全文获取类型
收费全文 | 8677篇 |
免费 | 327篇 |
国内免费 | 406篇 |
专业分类
系统科学 | 5篇 |
丛书文集 | 410篇 |
教育与普及 | 725篇 |
理论与方法论 | 128篇 |
现状及发展 | 156篇 |
综合类 | 7986篇 |
出版年
2024年 | 60篇 |
2023年 | 173篇 |
2022年 | 177篇 |
2021年 | 253篇 |
2020年 | 219篇 |
2019年 | 197篇 |
2018年 | 103篇 |
2017年 | 126篇 |
2016年 | 193篇 |
2015年 | 245篇 |
2014年 | 546篇 |
2013年 | 425篇 |
2012年 | 474篇 |
2011年 | 528篇 |
2010年 | 514篇 |
2009年 | 625篇 |
2008年 | 649篇 |
2007年 | 576篇 |
2006年 | 544篇 |
2005年 | 581篇 |
2004年 | 458篇 |
2003年 | 422篇 |
2002年 | 375篇 |
2001年 | 307篇 |
2000年 | 188篇 |
1999年 | 98篇 |
1998年 | 88篇 |
1997年 | 87篇 |
1996年 | 65篇 |
1995年 | 35篇 |
1994年 | 45篇 |
1993年 | 21篇 |
1992年 | 12篇 |
1991年 | 1篇 |
排序方式: 共有9410条查询结果,搜索用时 15 毫秒
131.
纳米二氧化硅水分散体的制备及复配 总被引:6,自引:0,他引:6
通过粒子紧密堆积数学模型计算得到不同粒径硅溶胶粒子间的最优配比,在此基础上合成了3种不同单分散粒径的硅溶胶。将不同粒径硅溶胶按数学模型计算的比例加入到钾水玻璃中,复配制备了不同纳米二氧化硅水分散体。与由单一粒径硅溶胶形成的膜相比,由不同粒径硅溶胶复配后形成的膜,呈现出较高的结构致密性和憎水性,与由粒子紧密堆积模型推导结果吻合。 相似文献
132.
自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。 相似文献
133.
银/二氧化硅介孔复合体的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
介孔固体系指孔径为2~50nm,孔隙率大于40%的多孔固体,其孔的数量可高达10~(19)g,比表面积可高达900m~2/s,故介孔固体在催化、吸附、分离等方面有重要的应用。根据孔的排列,介孔固体可分为有序和无序两种。若将纳米尺度的颗粒(金属或非金属)置于介孔之中则形成所谓的介孔复合体,颗粒呈弥散分布,互不连接;由于孔-颗粒界面处的相互作用,从而可显著改变颗粒的性质。近几年来有关介孔复合体的研究时有报道,但主要是非金属粒子-有序介孔固体复合体及化合物(半导体)-无序介孔固体复合体的研究。而纳米金属粒子与无序介孔固体复合体的研究尚不多见。尽管Ag与无机化合物的纳米复合材料(与本文的介孔复合体含义不同)已有一些报道,也有人在多孔玻璃中制备成颗粒间基本是互为连接的Ag/SiO_2混合物,但将纳米Ag颗粒放入介孔固体的孔中而形成均匀、弥散分布的介孔复合体尚未见报道(就我们所知)。本文报道纳米Ag与SiO_2介孔固体之间的复合体的制备。 相似文献
134.
众所周知,氧化物超导体在高温高场下J_c值偏低及显著的磁通运动效应,阻碍了它的各种应用.因此,引进新的钉扎中心,如各种点缺陷(阴阳离子空位、部分元素替代和扩展型缺陷(如离子辐照产生的柱状缺陷)等,提高其J_c,研究相关的钉扎机制,具有理论和实际的双重意义.另外,实验发现,织构化的Y系样品在很大的温度和磁场范围内具有较高的临界电流,显然与样品内具有微米或亚微米尺寸的211脱溶物直接或间接引起的磁通钉扎有关.这说明大尺度的非超导粒子对磁通钉扎也有显著的强化效应.我们在YBa_2Cu_3O_y.体系中引入尺寸约为200nm的MgO纳米颗粒添加物,研究它对临界 相似文献
135.
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管,在77K温度下对其I-V特性进行了测量,得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明,纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。 相似文献
136.
Zn_2SiO_4:Mn纳米微晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其光致发光性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以硝酸锌,硝酸锰,正硅酸乙酯,无水乙醇为主要原料,用溶胶-凝胶提拉法制备了Zn2SiO4:Mn薄膜.并利用XRD、SEM、荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析.结果表明,采用上述先驱物通过溶胶-凝胶过程可获得均匀致密的薄膜.在空气中干燥后于适当温度下热处理可得到纳米微晶Zn2SiO4:Mn薄膜.其荧光寿命从常规粉末材料的的ms量级缩短至ns量级 相似文献
137.
采用Ar^+离子溅射方法将300nm SnO2薄膜沉积在Si片上,分别对膜层进行60keV,5×10^16cm^-2Mg^+离子注入和100kdV,6×10^16cm^-1Nb^+离子注入,对未注入,Mg^+离子注入,Nb^+离子注入3种薄膜进行500℃,4h退火处理. 相似文献
138.
139.
140.
应用Raman光谱方法研究玻璃炭纳米晶体的键距畸变特征 总被引:1,自引:0,他引:1
键距(或晶格)畸变与晶粒尺寸、晶界结构一样都是纳米晶体结构研究的重要方面.有关晶格畸变对纳米晶体性能的影响已有较多研究工作发表,但关于纳米晶体的键距(或晶格)畸变特征则未见专门报道.本文从Fitzer炭键键距公式出发,建立一种键距畸变的Raman光谱分析方法.应用这种方法可以测量玻璃炭纳米晶体sp~2杂化键的最可几键距b_g、平均键距(?)_g、键距畸变△b_g以及键距膨胀率α等参量.指出,畸变可能主要存在于晶粒边界附近形成畸变键距过渡层,并对过渡层中的键距膨胀现象从电子结构角度进行了初步探讨.1 实验过程通过控制炭化温度制备具有不同晶粒尺寸的玻璃炭试样.试样的X射线分析在D/max-rA衍射仪上进行.分析结果表明经800℃至2300℃炭化得到的玻璃炭均具有乱层石墨微晶结构.试样晶粒尺寸(六元环炭原子面大小)L_a的X射线测试结果列于表1,L_a的测量误差为0.04nm.Raman光谱分析在Spex-1403型谱仪上完成.Ar~+激光器的波长为488nm、功率为500mW.试样环境为室温大气环境.测试结果如图1所示.由于玻璃炭Raman谱中G线与D线略有重叠,故图中的G线谱形已经过计算机分峰处理. 相似文献