用开关电容实现Hopfield网络的一种新方法

提出了利用开关电容网络实现连续的Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络的一种新方法，它便于单片集成，实现的网络结构具有对寄生参数不灵敏的优点     

两种场发射锥尖的制备工艺及电学特性分析

研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备方法，工艺及封装方法等，并分别测试了这两种场发射尖阵列的电子发射特性，分配表明倒金字塔填充型锥尖适用于制备高频器器件，正向刻蚀的硅尖适用于制备高速开关器件。     

电压零点启动技术及其在声光控制开关中的应用

采用电压零点启动技术,消除白炽灯启动时的大电流冲击,防止声光控开关中可控硅元件的启动电流过载,从而延长开关自身的使用寿命.     

结实型谐振直流环节逆变器的分析和研究

电力电子技术发展的主要趋势之一是高频化，而谐振软开关技术是实现高频化的有效途径。本文以较有研究价值的结实型谐振直流环节作为研究对象．讨论了其工作原理、工作状态分析和控制特性。并结合逆变器负载对整个结实型谐振直流环节几种有效的控制策略作了研究，最后以单相结实型谐振直流环节逆变器为对象进行了仿真，验证了理论分析结果。     

时滞控制系统的 PID 参数自整定

针对工业过程中普遍存在的二阶时滞系统，利用开关阶跃响应法辨识被控过程的特征参数，然后用文中所给的整定公式可以非常简单地求出ＰＩＤ参数，经过大量仿真实验，证明了所得出的整定公式的正确性以及控制的鲁棒性     

一种便携式GIS局放检测装置的设计

为解决现有的GIS绝缘检测装置存在的体积大、不易实现在线检测、受周围环境影响,测量精度不高等问题,笔者采用时差计算法,对局部放电源进行定位,并通过由高通滤波器、宽带放大器、检波器、电/光变换器和光/电变换器组成的两个通道,分别接收和处理两个来自不同位置检测到的局放信号,从而使检测精度大大提高。实验结果表明,该系统具有重量轻、携带方便、灵敏度高,可实现局放源定位等特点。     

介质表面形貌对射频微机械开关隔离度的影响

针对粗糙介质表面造成射频微机械(RF M EM S)开关隔离度衰减的问题,设计了一个双桥电容式RF M EM S开关,分别采用金属A u和A l作为开关的下电极,以S iN作为电容介质制备了样品。微波特性测量表明两种材料开关的隔离度有很大区别。利用原子力显微镜对金属A u和A l上制作的S iN介质层表面进行了测试,表面粗糙度R a值分别为13.050 nm和66.680 nm,分析得到相应的关态电容减少因子分别为0.52和0.15。为获得较好的开关隔离度,介质表面粗糙度须控制在5 nm以下。     

芯套双动高速开关阀的设计与液动力分析

高速电磁开关阀存在大流量与高速响应之间的矛盾。通过对锥阀特性的分析,设计了一种阀芯、阀套同时运动的芯套双动高速开关阀,该阀增大了高速开关阀的开口度,提高了响应速度和流量。同时对阀进行了液动力分析,得出在给定压差的条件下液动力与阀的位移基本呈线性关系的结论。     

基于电子自旋弛豫的全光开关的理论计算

国外已有实验测量发现，InGaAsP多量子阱材料的电子自旋弛豫时间是与材料的阱宽大小直接联系的，而且比之前研究的GaAs多量子阱材料的自旋弛豫时间更短。文中对激子的特性进行了介绍，对影响电子自旋弛豫时间的三个机制经行了分析和计算，并且采用有限深势阱摸型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算，最后根据要制作的全光功能开关的性能指标对计算结果进行了选择，得到最适合于制作光开关的材料为：势阱In0．53Ga0．47As（阱宽6nm）；势垒InP。     

采用谐振极软开关逆变器的异步电机直接转矩控制仿真研究

提出了一种控制简单的谐振极零电压过渡(RPZVT)软开关逆变器应用于异步电机直接转矩控制的新方案，介绍了详细的设计思路和原则，并通过仿真试验说明了此软开关技术逆变器在直接转矩控制应用中的可行性。