高压脉冲电场对多聚半乳糖醛酸酶活性及构象影响

本实验旨在研究高压脉冲电场(PEF)对多聚半乳糖醛酸酶(PC)活性及构象的影响.PG的活性随电场强度和脉冲个数的增加而降低.荧光光谱分析表明:PEF处理后PC蛋白的荧光发生不同程度的荧光淬灭,在高电场条件下将发生荧光峰的位移.另外,PG酶活性下降和荧光淬灭趋势一致,但呈非线性关系,说明酶构象改变与酶活性变化间存在密切的关系.     

EB-PVD热障涂层热扩散系数测试方法及其影响因素

采用激光脉冲法研究电子束物理气相沉积（EB-PVD）热障涂层热扩散系数的测定,对测定结果进行误差分析,研究试样热处理状况和遮挡层对热扩散系数的影响。结果表明：随着测试温度升高,EB-PVD热障涂层的热扩散系数先减小再增大,但在25～1200℃的测试温度范围内,变化幅度不大;在25℃时测试相对误差为4．6％,其余各温度的相对误差均小于1．5％;热扩散系数的变化与陶瓷材料的本征热导率随温度的变化以及涂层的微结构密切相关;热处理使涂层中产生了垂直于基体表面的微裂纹,部分热流通过微裂纹可直接到达涂层表面,导致热扩散系数增加;喷Au加石墨复合遮挡层的试样其热扩散系数比单一石墨遮挡层试样的低,主要是由于低发射率的Au减弱了辐射对传热的贡献。     

智能办公楼建筑弱电工程

从智能办公楼建筑弱电工程的系统组成、衡量标准出发,从智能建筑的公共广播,共用天线电视,无线寻呼,电话通讯,火灾报警,安保监控以及结构化布线几方面的系统设计进行了阐述。     

超宽带通信中的波形设计研究

本文研究了超宽带通信中几种典型脉冲波形的设计方法,对各种方法的优缺点进行了比较分析,对超宽带系统脉冲波形的研究具有一定参考意义。     

Banach空间中一阶混合型脉冲积分微分方程周期边值问题解的存在性

利用不动点理论,证明了实Banach空间中一阶混合型脉冲积分微分方程周期边值问题解的存在性定理,对已有结果作了推广和改进.     

一阶脉冲泛函微分方程的积分边值问题

研究了一阶脉冲泛函微分方程积分边值问题的极值解的存在性.利用上下解方法并结合单调迭代技术得到了积分边值问题的最大解和最小解的一组充分条件.     

大功率IGBT逆变式空气等离子切割电源的关键技术

对一种大功率IGBT逆变式空气等离子切割电源的主电路进行了原理分析与设计．从提高切割效率,减小整机体积以及加强电源可靠性的角度出发,对电源外特性、驱动电路、逆变器结构和中频变压器材质等各项电源关键技术进行了分析和讨论,并提出了相应的设计方案,使电源整机性能得到了改善,可以完成切割电流160A、切割电压150V的大功率作业要求．实验证明,该方案合理、有效,能够满足切割工艺要求．     

宫颈癌放射治疗的数学模型研究

研究了具有放射治疗的宫颈癌生长动力学模型,探讨了无肿瘤平衡点和边界周期解的稳定性,并获得相应的条件.进一步,利用Abdelkader分支理论,得到正周期解的存在性.理论分析结果表明:增强宫颈癌分裂细胞的放射敏感性是提高宫颈癌放射治疗效果的重要手段.最后给出数值模拟以验证理论分析结果.     

EXISTENCE AND UNIQUENESS AND STABILITY OF SOLUTIONS FOR STOCHASTIC IMPULSIVE SYSTEMS

This paper studies the existence, uniqueness, and stability of solutions for stochastic impulsive systems. By employing Lyapunov-like functions, some sufficient conditions of the global existence, uniqueness, and stability of solutions for stochastic impulsive systems are established. Furthermore, the results are specialized to the case of linear stochastic impulsive systems. Finally, some examples are given to illustrate the applications of our theory.     

变截面管道模型的等离子体输运特性数值研究

为了研究强流脉冲离子束(HIPIB)辐照靶材产生烧蚀等离子体向真空中喷发的机制,建立了与HIPIB烧蚀靶材形状相关的沿变截面管道流动的等离子体喷发动力学模型,并以烧蚀结果为初始条件采用数值方法计算了喷发等离子体压力、密度及速度的时空演化规律。结果表明:密度演化结果与一维明显不同,随时间增加峰值先增加而后再减小,且逐渐趋于平缓,存在峰值位置,说明薄膜的形成与基片相对靶材位置是相关的。该结果对HIPIB辐照进行薄膜生长具有一定的参考价值和指导意义。