多孔硅的形成及可见光发射

多孔硅是晶体硅片在氢氟酸溶液中进行阳极氧化，在硅衬底上形成多孔态的硅材料。本文介绍了多孔硅的形成和结构形貌，对其光学性质和发光机制进行了扼要讨论，并介绍了当前多孔硅研究中的一些热点问题。     

钢铁表面磷化过程的光声光谱研究

本文应用光声光谱方法研究了钢铁表面的磷化过程，根据在不同配方下，磷化不同时间后钢铁表面生成的磷化膜的光声光谱，分析了磷化膜形成过程中的结构变化。表明光声光谱技术是研究表面现象的一种有用的工具。     

小功率脉冲电镀仪在高效硅太阳电池中的应用

研制出用于制备空间硅太阳电池上电极的小功率脉冲电镀仪，该电镀仪脉冲电流的频率和占空比具有较宽的调节范围，满足高效率硅太阳电池脉冲电镀的要求，与国内，外普遍采用的真空蒸镀硅太阳电池上电极相比较，脉冲电镀可以制备更窄的栅指电极，电池上电极的遮光损失从７％￣９％降低到３％。     

铝胁迫下龙眼幼苗对通气的响应及其铝毒的矫治

在营养液中添加AlCl3.6H2O培养龙眼,研究铝胁迫下通气对龙眼生长及生理生化的影响,探讨铝毒矫治措施。结果表明:通气处理可以矫治龙眼铝毒且促进铝胁迫下龙眼幼苗的生长,其根、茎、叶的生物量和根系活力分别比不通气处理增加20.1%~41.0%,23.9%~59.2%,26.5%~126.9%,62.9%~322.3%;通气有助于解除或减轻铝对龙眼幼苗光合作用的限制,Chla,Chlb,Car分别比不通气处理提高129.2%~492.8%,120.2%~463.0%,111.9%~328.0%,Pn,CE也明显高于不通气处理;NR活性提高了18.1%~53.6%,促进铝胁迫下龙眼幼苗对N的吸收和利用;通气可以减轻或减缓铝对细胞膜系统的伤害,龙眼叶片大分子渗漏值OD254下降了34.4%~48.6%。另外,CaCl2,KH2PO4,MgSO4及柠檬酸处理可明显抑制铝胁迫下龙眼幼苗对铝的吸收,根、茎、叶中铝的含量均比对照下降。     

活性自由基聚合

19世纪,科学家更多地从原子层次上认识和研究化学。20世纪科学家则更多地从分子层次上认识和研究化学。进入21世纪,化学会在哪些方面取得重大突破?会遇到哪些挑战和难题?什么是未来化学的新生长点?化学在整个科学体系中占有什么地位?这些都是对化学有全局性、战略性指导意义的问题。中国科学院院士徐光宪先生曾说过这样一段耐人寻味的话,“我的专业是化学,我从学化学,教化学,到研究化学已有几十年了,可是现在我却有点搞不清楚化学的定义了。我深深感到科学的发展太快了,需要对本门科学重新认识,重新定位。这是我进入21世纪首先要关注的问题”。在新的世纪如何定位和审视化学,中科院文献情报中心《世界科学前沿发展态势分析》课题组对此进行了探讨。课题组首先选定了化学领域具有代表性的20种期刊,对这些期刊1999—2003年出现的关键词进行了统计分析,确定出了化学领域这几年的热点词,并通过与有关专家进行讨论,进一步整合出了下面13个重要研究方向:催化不对称合成、单分子、多孔材料、分子器件、光子晶体、化学动力学、活性自由基聚合、密度泛函理论、烯烃复分解反应、组合化学、酶催化、超分子化学分子自组装、燃料电池。课题组针对这些研究方向,邀请国内专家学者就这些研究方向的发展趋势进行了分析,同     

LiAlH4和NaBH4的还原反应

LiAlH4和NaBH4是有机合成中常用的两种还原剂，对NaBH4在有机合成中的发展予以简要概述，并论述分析了LiAlH4和NaBH4在不同有机化学教材中存有争议的问题，从而帮助广大读更清楚准确的认识LiAlH4和NaBH4的还原能力及选择性。     

宽能带隙电子器件

硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术，目前，这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中，按照摩尔定律，一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术，自1991年起磁头的总体位密度以每年60％至100％的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的，因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。     

铁酸镧超细粉末的制备

以La(NO3)3·6H2O、(NH4)2Fe(SO4)2和Fe2O3为原料,运用正交实验法确定最优实验条件,利用固-液界面法制备稀土铁酸盐超细粉末———铁酸镧.对产物进行部分物理测试,分别测定其全铁、亚铁离子含量,用扫描电子显微镜测定其形貌和粒径.结果表明,产物为均匀的圆球状纳米微粒,平均粒径76.0nm,反应中没有经过中间化合物,而是在固液界面上进行的.