关于第四类超Cartan域上的Bloch函数

给出了第四类超Cartan域上的Bloch函数的充分条件以及必要条件。     

像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响

在有效质量近似下，利用变分方法研究了像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响。计算中考虑到了阱和垒中电子有效质量的不同。数值计算结果表明：阱和垒中质量的不连续只对阱宽较窄的区域有影响，而像势则在整个区域都有影响．对于阱和垒中介电常数之比较大和阱宽较小的量子阱，考虑像势对阱中杂质结合能的修正是非常必要的     

不变拟凸性与多目标规划的一个问题

定义了Ⅰ类不变拟凸、Ⅰ类严格不变拟凸、KT－Ⅰ类严格不变拟凸的向量值函数，并在目标规划中，获得了每个驻点（或KT－T点）是有效点的等价条件。     

科研是我的第一选择--记北京农学院生物技术系教授赵福宽

“从事蔬菜遗传育种研究工作多年，每年有大量时间是在试验田里度过的。有人说搞农业科研很苦，而我却不这样认为，如果一项事业你愿意倾心去做，你就不会觉得苦，不会把它看作是负担，而是情绪饱满，乐此不疲”。讲这段话的是北京农学院生物技术系主任赵福宽教授。出生在内蒙古自治区农村的赵福宽，很小就参加农业劳动，     

Au吸附在GaAs（110表面的研究

研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带顶为0.9ev;另一条与价带共振,离价带顶为0.7ev,所得结果与实验结果相一致.     

表面驰豫效应对界面区域CBED的影响

对Ａｌ２Ｏ３颗粒增强铝复合材料与Ｋ２ＴｉＯ１３晶须增强铝复合材料中的增强相／金属界面区域点阵位移场进行ＣＢＥＤ研究，并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算，结果表明：表面驰豫效应对晶须／铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著，而对界面切线方向上位移分量的影响很小。这一结果对于解决ＣＢＥＤ法测量界面应变场时遇到的表面驰豫效应问题是有意义的。     

表面活性剂对卟啉荧光光谱影响的研究

研究了一系列不同类型表面活性剂对不同存在形体的卟啉（Ｈ２Ｐ和Ｈ４Ｐ＾２＋）ＴＡＰＰ，ＴＰＰＳ４和ＴＰｙＰ荧光光谱的影响，讨论了影响卟啉的荧光激发光谱，荧光发射光谱和荧光强度的主要因素，得出了一些规律和结论。