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文章针对高k栅MOSFET的栅介质层及其侧壁掩蔽层提出了一个二维定解问题,求出了二维电势和电荷分布.文章根据栅极电荷与栅源及栅漏电压关系,提出了MOSFET的栅极和源极/漏极之间的寄生电容的模型,用半解析法计算了这些寄生电容,得到了寄生电容与几何尺寸之间的关系.文章的计算结果表明改变栅极电介质常数可以得到一个寄生电容的最小值,计算结果与CST仿真结果能够很好地符合. 相似文献
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74.
75.
介绍了绝缘接头的结构形式,对其泄漏的原因做了简要分析,针对在线堵漏原理、施工工艺及特点做了详细介绍,探索出一种绝缘接头堵漏的新方式,填补了国内管道绝缘接头在线泄漏治理技术的空白。 相似文献
76.
蔡同甫 《中国新技术新产品精选》2013,(21):114-114
高压油浸正立式电流互感器的绝缘结构是互感器生产制造的关键技术。本文对一种新型的油浸正立式电流互感器绝缘结构技术研究,性能比较,并详细阐述了制作方法。 相似文献
78.
79.
80.
本文介绍了用兆欧表测量绝缘电阻的原理,通过实测数据分析了屏蔽极对测量结果的影响,提出了正确使用屏蔽极消除测试误差的意义和研究策略。 相似文献