TiO_2光催化活性的研究

采用搅拌式光催化反应器,以中压汞灯作光源,甲基橙为模型化合物,考察了SO42- 处理及Cu2+对TiO2 光催化活性的影响.研究发现,SO42- 处理以及Cu2+ 的加入都能够提高TiO2 的光催化活性,在此反应体系中甲基橙的降解为一级反应,甲基橙的光催化降解速率与光强度成正比,TiO2 光催化剂的投加量为150 mg/L,Cu2+的加入量为200μg/L时光催化效果最佳.     

在离子液体中制备超常寿命纳米金属催化剂

据国家自然科学基金委员会2005年8月12日报道，近日美国化学会《化学和工程新闻》网站以快讯的形式报道了“更长寿命的铑催化剂”，并在随后出版的该杂志科学聚焦栏目中对研究工作的进展予以评述。该研究成果在国家自然科学基金等项目的资助下，由北京大学化学与分子工程学院的寇元教授领导的研究小组取得，详细研究内容刊登在《美国化学会志》上。     

静电自组装纳米Pd颗粒对Nafion®膜的阻醇修饰

以聚二烯丙基二甲基氯化铵为修饰离子合成了阳离子化的Pd颗粒，颗粒粒径为~2nm；采用静电自组装的方法将这种纳米粒子组装到Nafion®112膜表面的磺酸根团簇上，在1.73µg/cm2的超低Pd载量下达到了甲醇渗透率下降8个数量级、电导率几乎没有下降的优异效果。     

超声波在Ni-Si3N4纳米复合电镀中的作用

采用超声波分散技术在纯铜板上制备了含有纳米Si3N4镍基复合镀层,研究了超声波对纳米颗粒含量、复合镀层显微硬度及组织结构的影响.用扫描电镜观察镀层表面显微组织,利用MM-200磨损实验机检测所得复合镀层的耐磨性能,结果表明,采用超声波分散技术可获得性能优良的复合镀层.     

纳米Al2O3/PVAc复合材料的制备与表征

用硝酸铝和碳酸铵为原料,以聚乙二醇为分散剂,采用溶胶-凝胶法制备了纳米Al2O3溶胶.用液-液混合分散法将制得的纳米Al2O3溶胶分散于聚醋酸乙烯酯(PVAc)的丙酮溶液中,得到无色透明的纳米Al2O3/PVAc复合溶胶,将溶胶刮涂制膜,得无色透明的Al2O3/PVAc复合膜.用透射电子显微镜和拉曼光谱对复合材料进行了表征.激光粒度分析仪分析表明,Al2O3在PVAc粒径在30～35 nm范围内,平均密度31.2 nm、体积平均27.5 nm、数均25.3 nm .Zeta电位值为-42.5 mV.并对Al2O3/PVAc复合溶胶进行紫外吸收测试,结果显示,与纯PVAc溶液相比,最大吸收峰蓝移10.4 nm,且吸光度增加2.3倍.     

自组装纳米模体

自组装已成为纳米技术制造工具系列中的一种关键性方法。在纳米领域中探索的科学家和工程师推断，与构成雪花同样类型的力——其自然的推斥吸引促使分子形成复杂的形状——可建构出有用的结构，比方说医疗器械或电芯片元件。但至今为止，大部分的纳米结构自组装研究只能在大学实验室演示。     

佳木斯大学生物医学材料省级重点实验室情况简介

生物医学材料重点实验室为“十五”期间省属首批建设30个省级高校重点实验室中的一个。本实验室以佳木斯大学为主要依托单位，在校内对材料科学学科、口腔医学学科、基础医学学科、测试中心、实验动物中心、化学药学等进行重组与调整，并联合哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，实现学科类的交叉和校际间的联合的省级重点实验室。     

石墨烯纳米带的制备方法

石墨烯纳米带(GNRs)是一种新型的一维碳纳米材料,因为它具有独特的尺寸效应、量子效应和界面效应等,使它在电子学和磁学方面有着巨大的应用前景.主要介绍了GNRs的两种制备方法:自上而下法和自下而上法.自上而下的制备方法重点描述解卷碳纳米管(CNTs)法、催化法和刻蚀法;自下而上的制备方法主要包括表面介导合成法和湿法有机合成等.     

基于超级电容器的TiN@CNTF电极制备及性能研究

超级电容器因其独特的性能在便携式、可穿戴电子器件领域有着很大的应用潜力。目前对超级电容器的研究主要集中在对超级电容器电极材料的研究上。碳纳米管纤维具有电导率高、力学性能好、柔韧性高等优点,是超级电容器的理想电极材料。但是,碳纳米管纤维电容量的提升被其较小的比表面积所限制。通过在碳纳米管纤维表面生长三维阵列能够有效提高碳管纤维的比表面积,从而增大电容量。因此,采用水热法,在碳纳米管纤维表面成功生长TiO2纳米阵列,并通过氨气氮化获得了TiN@CNTF电极材料。采用三电极测试TiN@CNTF电极在Na2SO4溶液中的比电容达到215.5mF/cm2,有望作为一种柔性超级电容器的负极材料得到应用。     

高压下晶界对BaTiO_3纳米晶电输运行为的影响（英文）

利用金刚石对顶砧装置,测量了BaTiO_3纳米晶高压下(最高压力达35GPa)的交流阻抗谱.给出了晶粒和晶界各自对电输运性质的贡献.在高压相,晶界对总的电输运性质起主导作用.三个结构相晶界电阻的差异源于结构相变引起的晶界微结构重组.