环形二极管电容检测电路特性

在陀螺仪中,微电容检测系统的精度直接决定了转子位移测量精度,进而影响了陀螺的精度.为适应高精度转子陀螺的特殊结构,该文研制了一种基于环形二极管解调的微电容检测系统.研究了该系统输出增益变化规律,提出了基于漏电最小化原则的增益解算算法;研究了输出噪声的特性,并设计了相应的噪声解算算法;在此基础上,提出一种基于环形二极管解...     

天幕靶基级放大电路的噪声模型研究

通过对单电阻I／V转换和T型网络两种典型的基级电路的分析，提出了光电二极管阵列与这两种电路相结合的噪声模型，仿真分析了输入电阻热噪声和运算放大器输入噪声双重作用下的输出噪声水平．经比较，T型网络输出信号的信噪比要比单电阻的I／V转换电路高6dB．实验结果证明，T型网络的误差主要由并联电阻个数决定，所以减小每个与T型网络相连的光电二极管数量，可以大幅度提高系统的信噪比。     

二级管非线性特性的应用

作者通过对改进前后两电路性能进行实验检测和理论分析比较，论证了改进后的电路具有无失真、稳定度高、幅值可调三大优良特性，是应用二极管非线性特性的结果。同时提出了线性限幅和特性转移的新概念。     

多电平逆变器技术及其原理综述

对多电平逆变器的基本原理和多电平逆变器的各种拓扑进行了分析,同时指出了各类拓扑的优缺点。分析了已有多电平逆变器不同的载波PWM控制方法,重点研究了多载波PWM控制方法,并以二极管钳位式五电平逆变器为例进行了仿真研究。同时采用了三次谐波注入法,对输出波形的谐波进行改善。     

铁电阴极几何参数对二极管电子发射的影响

主要讨论了触发电场的脉宽和阴极几何参数对铁电二极管电子发射的影响，通过对不同脉宽激励下的电子发射试验发现触发脉冲的最佳工作宽度范围是150—250ns。对不同几何参数铁电阴极片在正脉冲激励下的电子发射研究指出：一般实验条件下(触发电压小于4kV／mm)，触发梯度电场相同时，阴极越厚，条栅电极越细密，发射电流密度越大；极化反转发射中前沿发射方式和后沿发射方式可以共时存在。     

高压4H-SiC肖特基二极管的模拟及研制

结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果一致性较好,实测此器件的反向电压值达2 000 V,接近理想击穿耐压88%,漏电流数值为0.1mA/cm2.     

74LS00与非门芯片输入钳位二极管的属性探究

为了了解各厂家晶体管-晶体管逻辑(TTL)74LS00与非门芯片输入特性,以利于电子设计应用和大学教学的目的,采用由"二极管(D)串联电阻(R)系统"的总伏安特性提取内部参数法,结合实测12家74LS00与非门芯片的电源(V C C)与输入端A的伏安特性、正常输入端伏安特性和电压传输等特性,确定了不同芯片的输入钳位二极...     

高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法

提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管（VDMOSFET）的体二级管恢复速度的新方法,在这一方法中,肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中,据此生产的样品的实验结果表明,对于500V／2A的VDMOSFET,反向恢复电荷减小了50％,体二极管的恢复因数增大了60％．     

电子元器件的检测方法探讨

电子元器件是构成电子产品的基本部分,是电子产品实现功能和安全的设备与体系基础,电子行业将电子元器件的质量看做是行业的生命,在市场经济体系下,加强电子元器件检测工作成为行业的必然需要。该研究从常见的电子元器件介绍入手,描述了电子元器件的基本特征,对电子元器件常见的软件故障、损坏、电路开路进行了分析,提供了具有针对性的电子元器件检测方法,以期实现电子行业中电子元器件检测工作水平的全面保障和提升。     

基于恒电流二极管的LED驱动电路设计

LED照明是当前照明市场的热点趋势,对于其驱动电路设计方案也层出不穷.本文根据恒电流二极管的特性,针对LED照明中的小功率和大功率LED的不同特性,分别给出了驱动电路设计.保证LED驱动电路性能的同时大大简化了其驱动电路设计,降低了驱动电路的成本.