用正电子湮没寿命谱学法研究聚四氟乙烯改性和结晶度关系

该文首次提出用ｅ￣＋湮没寿命谱学参数计算ＰＴＦＥ的结晶度：研究了退火、￣（６０）Ｃｏ的低剂量照射对结晶度影响的机理；揭示出次长成份是ｅ￣＋、Ｏ－Ｐｓ捕获态的过渡态，在该态中不存在Ｐ－Ｐｓ的捕获湮没。     

纳米材料的穆斯堡尔谱学研究

采用液相化学方法并结合热处理及高压等手段制备了纳米材料样品，利用穆斯堡尔效应，X射线衍射和电子显微镜对样品进行了分析，得到了一些有关纳米材料特殊性质的有意义的结果。     

纳米离子导体Ca_(1-x)La_xF_(2+x)的复阻抗谱和介电常数

在阴离子导体中,除氧离子导体外,研究得较多的是氟离子导体.由于卤素有高的氧化能力,氟化剂与金属的反应对应于体系自由能的很大变化,若用作电极对则可得到高的电压和功率密度;而且F~-是最小的单电荷阴离子,氟化物很有希望制成离子电导率高的固体,此外,氟化物常是电子绝缘体,结构简单,便于简化理论模型.为了提高氟离子电导率,一般采用掺杂异价氟化物的方法,如文献[1]对(CaF_2 YF_3)、文     

刘文剑获得亚太理论与计算化学家协会第二届Pople Medal

复旦大学物理系封东来教授日前荣获2005年度联合国教科文组织贾乌德·侯赛因青年科学家奖。联合国教科文组织贾乌德·侯赛因青年科学家奖又称为国际杰出青年科学家奖，每两年表彰一位在理论研究和应用研究领域做出杰出贡献的35岁以下的年轻科学家。封东来主要研究领域是利用角分辨光电子谱和其他以同步辐射为基础的实验手段研究高温超导体和其他强关联材料的电子结构和有序现象。     

点突变积累与分子地化

认为木村资生等人用分子进化的中性谱向综合达尔进化说提出了挑战，但在许多方面他们又未能摆脱综合进化谱的概念框架和理论范。革而从对分子进化有更深层意义的复制群体中的基因点突特征入手，实手提出了一个分子进化的点空变积累模型，并以解释了分子进化钟的成因，指出了现存物种高低分布与物种历史是化之间在分子水平上的渊源关系。     

能量从零到有限值连续变化的中子迁移算子的谱

迁移理论中,迁移算子占优本征值的严格占优性是研究时间相关迁移系统长时间渐近行为的关键。对真空包围有界凸体内的中子迁移算子,当能量零隔离时此问题早已解决,但能量下界为零时的非均匀介质情形只在特殊条件下获得结果。本文将对一般情形讨论这个问