首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   57002篇
  免费   1408篇
  国内免费   2126篇
系统科学   1624篇
丛书文集   2541篇
教育与普及   1977篇
理论与方法论   505篇
现状及发展   373篇
研究方法   5篇
综合类   53511篇
  2024年   241篇
  2023年   874篇
  2022年   975篇
  2021年   1088篇
  2020年   825篇
  2019年   889篇
  2018年   492篇
  2017年   746篇
  2016年   843篇
  2015年   1303篇
  2014年   2479篇
  2013年   2226篇
  2012年   2744篇
  2011年   3090篇
  2010年   2982篇
  2009年   3491篇
  2008年   3847篇
  2007年   3532篇
  2006年   2755篇
  2005年   2557篇
  2004年   2342篇
  2003年   2669篇
  2002年   2396篇
  2001年   2381篇
  2000年   1896篇
  1999年   1498篇
  1998年   1358篇
  1997年   1337篇
  1996年   1116篇
  1995年   965篇
  1994年   919篇
  1993年   731篇
  1992年   607篇
  1991年   587篇
  1990年   600篇
  1989年   531篇
  1988年   269篇
  1987年   198篇
  1986年   89篇
  1985年   30篇
  1984年   8篇
  1983年   7篇
  1982年   4篇
  1981年   7篇
  1980年   4篇
  1978年   2篇
  1962年   1篇
  1958年   1篇
  1957年   3篇
  1928年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 93 毫秒
961.
新型灌注沉桩机采用偏心块振动式机构,强迫振动土壤破裂下沉桩管。该机可用于钢筋混凝土、混凝土和白灰三种桩的灌柱。内设捣实机构可使白灰桩承载能力提高20%左右。减振装置与桩机架之间采用滚动接触,延长导轨使用寿命。  相似文献   
962.
本文研究一般的中立混合型微分方程[x(t)+^mΣi=1pix(t-τi)]'+^nΣk=1qkx(t-σ)+^sΣj=1rjx(t+uj)=0……(1)的振动性,这里所有pi、qk、rj都是正常数,在文[1]的工作之基础上,我们建立了另一个有效的实用的充要条件,本文的方法适用于高阶的情形。  相似文献   
963.
综述了牛α-乳清蛋白的来源、功能及其基因非编码区单碱基多态性,并讨论了牛α-乳清蛋白基因非编码区(+15)单碱基多态性同泌乳性能的相关性  相似文献   
964.
讨论了平面四次微分系统的特殊方向及在相平面上国成的角城内,奇点附近的轨线的分布;给出了右多端多项式系数构成的判别准则.  相似文献   
965.
本文介绍了4.4m×6.8m×0.48m焊接空心球棋盘形四角锥三层网架模型的动力试验方法、数据分析方法和测试结果,提出了用一种拟板法求解其自振频率的方法,为三层网架动力分析及地震性能研究提供了实用依据,并验证了其动力分析的计算模型。  相似文献   
966.
在揭示一般教学结构和指出数学教学特点的基础上,对现代系统论的三大基本原理,即整体性原理、反馈性原理和有序性原理在数学教学中的体现进行了具体的分析和探讨  相似文献   
967.
充液圆柱壳中的振动能量流   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究一无限长弹性薄壁充液圆柱壳的自由振动特性,获得了在不同周向波数时充水圆柱壳的频散曲线,讨论了此耦合系统自由振动时的传播波所对应的振动能量流,得出了各内力所传播的能量流之间的相对值。  相似文献   
968.
多跨输电线平面振动特性的传递矩阵法分析   总被引:2,自引:1,他引:2  
推导了无抗弯刚度弹性浅悬链线的平面上下振动微分方程及其一般解,并用该解求得一般传递矩阵,可处理任意对称与非对称浅悬链线。  相似文献   
969.
利用单跨输电线的传递矩阵得到三跨输电线的控制方程,设计了两种并行算法求解该控制方程,应用于一个工程实例,在InmosT800Trannsputer上实现了上述两种并行算法。  相似文献   
970.
提出一种完全新型的VDMOS-NMOS全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与VDMOS工艺兼容的对接沟道结构形成NMOS器件,利用VDMOS工艺中p^+区反刻过程形成NMOS器件的有源区,利用VDMOS工艺中刻双扩散口有成NMOS器件的栅区及多晶性互连线。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号