氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga₂O₃/BN薄膜, 然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线. X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明, 制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现, 纳米线具有十分光滑且干净的表面, 其直径为40~160 nm左右, 典型的纳米线长达几十微米. 室温下以300 nm波长的光激发样品表面, 显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射. 另外, 简单讨论了GaN纳米线的生长机制.     

尺寸和空间分布对电沉积Co纳米线矫顽力的影响

研究了室温下不同直径的Co纳米线在不同取向下的磁化行为.实验结果表明:不同直径Co纳米线的矫顽力随着纳米线与外加磁场之间角度θ的增大而减小.理论上,应用蒙特卡罗模拟研究了纳米线矫顽力对角度θ的依赖关系.对比理论和实验的结果,得到如下结论:磁晶各向异性对Co纳米线磁特性起着重大的影响,Co纳米线的磁化反转过程不能简单地用球链模型中经典的一致转动模型来解释.     

氧化锌纳米线阵列的制备方法

综述近年来氧化锌纳米线阵列制备方法的研究进展状况,包括气-液-固催化剂辅助化学气相沉积法、模板限制辅助生长法、金属有机气相外延生长法以及胶体化学的自组装(组织)法等,并且评价了这些方法的优缺点.     

安徽省纳米器件研究领域取得重要进展

本刊讯近日，安徽省仿生感知实验室刘锦淮、黄行九研究组在纳米器件研究领域取得了重要进展，研究成果论文《基于“T”型二氧化锡纳米线的分流器件》发表在国际材料科技与学术领域著名评论期刊《今日材料》（Materials Today，2011，14，42—49）上。     

过渡金属掺杂氧化锌纳米线磁性研究

一维(ID)氧化物纳米材料,如纳米线(NW)具有重要战略意义在基础科学和技术应用领域.这些新颖的纳米材料表现出卓越的物理性能.特别是氧化锌纳米线是有希望的基石对光电子和透明电子器件,并且经过渡金属掺杂可导致铁磁性.这里我们报道氧化锌纳米结构合成及其掺杂.对其物理性能进行了测量系统,它们表现出极大的潜在应用在电子和自旋电子学.     

王中林 人体发电不是梦

当我们还神游在好莱坞为我们编制的高科技美梦里的时候,高新科技生活已经悄然走入我们的生活,我们无法想象人体自身竟然也可以像机器一样发电,为耗电产品续航吧?没错,这已经不再是梦想了,2008年2月14日出版的《自然》杂志发表文章说,     

不同晶向Cu纳米线结构和电子特性的第一性原理计算

基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,系统研究了[100]、[110]和[111]3个低指数晶向不同尺寸Cu纳米线的弛豫结构和电子特性。由于配位数的减少,纳米线表面原子向内收缩且角部区域内的原子弛豫量较大,即存在着"倒棱"现象。纳米线的结合能随着其线径的增加而增加,[110]晶向六边形结构的Cu纳米线最稳定,这与在实验中最容易形成该晶向纳米线的结果一致。纳米线表面原子与其最近邻原子间的相互作用明显增强,因此相对于体相Cu晶体,纳米线的力学性能得以提高。所有Cu纳米线都具有金属性,且其量子电导随着线径的增加而增大。     

局部扭转形变下金纳米线的力电响应

采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法相结合的研究方案,系统考察了局部扭转形变对金纳米线力电特性的影响.结果表明,随着局部扭转角度的增加,金纳米线的形变区域先后经历了弹性形变和塑性形变;在弹性形变过程中,金纳米线的量子输运特性能够得到很好的保持,伏安特性曲线也不受扭转形变的影响;而在塑性形变中,纳米线的平衡电导和给定电压下的电流均比弹性形变时有显著下降.对输运谱的分析阐明了上述现象的物理机制.     

高取向硼纳米线列阵

一维纳米材料(纳米线和纳米管)是能有效传输电子和各种激子的最小维数结构, 因此是构筑纳米电子和纳米机械器件的基本组元. 采用射频磁控溅射方法, 以Ar气为溅射气体, 纯硼粉和氧化硼粉为靶材, 合成了直径在20~80 nm的硼纳米线, 这些硼纳米线在基片上自组织成垂直生长的高取向列阵, 具有大面积、高密度而离散、均匀性好、平行排列、高定向生长的特点. 它的独特特点是具有平台式顶部形貌, 详细的结构和成分研究表明硼纳米线具有非晶结构. 在合成硼纳米线及其高取向列阵的过程中, 没有涉及到任何的模板和金属触媒. 相信硼纳米线——一维纳米材料系统中的新成员, 会具有很多新奇、有趣、有用的独特性能. 提出了一种汽-团簇-固(VCS)机制来解释硼纳米线的形成.