻辑器件完成对脉冲采集过程中脉冲放大倍数和峰值保持电路电容充放电的控制，并检测出PCM遥测信号的同步帧，同时进行遥测数据的串并转换，节省了单片机资源。单片机控制测井脉冲采集的整个过程，并实现USB通信，在主机请求数据时发送数据。系统在实验室调试成功，数据传输速率达到300kb／s，控制逻辑灵活，可扩展升级。     

脉冲涡流感应测量方法的研究

对脉冲信号激励的线圈在与其接近的金属导体中的涡流效应进行了时域分析,并对脉冲激励与检测电路的设计作了详尽介绍,为无损探伤、材质检验等领域提供了新的思路,扩大了电感式传感器的应用范围。