绝缘子污闪防治探究

介绍了绝缘子闪络危害性及主要的污闪事故,分析了导致污闪形成的环境、气象因素,针对不同电压等级、不同类型绝缘子提出了具体的防污措施。     

纳米TiO2光催化氧化VOCs的理论研究

文章以平板式空气净化装置作为物理模型，基于纳米 TiO2光催化氧化挥发性有机化合物反应的控制机理为质交换、扩散、吸附和光化学理论，建立了非稳态光催化氧化过程数学模型，利用有限差分法求解控制方程和边界条件，通过试验对理论计算进行验证，结果表明，理论计算与试验结果吻合较好。     

Eu-Ru共掺NiO-SnO2复合纳米粒子薄膜的阻变特性

通过低温水浴法制备了Eu-Ru共掺杂NiO-SnO2复合纳米粒子，透射电镜图像显示纳米粒子粒径均匀，选区电子衍射表明结晶性差，所测晶面间距与SnO2和NiO相应卡片数据一致，水热机理分析表明纳米粒子由NiO-SnO2微观p-n结组成.原子力显微镜测试薄膜表面平均粗糙度约025nm，由于薄膜太薄及样品结晶性差，XRD分析未见明显衍射峰.电学测试表明纳米粒子薄膜具有可重复双极阻变特性，阈值电压约1V，开关比约500.薄膜高阻态电学输运符合缺陷俘获载流子所致空间电荷限制导电机制，低阻态呈欧姆特性，故阻变机理应为电荷俘获及再释.     

六维微位移、力全反馈纳米压印装备的关键技术与应用研究

纳米压印光刻（Nano Imprint Lithography，NIL）是面向45nm以下半导体制造工艺下一代光刻技术的主流之一。基于紫外纳米压印光刻是一种在常温和常压下使用的光刻技术，是非常有希望成为未来光刻技术的主流工业技术。多层纳米压印套印对准技术是基于常温紫外纳米压印设备的核心关键技术，该技术是制约紫外纳米压印光刻技术，广泛应用于半导体制造并促其成为主流光刻技术的瓶颈。将并联机构引入纳米压印装备的研制之中，进一步提升纳米压印设备中掩模台和工件台之间的对准精度和定位精度。     

纳米碳酸钙的化学制备方法与应用现况

纳米碳酸钙作为功能性填料广泛应用于许多行业,本文就有关纳米碳酸钙的化学制备工艺及应用进展做以说明。     

机械合金化过程中α-Fe与BN混合粉末结构和磁性的变化

采用机械合金化方法，制备了ε－ ＦｅＸＮ／ＢＮ 磁性纳米复合材料，并用Ｘ 射线衍射仪和振动样品磁强计分析了α－ Ｆｅ 与ＢＮ 混合粉末的结构和磁性随球磨时间的变化．结果表明，这种原料通过球磨先形成非晶合金，然后非晶合金晶化形成了ε－ ＦｅＸＮ／ＢＮ，其饱和磁化强度随球磨时间的增加有一最大值，随后逐步减小     

复合结构半导体电极GaAs／Ga1—xAlxAs在光电池中应用初探

与电解液接触的半导体材料上所进行的光电化学过程，在能源方面可获实际应用。但在对光电池的研究中好现：采用任何一种单一的半导体材料作光阳极进行光能转换，都存在转换效率低的缺点。为此我们提出“复合结构模型”，认为采用复合半导体材料，可以覆盖更大频率范围内的太阳光谱，从而提高太阳能的转换效率。     

液相还原法制备Fe—Cr纳米粉

以三乙基硼氢化钠为还原剂，甲苯为溶剂，聚乙烯吡咯烷酮（ＰＶＰ）为分散剂，以铁、铬混和盐为原料制备出了约５０ｎｍ的Ｆｅ－Ｃｒ粉末。探讨了粉末合成过程的工艺条件及通过低温热处理方法获得了纳米Ｆｅ－Ｃｒ合金粉末。反应中加入的ＰＶＰ高分子分散剂起了改善粉末的形态与团聚程度的作用。     

基于等离子体处理的纳米复合长丝的微观结构和拉伸变形性能

等离子体处理参数对聚丙烯/聚乳酸纳米复合长丝微观结构和拉伸变形性能有非常密切的关系.拉伸试验、DSC和电镜实验结果表明,加工参数为氧0.1L/min和氨18L/min处理得到样品的热激活体积大;纳米二氧化硅在纳米复合长丝高分子微观结构塑性变形机制中起到阻碍作用.加工参数:氧0.2L/min、氮20L/min、处理时间108s和处理功率120W,可以得到相应加工范围的最佳Tg和Tm的纳米复合长丝.     

模式识别对Lax BaTiO3纳米多晶制备工艺参数的设计

利用溶胶－凝胶法合成钡钛前驱体，经干燥、焙烧等工艺制备了一系列镧掺杂钛酸钡纳米多晶粉体，利用XRD确定物相及原始晶粒尺寸；通过模式识别中非线性映照及逆映照方法以原始晶粒尺寸作为目标值将试样分为3类，并通过分类图对工艺参进行设计，按设计结果进行实验验证，获得了预期结果的多晶粉体，说明模式识别的应用有利于克服传统“炒菜式”合成方法的盲目性。