首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3386篇
  免费   92篇
  国内免费   146篇
系统科学   181篇
丛书文集   157篇
教育与普及   169篇
理论与方法论   27篇
现状及发展   24篇
综合类   3066篇
  2024年   13篇
  2023年   54篇
  2022年   42篇
  2021年   59篇
  2020年   39篇
  2019年   52篇
  2018年   21篇
  2017年   46篇
  2016年   49篇
  2015年   63篇
  2014年   155篇
  2013年   133篇
  2012年   157篇
  2011年   192篇
  2010年   183篇
  2009年   177篇
  2008年   214篇
  2007年   181篇
  2006年   145篇
  2005年   137篇
  2004年   116篇
  2003年   119篇
  2002年   99篇
  2001年   120篇
  2000年   118篇
  1999年   90篇
  1998年   93篇
  1997年   103篇
  1996年   104篇
  1995年   89篇
  1994年   70篇
  1993年   70篇
  1992年   65篇
  1991年   64篇
  1990年   61篇
  1989年   61篇
  1988年   36篇
  1987年   19篇
  1986年   11篇
  1985年   1篇
  1984年   1篇
  1980年   2篇
排序方式: 共有3624条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
乙丙胶经热压膜后测定8.65um和13.85um处的吸光度。Ln~(A8.65)/_(A13.85)值与丙烯含量C_3成直线关系,回归方程C_3%=54.43+16.45ln~(A8.65)/_(13.85)。未知样品,A,C,D,F丙烯克分百分数分别为41.0,53.1,40.4和59.7。  相似文献   
22.
23.
在LiNbO 3 晶体中同时掺入质量分数w为0.03%的Fe 2 O 3 和摩尔分数x(In 2 O3 )为0.5%,1%和1.5%,分别生长成In(x=1%)FeLiNbO 3 ,In(x=2%)FeLiNbO 3 和In(x=3%)FeLiNbO 3 晶体.测试晶体的红外光谱;测试晶体的位相共轭反射率,并以In(x=3%)FeLiNbO 3 晶体作为存储元件,以In(x=1%)FeLiNbO 3 晶体位相共轭镜作为阈值反馈系统,实现了全息关联存储.  相似文献   
24.
瓦斯爆炸已成为现阶段煤矿生产安全的重要隐患,而且在事故发生后常因无法确定受害人员位置而无法采取及时有效的营救措施。因此,本文设计了一套集瓦斯检测与人员定位一体化系统方案,可有效地预防瓦斯爆炸以及在事故发生后采取及时有效的营救措施。  相似文献   
25.
本文介绍了一种中波转播台报警及环境监控系统,重点对系统构成、原理、功能和特点等,进行了阐述。  相似文献   
26.
通过对事故现场车身和船体碰撞部位多点取样,利用红外光谱仪分别对肇事车辆、船只漆皮与现场提取物证样品进行检测与光谱图官能团的比对分析。该方法具有检测速度快,重复性好的优点。  相似文献   
27.
“旋转曲线”是旋子模型及旋子流假说的重要内容,该曲线在气功外气的研究中占有重要地位。本文从实验的角度证实了旋频曲线的存在,证明了意念对外气的调制作用.  相似文献   
28.
29.
王奎仁 《科学通报》1994,39(21):1986-1986
熔壳是陨星陨落过程中,与大气层相互作用的产物.这种特殊环境的矿物,肯定有其结构上的特异性.本文通过X射线粉晶分析,讨论了熔壳中主要矿物的特征及其结构畸变特征;并通过熔壳的红外光谱与模拟实验结果相比较,确认出其中的击变玻璃,并揭示了熔壳中矿物遭受强烈的冲击变质作用而经历改造的特征.样品取自安徽毫县陨石.熔壳厚约0.5mm,灰黑色,腊状光泽,表面气印发育.毫县陨石岩石化学类型为LL_(3.8).  相似文献   
30.
量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极激光光源,其工作原理与通常的半导体激光器截然不同,它利用垂直于纳米级厚度的半导体异质结薄层内由量子限制效应引起的分离电子态,在这些激发态之间产生粒子数反转。该激光器有源区是由耦合量子阱多级串接组成(通  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号