硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题

实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。     

球铁热浸渗铝工艺及渗铝球铁耐热性能的研究

本文对球墨铸铁的热浸渗铝工艺和渗铝球铁的耐热性能进行了研究。实验结果表明:采用热浸渗铝工艺可较大幅度地提高球铁的抗氧化和抗生长能力;由于铸铁成分和组织上的特点,其热浸渗铝工艺与低碳钢有所不同。     

三点弯曲加载下YBCO电阻及K_(1c)特征研究

在300K和77K下,用三点弯曲方法测定了零电阻温度为79～85K的YBCO长条状超导试样的电阻压头位移曲线和平面应变断裂韧性K_(1c)。结果表明,77K下零电阻特性可以保持到完全断裂前瞬间,由K_(1c)得到的表面能比300K的高,高出的部分可被认为是应力诱导下的少量超导相变所附加的能量。     

线性时变系统全阶与降阶状态观测器

本文应用线性定常系统状态观测器的设计思想,给出了线性时变系统全阶与降阶状态观测器的设计。并且,线性定常系统全阶与降阶状态观测器也能由该设计给出。     

离子注入形成表层耐蚀合金的结构分析

本文介绍利用美国伯克利Ｌａｗｒｅｎｃｅ实验室的Ｍｅｖｖａ金属离子注入机在退火后的纯铁表面进行多种元素离子注入．利用透射电子显微镜对表层合金及次表层中的第二相作了电子衍射结构分析，并研究了离子注入所形成的表层耐蚀合金的组织、结构及其腐蚀性能。结果表明：纯铁表面注入能量为３８～５５ｋｅＶ，剂量为（０．５～６）×１０１６／ｍ２的Ｃｒ＋，Ｎｉ＋，Ｔｉ＋多种元素的离子，能在表层形成非晶＋微晶型的耐蚀合金，次表层中形成Ｔｉ２Ｎｉ合金第二相，并有大量位错。     

SrTiO3基多功能陶瓷的晶界结构与晶界能

用高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）观察和分析了ＳｒＴｉＯ３陶瓷中洁净晶界的结构，提出了晶界处原子排布模型，用弹性位错理论推出了描述晶界能与晶粒间失配角关系的方程。晶界能由晶界核心能和伴有晶界应变场的弹性位错能组成，通过对［郾１］和［１１０］倾斜晶界晶界能的模拟，证实了该模型的可行性。     

离散定常线性系统能达性与能控制性的注记

证明离散定常线性系统能达性与能控性两种定义的等价性，并改进了能达性与能控性基本判定定理的证明。     

控轧控冷工艺对60Si2Mn弹簧钢组织性能的影响

在实验室条件下研究了控轧控冷工艺对６０Ｓｉ２Ｍｎ弹簧钢组织性能的影响，研究表明：６０Ｓｉ２Ｍｎ钢采用奥氏体再结晶区控轧，轧后以６￣１０℃／ｓ冷却速度控制冷却，可获得球团细小且均匀的珠光体加少量铁素体组织，热轧钢材的强韧性显著提高，同时减少了脱碳。     

带泵浦的光双稳系统的激光阈值条件

本文将光学双稳性的强迫振动模型加以推广,研究了带泵浦的光学双稳系统(OBP)在粒子数反转条件下的稳态运转,包括自持振荡和带入射信号系统的光放大过程。首先给出了无入射驱动系统的一般激光条件。进而揭示并讨论了带入射信号系统光放大输出的增益阈值及其变化规律,同时发现了系统失谐与光放大条件和频率牵引效应的关系。