复杂结构簇合物的新稠合规则

提出了计算复杂结构族合物价电子数 (NVE)的公式 ,并提出了应用该公式的几条规则 .同时 ,把公式与著名的Mingos稠合规则进行了简单的比较     

V型缺口应力及应力强度因子的计算

断裂力学理论和应用对平面线弹性线裂缝问题已相当成熟，但对V型缺口(如混凝土坝坝踵)的研究还不很多．实际上当V型缺口的a=2π时(图1)即为线裂缝，因而研究V型缺口的应力和应力强度因子将更具有普遍意义．用常规有限元法虽也能求解，但要求网格分得很细，工作量很大，且不易掌握．文献[1]对此类问题曾有所研究，但没有给出应力强度因子的求法．亦有人提出用边界配置法求解，但边界条件复杂时实用性较差．本文对V型缺口应力及应力强度因子的计算做了一些探索，推导了缺口附近位移场，应变场和应力场的任意高阶级数表达式，并据此构造了能反映V型缺口应力奇异性的扇形奇异单元．     

硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构间的关系

本首次用图论方法探讨了硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构之间的关系，提出一结构基础明确的、普遍适用于硅烷、锗烷和锡烷的定量关系。计算结果表明，沸点预测值都接近实验值。应用本定量关系，不仅能够预测硅烷、锗烷和锡烷的沸点，而且有助于揭示物质结构性能关系之间的奥秘。     

现实主义的困惑——《现实主义的边界》质疑

黄忠顺同志的《现实主义的边界》一文，(以下简称《边界》)是探讨现实主义文学创作方法的，从倾向上看，带有我国社会主义建设进入新时期关于革命的现实主义问题争论中的否定派色彩。这篇文章归纳起来大致提出了以下一些观点：     

硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。     

有限群的π′－闭性

将Ｅｎｇｅｌ条件进行了推广，利用（ｐ，ｑ）－子群的性质，得到了有限群为π′－闭的几个重要结果。     

单取代香豆素的~（13）CNMR化学位移与电荷密度、跃迁能与Hammett常数关系的研究

用ＨＭＯ法研究了香豆素及一些４－、５－、６－、７－及８－单取代香豆素类化合物，发现这些化合物的￣（１３）ＣＮＭＲ化学位移与π－电荷密度之间有很好的线性关系。此外，跃迁能与Ｈａｍｅｔｔ常数之间也有较好的线性关系。表６．参８。