核磁共振法表征磷改性斜发沸石骨架硅铝的变化

用固固相P—Al同晶取代的方法，采用焙烧和微波两种加热方式磷改性斜发沸石。并用^27Al、^29Si和^31P高分辨MASNMR表征磷改性前后斜发沸石骨架上的硅铝变化，结果表明，两种方法都能使沸石骨架Al脱除，形成八面体Al(H2O)^3 6，骨架硅铝比显著增大，微波法对斜发沸石骨架P—Al同晶取代效果比焙烧法好，同时，两种方法对磷改性斜发沸石的骨架结构影响也不同。     

不同光质对一品红幼茎愈伤组织的诱导和器官分化影响的研究

一品红幼嫩茎段在离体培养过程中，不同光质对愈伤组织的诱导及根、芽分化有不同的效应．实验结果表明，红光、黄光、蓝光、绿光对愈伤组织的形成均有一定的促进作用，其促进作用大小为：红光＞绿光＞黄光、蓝光＞白光；在芽的分化过程中，各色光均表现出不同程度的抑制作用，黄光的抑制作用最显著，绿光的抑制作用最弱．     

水稻精细胞基因RSSG58启动子的克隆分析及表达载体构建

根据分布的水稻基因组测序的比较和水稻精细胞优势表达的RSSG58基因cDNA序列，以水稻品种“桂朝2号”黄化苗组DNA为模板，用PCR方法克隆出RSSG58在起始密码子以前的上游调控序列Pr58，经过Pr58启动子进行的鉴定和分析表明，具备大多数高等植物启动子的保守元件，预计它的RSSG58基因在特异表达方面具有一定的作用。为了鉴定RSSG58基因的基本启动子元件，将RSSG58基因5′侧翼序列做缺失片段分析，由PCR从Pr58中得以3个不同大小两端带有HindⅢ，BamHⅠ酶切位点的片段Pr58Ⅰ，Pr58Ⅱ和Pr58Ⅲ，定向插入载体pMGFP4(pBI221改建，报告基因为GFP）中，取代原有的CaMV35S启动子，构建了由驱动报造基因GFP的植物表达载体pRGFPⅠ，pRGFPⅡ和pRGFPⅢ，用于农杆菌介导法水稻遗传转化。其目的是为进一步在模式植物中研究其表达功能奠定基础。     

油菜萝卜胞质雄性不育系与诸葛菜属间杂种回交一代(BC1)的快速繁殖及生根

将油莱0guCMS与诸葛菜属间杂种田交一代(BC1)，在MS附加不同激素浓度的基本培养基上诱导丛生芽．结果发现，MS＋1．5mg/L 6—BA 0．15mg/L NAA对诱导丛生芽有较好的效果，丛生芽增殖系数可达3．2．小芽生根培养基以MS 0．1mg/L NAA的效果较好．     

强夯—塑料板排水法在粉土和粉质粘土地基加固中的试验研究

针对黄河中下游粉土、粉质粘土成层地基,通过插设塑料排水板和不插排水板条件下强夯对比试验研究,证实了插设塑料排水板可以有效的降低强夯时超静孔隙水压力峰值,加快其消散,缩短强夯施工工期;提高强夯夯沉,减少振动对土体的扰动,缩短触变恢复时间,因而人工塑料排水板在强夯处理此类地基中是十分有效的。     

具有特定孔道结构的分子筛骨架的设计

引入“禁区”的概念用于设计具有特定孔道的分子筛骨架结构，在模拟中，首先在某一设定晶胞中定义一个圆柱形禁区(类似分子筛中的孔道)，然后向禁区外投入独立T原子，根据对称性、原子间距不小于3．0A(Si～Si)的限定条件产生等效原子，用Cerius^2建立骨架模型，并进行结构修正，通过改变禁区半径、独立T原子数及晶胞参数，在P6／mmm(no．191)空间群中成功地设计了大量不同拓扑结构的分子筛骨架，其中既有已知骨架，如：LTL、MWW、DOH、DFO等，又包括很多结构新颖、能量合理的理论结构，这种方法为快速寻找具有特定孔道的新颖分子筛骨架结构提供了有效的途径，有利于分子筛材料的定向设计与合成。     

机械化大罐发酵生产福建老酒挥发性香味物质的分析

采用色谱－质谱联用分析法，以吹扫捕集与溶剂萃取相结合，对机械化大罐发酵工艺生产的鼓山牌福建老酒的挥发性香味成分进行剖析，以初步揭示挥发性香味成分与福建老酒风格相关联的确切成分，进而为完善机械化大罐发酵生产工艺提供科学依据。     

基于势能平衡的图像骨架抽取算法

基于骨架的基本特征和势能的概念，提出了一种基于势能平衡方式的二值图像骨架抽取算法．将抽取对象的边缘点作为零势能的等势点，计算出处于势能平衡点上的基本骨架点，并据此通过向势能小处延伸的方式构建出骨架，还解决了由于各点周围参考零势能点数量不同而带来的各点势能值间难以比较的问题。通过计算机模拟显示，本算法对于边界噪声影响不太敏感，且在端点处的畸变比最大圆盘方式小。     

汽车车身骨架断裂有限元分析

基于有限元分析方法，对某车车身骨架结构进行弯曲、扭转两种工况下的模拟，得出了车身骨架结构的应力、应变分布，找出车身骨架在弯曲、扭转工况下的薄弱环节—地板前第一根横梁、第二根横梁与相应的纵梁焊接处，为车身优化设计提供了依据。     

气泡塔熔融结晶器中传递与晶层生长

分析了气泡塔结晶器熔融结晶过程中自熔体向晶层界面的热、质传递特征，建立了描述该过程晶层生长的稳态模型。在自熔体向晶层界面对流传热膜系数的计算中，将弹单元分为弹状气泡周围液膜区、尾迹区及液塞段3段，各段的平均对流传热膜系数不同。分别在表观气速0.04和0．08m/s下，用模型对己内酰胺晶层生长进行了计算，计算结果与实验结果基本吻合。