关于图的第二特征标R2(G)

对任意图G，h(G，x)表示图G的伴随多项式，R2(G)表示图G的第二特征标，本文刻画了R2(G)=-2，-1，0，1，2的全部连通图。     

我国民营科技企业可持续发展的困境与创新思路

改革开放以来，我国民营企业得到了快速发展。但目前普遍面临着思想、制度、融资、管理、技术和人才等困境。本文认为，我国民营科技企业只有依靠持续不断的观念创新、制度创新、融资创新、管理创新和科技创新才能实现可持续的发展。     

具有（W~＊－W）CPCP的共轭空间X

本文引进了概念（ｗ￣＊一ｗ）ＣＰＣＰ，并证明了：若ｘ”具有（ｗ￣＊一ｗ）ＣＰＣＰ，则Ｘ￣＊的每个非空ｗ￣＊一紧凸子集Ｋ的弱￣＊一弱连续点集是Ｋ的弱￣＊一稠密子集。     

合成烯丙基砜的新方法

报道一种简单、便利的一步合成烯丙基砜的新方法。     

培养“四有”新人是历史赋予我们的神圣使命

本文对如何落实邓小平提出的要把青少年一代培养成为有理想、有道德、有文化、有纪律的社会主义建设者和接班人问题，结合当代大学生的情况进行了探讨。     

单取代香豆素的~（13）CNMR化学位移与电荷密度、跃迁能与Hammett常数关系的研究

用ＨＭＯ法研究了香豆素及一些４－、５－、６－、７－及８－单取代香豆素类化合物，发现这些化合物的￣（１３）ＣＮＭＲ化学位移与π－电荷密度之间有很好的线性关系。此外，跃迁能与Ｈａｍｅｔｔ常数之间也有较好的线性关系。表６．参８。     

叠加定理的数学表达式及其应用

给出线性电路叠加定理的数学表达式并说明其应用.     

硒铟镓银多晶材料的合成研究

根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.